Способ определения скорости движения фронта

Способ определения скорости движения фронта

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

И 3 О Б РЕТЕН ИЯ

К- АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Се!оз Соеетоких

Социалиотичеоких

РеопубликЗависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 29Х11.1968 (№ 1259731/22-1) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 03.М.1970. Бюллетень № 19

Д»Ta опубликоваш!я описания 24Л III.1970

Кл. 12g, 17/18

МПК В Olj 17/18

УДК 669.046-172 (088.8) Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Миииотрев

СССР о- 1о

Автор изобретения

В. И. Ильченко у Дю

;;г ", ОЛ м ухов ЕС „„..1ВОТ

1в1

Заявитель

Киевский ордена Ленина политехнический институ

СПОСОЬ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ ДВИЖЕНИЯ ФРОНТА

КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Изобретение может быть использовано преимущественно при выращивании монокристаллов из расплава вытягиванием по Чохральскому.

Известный способ определения скорости движения фронта кристаллизации включает измерение скорости подъема затравки и понижения уровня расплава в тигле.

По предлагаемому спосооу по затравке к фронту кристаллизации направляют ик1пульсные ультразвуковые колебания частотой

30 — 50 мегагерц, наблюдают отраженные импульсы на экране электроннолучевого индикатора и измеряют время прохождения OTp;Iженным импульсом участка развертки, протяженность которого пропорциональна скорости распространения ультразвуковых колебаний в монокристалле и периоду развертки. Это позволяет измерять скорость движения фронта кристаллизации в различные моменты процесса выращивания и производить определение скорости для кристаллов с изменяющимся по длине диаметром.

11а чертеже изображена схема, поясняющая способ.

Источником ультразвуковых колебаний, направляемых по затравке 1, служит пьезокр гсталл 2, помещенный на торце затравки. В процессе вытягивания монокристалла 8 из расплава 4 пьезокристалл импульсно возбуждактг ламповым импульсным возбудителем 5, з»пуск которого производится синхронизатором 6. Ультразвуковые колебания часто гой

30 — 50 мегагерц распространя1отся по затрав5 ке 1 и монокристаллу 8 и достигают фронт» кристаллизации . 1 слп фронт кристаллиз, ции плоский илп имссг ь!езначительиу!о кр !" визну, часть ультразвуковых колебав!!!! отразится от фронта кристаллизации и досг !гиеi

10 пьезокристалла 2, ирсобразу!ощего отраж!-.иные ультразвуковые колеоания i3 электрические. Отр»;кеиныс импульсы IIocllpiIIIInIIIIOTO>I приемником 8, усил1 в»ются, детектируются и подаются на вертикально-отк.!о!!яюн!!!с плