Способ изготовления жидкокристаллической панели, стеклянная подложка для жидкокристаллической панели и жидкокристаллическая панель, включающая в себя стеклянную подложку

Способ изготовления жидкокристаллической панели, стеклянная подложка для жидкокристаллической панели и жидкокристаллическая панель, включающая в себя стеклянную подложку

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники

Настоящее изобретение относится к способу изготовления жидкокристаллической панели, включающему в себя этап маркировки через лазерную маркировку различных типов информации в маркировочной площадке, предоставленной на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, а также к стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, включающей в себя маркировочную площадку, имеющую область маркировки, подходящую для лазерной маркировки, а также к жидкокристаллической панели, включающей в себя стеклянную подложку.

Уровень техники

В общем, жидкокристаллическая панель надлежащим образом используется в дисплее для жидкокристаллического телевизионного приемника или персонального компьютера, выступающем в качестве дисплейного устройства, и она очень широко используется в последние годы. В жидкокристаллической панели, исходя из необходимости управления во время производства или необходимости технического обслуживания после поставки, маркируются различные типы информации, к примеру информация серийного номера и информация об использовании. Лазерная маркировка обычно надлежащим образом используется для этой маркировки, и различные типы информации, описанной выше, маркируются во время процесса производства посредством облучения стеклянной подложки для жидкокристаллической панели, которая является компонентом жидкокристаллической панели, с помощью лазерных лучей.

В качестве способа маркировки различных типов информации в стеклянной подложке для жидкокристаллической панели посредством использования лазерной маркировки, например, известны способ маркировки посредством облучения пленки на основе ITO (оксида индия и олова), сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей (см. опубликованный патент (Япония) № 6-51328 (патентный документ 1)), способ маркировки посредством облучения ориентационной пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей (см. опубликованный патент (Япония) № 10-278422 (патентный документ 2)), способ маркировки посредством облучения металлической пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей и т.п.

Среди них в способе маркировки посредством облучения металлической пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей, в частности, маркировка обеспечивается в стеклянной подложке посредством обеспечения маркировочной площадки посредством формирования металлической пленки в периферийной части стеклянной подложки, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, облучения этой маркировочной площадки с помощью лазерных лучей и тем самым формирования сквозного отверстия в маркировочной площадке. Следует отметить, что различные типы информации, таким образом маркируемой, маркируются в стеклянной подложке в качестве двумерного кода данных, причем информация имеет форму матрицы с данными, и информация считывается посредством использования любой из отражающей камеры и пропускающей камеры.

Список библиографических ссылок

Патентные документы

Д1. Опубликованный патент (Япония) номер 6-51328

Д2. Опубликованный патент (Япония) номер 10-278422

Раскрытие изобретения

Следующие два типа допускаются в качестве последовательностей операций обработки в случае, если маркировка обеспечивается посредством облучения металлической пленки, сформированной на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, с помощью лазерных лучей. Первая последовательность операций обработки называется процессом для одной подложки, и она является последовательностью операций обработки, при которой, до связывания между подложкой TFT (тонкопленочных транзисторов), которая является стеклянной подложкой, которая должна снабжаться маркировкой, и подложкой CF (цветных светофильтров), с которой связаны цветные светофильтры, различные типы информации маркируются посредством прямого облучения маркировочной площадки, предоставленной на TFT-подложке, с помощью лазерных лучей, и после этого TFT-подложка и CF-подложка связываются друг с другом. Вторая последовательность операций обработки называется процессом для множества подложек, и она является последовательностью операций обработки, при которой, после того как TFT-подложка и CF-подложка связываются друг с другом, различные типы информации маркируются посредством облучения маркировочной площадки, предоставленной на TFT-подложке, с помощью лазерных лучей через CF-подложку.

При использовании процесса для одной подложки, описанного выше, поскольку маркировочная площадка непосредственно облучается с помощью лазерных лучей, четкость сформированной маркировки (т.е. форма или размер сквозного отверстия, степень затемнения вокруг сквозного отверстия и т.п.) может подходить для считывания с использованием пропускающей камеры или отражающей камеры.

С другой стороны, при использовании процесса для множества подложек, описанного выше, поскольку процесс лазерной маркировки выполняется после связывания между TFT-подложкой и CF-подложкой, число сформированных TFT-подложек и CF-подложек, изготовленных одновременно, может регулироваться с хорошим балансом, и достигается возможность эффективного изготовления жидкокристаллических панелей.

Между тем, в случае если маркировочная площадка формируется из металлической пленки, как описано выше, различные процессы, к примеру процесс осаждения пленки или процесс травления для формирования TFT, могут выполняться после того, как металлическая пленка сформирована. В таком случае металлическая пленка, формирующая маркировочную площадку, может подвергаться коррозии, и ее качество может ухудшаться во время процесса осаждения пленки или процесса травления. Если такая коррозия возникает, качество маркировочной площадки ухудшается и, соответственно, четкость сформированной маркировки является невыгодно низкой. В результате получается ошибка распознавания при считывании с использованием пропускающей камеры или отражающей камеры, описанной выше.

Следовательно, цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предоставить способ изготовления жидкокристаллической панели, допускающий эффективное предотвращение коррозии маркировочной площадки, включающей в себя металлическую пленку, предоставленную на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, во время процесса производства жидкокристаллических панелей.

Помимо этого, цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предоставить стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, включающую в себя маркировочную площадку, подходящую для процесса лазерной маркировки, и жидкокристаллическую панель.

Способ изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению включает в себя следующие этапы (A)-(G):

(A) подготовка стеклянной подложки для жидкокристаллической панели, включающей в себя часть, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и периферийную часть, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея;

(B) формирование электрода затвора TFT в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и формирование нижнего слоя маркировочной площадки в периферийной части посредством формирования и нанесения рисунка на металлическую пленку на основной поверхности стеклянной подложки для жидкокристаллической панели;

(C) формирование изолирующей пленки затвора TFT в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и формирование защитной изолирующей пленки в контакте с нижним слоем так, чтобы она покрывала нижний слой маркировочной площадки в периферийной части, посредством формирования и нанесения рисунка на изолирующую пленку на основной поверхности стеклянной подложки для жидкокристаллической панели;

(D) выполнение различных процессов осаждения пленки и процессов нанесения рисунка в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и в периферийной части, в то время как поддерживается состояние, в котором нижний слой маркировочной площадки покрывается защитной изолирующей пленкой;

(E) оставление незащищенной основной поверхности нижнего слоя маркировочной площадки за исключением ее периферии посредством удаления части защитной изолирующей пленки и, по меньшей мере, части различных пленок, сформированных на ней;

(F) формирование пикселного электрода в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и верхнего слоя маркировочной площадки, который должен быть в контакте с нижним слоем, так чтобы он покрывал основную поверхность нижнего слоя маркировочной площадки в части, не покрытой защитной изолирующей пленкой в периферийной части, посредством формирования и нанесения рисунка на пленку на основе ITO на основной поверхности стеклянной подложки для жидкокристаллической панели; и

(G) обеспечение маркировки посредством обеспечения сквозного отверстия, проникающего через верхний слой и нижний слой маркировочной площадки, посредством облучения маркировочной площадки с помощью лазерных лучей.

В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению этап (B) формирования электрода затвора и нижнего слоя маркировочной площадки, описанный выше, может включать в себя этап последовательного размещения поверх друг друга и формирования множества металлических пленок, отличающихся по материалу.

Способ изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению дополнительно может включать в себя этап (H) подвергания соответствующих основных поверхностей электрода затвора и нижнего слоя маркировочной площадки обработке анодирования.

Стеклянная подложка для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению включает в себя часть, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и периферийную часть, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея. TFT обеспечивается на основной поверхности части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и TFT включает в себя металлическую пленку, выступающую в качестве электрода затвора, изолирующую пленку, выступающую в качестве изолирующей пленки затвора, и пленку на основе ITO, выступающую в качестве пикселного электрода. Маркировочная площадка для обеспечения маркировки посредством облучения с помощью лазерных лучей обеспечивается на основной поверхности периферийной части, и маркировочная площадка имеет область маркировки, сформированную из многослойного комплекта, состоящего только из металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя, и пленки на основе ITO, выступающей в качестве верхнего слоя, и периферийную область, включающую в себя изолирующую пленку, покрывающую периферию металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя. Металлическая пленка, выступающая в качестве электрода затвора, и металлическая пленка, выступающая в качестве нижнего слоя, формируются одновременно на одном этапе, изолирующая пленка, выступающая в качестве изолирующей пленки затвора, и изолирующая пленка, формирующая периферийную область, формируются одновременно на одном этапе, и пленка на основе ITO, выступающая в качестве пикселного электрода, и пленка на основе ITO, выступающая в качестве верхнего слоя, формируются одновременно на одном этапе.

В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению электрод затвора и нижний слой маркировочной площадки могут быть изготовлены из многослойного комплекта пленок из множества металлических пленок, отличающихся по материалу.

В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению соответствующие основные поверхности электрода затвора и нижнего слоя маркировочной площадки могут подвергаться обработке анодирования.

Жидкокристаллическая панель согласно настоящему изобретению включает в себя любую стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, описанной выше.

Согласно настоящему изобретению, может предоставляться способ изготовления жидкокристаллической панели, с помощью которого эффективно предотвращается коррозия маркировочной площадки, включающей в себя металлическую пленку, обеспеченную на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, в процессе производства жидкокристаллических панелей.

Помимо этого, согласно настоящему изобретению, могут предоставляться стеклянная подложка для жидкокристаллической панели, включающая в себя маркировочную площадку, подходящую для процесса лазерной маркировки, и жидкокристаллическая панель.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 является схематичным видом сверху жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 2 является увеличенной принципиальной схемой части записи информации, показанной на Фиг. 1.

Фиг. 3 является схематичным видом в поперечном сечении жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 4 является блок-схемой последовательности операций для иллюстрации способа изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 5A является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 5B является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 6A является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 6B является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 7A является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 7B является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 8 является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 9A является увеличенной фотографией, показывающей один пример маркировочной площадки, подвергнутой процессу лазерной маркировки в процессе для множества подложек при применении настоящего изобретения.

Фиг. 9B является увеличенной фотографией, показывающей один пример маркировочной площадки, подвергнутой процессу лазерной маркировки в процессе для множества подложек без применения настоящего изобретения.

Фиг. 10 является блок-схемой последовательности операций для иллюстрации другого примера способа изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 11 является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно другому примеру способа изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 12 является схематичным видом в поперечном сечении маркировочной площадки согласно первой разновидности.

Фиг. 13 является схематичным видом в поперечном сечении маркировочной площадки согласно второй разновидности.

Осуществление изобретения

Один вариант осуществления настоящего изобретения подробно описывается ниже со ссылками на чертежи. Далее, идентичные элементы имеют назначенные идентичные ссылки с номерами, и их описание не повторяется.

Фиг. 1 является схематичным видом сверху жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения, и Фиг. 2 является увеличенной принципиальной схемой части записи информации жидкокристаллической панели, показанной на Фиг. 1. Фиг. 3 является схематичным видом в поперечном сечении жидкокристаллической панели, показанной на Фиг. 1. Первоначально структура жидкокристаллической панели и стеклянной подложки для жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления описывается в отношении этих Фиг. 1-3.

Как показано на Фиг. 1 и 3, жидкокристаллическая панель 1 в настоящем варианте осуществления, главным образом, включает в себя TFT-подложку 10, CF-подложку 20, герметизирующий элемент 30 и жидкий кристалл 32. Жидкокристаллическая панель 1 в настоящем варианте осуществления - это то, что называется жидкокристаллической панелью с активной матрицей, в которой множество отображаемых пикселов, размещаемых в матрице, по отдельности управляются посредством TFT, предоставленных для отображаемых пикселов.

TFT-подложка 10 также называется подложкой активной матрицы, и она, главным образом, имеет стеклянную подложку 11, выступающую в качестве основания, множество TFT 40, сформированных на ее основной поверхности 11a, и множество пикселных электродов 46, электрически подключенных к соответствующим TFT 40. TFT-подложка 10 включает в себя часть A, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея для отображения изображения, и периферийную часть B, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и множество TFT 40 и пикселных электродов 46, описанных выше, размещаются в матрице в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея. Следует отметить, что TFT-подложка 10 (в некоторых случаях, стеклянная подложка 11, выступающая в качестве основания для TFT-подложки 10) соответствует первой стеклянной подложке жидкокристаллической панели.

CF-подложка 20 также называется противоположной подложкой, и она, главным образом, имеет стеклянную подложку 21, выступающую в качестве основания, цветной светофильтр (не показан), связанный с ее основной поверхностью, и противоэлектрод (не показан), сформированный на цветном светофильтре. CF-подложка 20 имеет только часть, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея. Цветной светофильтр связывается с частью стеклянной подложки 21, чтобы выступать в качестве части жидкокристаллического дисплея, и множество противоэлектродов, описанных выше, размещаются в матрице на основной поверхности цветного светофильтра. Следует отметить, что эта CF-подложка 20 (в некоторых случаях, стеклянная подложка 21, выступающая в качестве основания для CF-подложки 20) соответствует второй стеклянной подложке жидкокристаллической панели.

TFT-подложка 10 и CF-подложка 20 связываются друг с другом посредством герметизирующего элемента 30 так, что они располагаются друг против друга на предписанном расстоянии (например, приблизительно 5 мкм). Герметизирующий элемент 30 предоставляется так, что он окружает часть жидкокристаллического дисплея, и жидкий кристалл 32 герметизируется в пространстве, окруженном посредством этого герметизирующего элемента 30 и находящемся между TFT-подложкой 10 и CF-подложкой 20. Жидкий кристалл 32 имеет такую характеристику, что его коэффициент пропускания света варьируется в соответствии с приложенным напряжением, и он находится между пикселным электродом 46, предоставленным на TFT-подложке 10, описанной выше, и противоэлектродом, предоставленным на CF-подложке 20, описанной выше. Следует отметить, что непоказанная ориентационная пленка предоставляется в части TFT-подложки 10 и CF-подложки 20, расположенной напротив жидкого кристалла 32.

В предписанной позиции в периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, предоставляется часть 2 записи информации, в которой записываются различные типы информации. Как показано на Фиг. 2, часть 2 записи информации включает в себя маркировочную площадку 50, на которой различные типы информации записываются в форме двумерного кода данных, и часть 60 символьных данных, на которой различные типы информации записываются в качестве символьных данных. Из них в маркировочной площадке 50, на которой различные типы информации записываются в форме двумерного кода данных, информация записывается в качестве сквозного отверстия 58, предоставленного в маркировочной площадке 50, посредством выполнения процесса лазерной маркировки, который описывается ниже.

Как показано на Фиг. 3, в части A TFT-подложки 10, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, TFT 40 предоставляется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11. TFT 40 имеет электрод 41 затвора, электрически подключенный к межсоединению затвора, изолирующую пленку 42 затвора, сформированную так, что она покрывает электрод 41 затвора, первый полупроводниковый слой 43, сформированный на электроде 41 затвора с размещенной между ними изолирующей пленкой 42 затвора, второй полупроводниковый слой 44, сформированный в предписанной позиции на первом полупроводниковом слое 43, и электрод 45a истока и электрод 45b стока, сформированные на втором полупроводниковом слое 44.

Электрод 41 затвора формируется из однослойной металлической пленки, изготовленной, например, из алюминия (Al), меди (Cu), тантала (Ta), титана (Ti) и т.п. Помимо этого, изолирующая пленка 42 затвора формируется из однослойной или многослойной изолирующей пленки, изготовленной из нитрида кремния (SiNx), оксида кремния (SiOx) и т.п.

Первый полупроводниковый слой 43 формируется из беспримесной полупроводниковой пленки, изготовленной, например, из аморфного кремния. Помимо этого, второй полупроводниковый слой 44 формируется из примесной полупроводниковой пленки, изготовленной, например, из аморфного кремния n+-типа. Следует отметить, что второй полупроводниковый слой 44 выступает в качестве контактного слоя между первым полупроводниковым слоем 43 и электродом 45a истока и между первым полупроводниковым слоем 43 и электродом 45b стока.

Электрод 45a истока и электрод 45b стока формируются из однослойной или многослойной металлической пленки, изготовленной, например, из алюминия, меди, тантала, титана и т.п. Помимо этого, пикселный электрод 46 формируется, например, из пленки на основе ITO (т.е. смешанной пленки из оксида индия (In₂O₃) и оксида олова (SnO₂)).

Между тем, в периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, маркировочная площадка 50 предоставляется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11. Маркировочная площадка 50 имеет область C маркировки, в которой предоставляется маркировка, и периферийную область D, окружающую область C маркировки, причем область C маркировки формируется из многослойного комплекта, состоящего только из металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51, и пленки на основе ITO, выступающей в качестве верхнего слоя 56, периферия металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51, покрывается защитной изолирующей пленкой 52 в периферийной области D, и дополнительно, первая покровная пленка 53, сформированная из первого полупроводникового слоя, вторая покровная пленка 54, сформированная из второго полупроводникового слоя, и третья покровная пленка 55, сформированная из металлической пленки, находятся на защитной изолирующей пленке 52.

Металлическая пленка, выступающая в качестве нижнего слоя 51, формируется из однослойной металлической пленки, изготовленной, например, из алюминия, меди, тантала, титана и т.п. Основная поверхность металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51 (т.е. поверхность в контакте с верхним слоем 56), может подвергаться обработке анодирования. Следует отметить, что нижний слой 51 в области C маркировки в маркировочной площадке 50 и электрод 41 затвора TFT 40, описанного выше, формируются одновременно, и материал и толщина первого являются идентичными материалу и толщине металлической пленки, формирующей электрод 41 затвора TFT 40.

Верхний слой 56 в области C маркировки в маркировочной площадке 50 и пикселный электрод, соединенный с TFT 40, описанным выше, формируются одновременно, и материал и толщина первого являются идентичными материалу и толщине пленки на основе ITO, формирующей пикселный электрод 46, подключенный к TFT 40.

Защитная изолирующая пленка 52, расположенная в периферийной области D в маркировочной площадке 50, и изолирующая пленка 42 затвора TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и материал и толщина первой являются идентичными материалу и толщине изолирующей пленки 42 затвора TFT 40.

Первая покровная пленка 53 и вторая покровная пленка 54, расположенные в периферийной области D в маркировочной площадке 50, а также первый полупроводниковый слой 43 и второй полупроводниковый слой 44 TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и материал и толщина первых являются идентичными материалу и толщине первого полупроводникового слоя 43 и второго полупроводникового слоя 44 TFT 40 соответственно.

Третья покровная пленка 55, расположенная в периферийной области D в маркировочной площадке 50, а также электрод 45a истока и электрод 45b стока TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и материал и толщина первой являются идентичными материалу и толщине электрода 45a истока и электрода 45b стока TFT 40.

Здесь, в области C маркировки в маркировочной площадке 50, предоставляется множество сквозных отверстий 58, проникающих через пленку на основе ITO, выступающую в качестве верхнего слоя 56, и металлическую пленку, выступающую в качестве нижнего слоя 51. Это сквозное отверстие 58 реализует двумерный код данных, в котором кодированы различные типы информации, к примеру информация серийного номера и информация об использовании, и информация считывается посредством использования пропускающей камеры или отражающей камеры.

В частности, в случае, если используется пропускающая камера, различные типы информации считываются посредством детектирования света, который проходит через TFT-подложку 10, по мере того как он проходит через сквозное отверстие 58, предоставленное в области C маркировки в маркировочной площадке 50. С другой стороны, в случае, если используется отражающая камера, различные типы информации считываются посредством детектирования сквозного отверстия 58, предоставленного в области C маркировки в маркировочной площадке 50, и затемнения, сформированного вокруг него, отличного от окружающей основы, посредством использования разности в контрастности.

Фиг. 4 является блок-схемой последовательности операций для иллюстрации способа изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, и Фиг. 5A-8 являются схематичными видами в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления. Способ изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления далее описывается в отношении этих Фиг. 4-8.

Как показано на Фиг. 4, в способе изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, первоначально, одновременно выполняется изготовление TFT-подложки 10 (этап S101) и изготовление CF-подложки 20, спаренной с TFT-подложкой 10 (этап S102). При изготовлении CF-подложки 20 она изготавливается посредством подготовки стеклянной подложки 21, связывания цветной пленки с ней и формирования противоэлектрода и дополнительного формирования ориентационной пленки. При изготовлении подложки TFT 10, в частности, выполняется следующий процесс.

Первоначально, как показано на Фиг. 5A, стеклянная подложка 11, включающая в себя часть A, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и периферийную часть B, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, подготавливается, и металлическая пленка формируется на ней, и на нее наносится рисунок. Таким образом, электрод 41 затвора TFT 40 формируется в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и нижний слой 51 в маркировочной площадке 50 формируется в периферийной части B. Более конкретно, алюминиевая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, с помощью напыления, и на алюминиевую пленку наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать электрод 41 затвора и нижний слой 51. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, BCl₃+C_l2, CF₄(+O₂) и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления в фотолитографии. Здесь основная поверхность сформированной алюминиевой пленки может подвергаться обработке анодирования по мере необходимости.

Затем, как показано на Фиг. 5B, изолирующая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на нее наносится рисунок. Таким образом, изолирующая пленка 42 затвора TFT 40 формируется в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и защитная изолирующая пленка 52 в маркировочной площадке 50 формируется в периферийной части B. Более конкретно, пленка на основе нитрида кремния формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, с помощью PECVD (плазмохимическое осаждение из паровой фазы), и на пленку на основе нитрида кремния наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать изолирующую пленку 42 затвора и защитную изолирующую пленку 52.

Затем, как показано на Фиг. 6A, слой аморфного кремния формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на него наносится рисунок и т.п. Таким образом, первый полупроводниковый слой 43 и второй полупроводниковый слой 44 формируются в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и первый полупроводниковый слой, выступающий в качестве первой покровной пленки 53, и второй полупроводниковый слой, выступающий в качестве второй покровной пленки 54, формируются в периферийной части B. Здесь второй полупроводниковый слой 44 и вторая покровная пленка 54 имеют такую форму, что покрывают всю основную поверхность первого полупроводникового слоя 43 и всю основную поверхность первой покровной пленки 53 соответственно, и они формируются посредством имплантации ионов в верхнюю часть слоя аморфного кремния посредством использования способа ионной имплантации надлежащим образом. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, CF₄+O₂, CCl₄+O₂, SF₆ и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления при нанесении рисунка.

Затем, как показано на Фиг. 6A, металлическая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на нее наносится рисунок. Таким образом, электрод 45a истока и электрод 45b стока TFT 40 формируются в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и третья покровная пленка 55 формируется в периферийной части B. Более конкретно, алюминиевая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, с помощью напыления, и на алюминиевую пленку наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать электрод 45a истока, электрод 45b стока и третью покровную пленку 55. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, BC_l3+C_l2, CF₄(+O₂) и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления в фотолитографии.

Затем, как показано на Фиг. 6A, с использованием электрода 45a истока и электрода 45b стока в качестве маски второй полупроводниковый слой 44 травится, и на него наносится рисунок, так что канальная часть формируется в первом полупроводниковом слое 43. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, CF₄+O₂, CCl₄+O₂, SF₆ и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления при нанесении рисунка.

Затем, как показано на Фиг. 6B, часть, соответствующая области C маркировки в защитной изолирующей пленке 52 и первой-третьей покровных пленках 53-55, сформированных в периферийной части B, стравливается, чтобы тем самым формировать паз 57, имеющий основную поверхность металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51, в качестве нижней поверхности. Таким образом, основная поверхность нижнего слоя 51 в части, соответствующей области C маркировки, оставляется незащищенной.

Затем, как показано на Фиг. 7A, пленка на основе ITO формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на нее наносится рисунок, так что пикселный электрод 46, электрически соединенный с TFT 40, формируется в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и верхний слой 56 в маркировочной площадке 50 формируется в периферийной части B. Более конкретно, пленка на основе ITO формируется на стеклянной подложке 11, например, с помощью напыления, и на пленку на основе ITO наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать пикселный электрод 46 и верхний слой 56. Следует отметить, что жидкостное травление с использованием, например, HCl+HNO₃ и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления в фотолитографии.

После этого ориентационная пленка формируется на основной поверхности 11a части A стеклянной подложки 11, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея. Изготовление TFT-подложки 10 завершается так, как указано выше.

Последовательно, как показано на Фиг. 4, TFT-подложка 10, изготовленная на этапе S101, и CF-подложка 20, изготовленная на этапе S102, связываются друг с другом (этап S103). В частности, как показано на Фиг. 7B, герметизирующий элемент 30 выполнен с возможностью окружать часть A TFT-подложки 10, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, CF-подложка 20 размещается в контакте с этим герметизирующим элементом 30 так, что она располагается напротив TFT-подложки 10, и герметизирующий элемент 30 отверждается. Таким образом, TFT-подложка 10 и CF-подложка 20 связываются друг с другом. Здесь термореактивный герметизирующий материал, фотоотверждающий герметизирующий материал, комбинация вышеозначенного и т.п. может быть использована в качестве герметизирующего элемента 30, который должен использоваться.

В способе изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления стеклянная подложка 11, выступающая в качестве основания для TFT-подложки 10, и стеклянная подложка 21, выступающая в качестве основания для CF-подложки 20, изготавливаются из родительской стеклянной подложки. Следовательно, после того как CF-подложка 20 связывается с TFT-подложкой 10, часть CF-подложки 20, не выступающая в качестве части жидкокристаллического дисплея, находится напротив периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея. А именно, CF-подложка 20 размещается напротив основной поверхности области C маркировки в маркировочной площадке 50, сформированной в периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, на определенном расстоянии от нее.

Последовательно, как показано на Фиг. 4, процесс лазерной маркировки выполняется посредством испускания лазерных лучей (этап S104). В частности, как показано на Фиг. 8, область C маркировки в маркировочной площадке 50 облучается с помощью лазерных лучей 100 через CF-подложку 20 со стороны CF-подложки 20. Например, основные гармоники (имеющие длину волны 1064 нм) и т.п. лазера на YVO4, представленного посредством общих лазерных лучей на YAG (алюмоиттриевый гранат) или лазерных лучей на YAG с добавлением неодима, надлежащим образом используются в качестве и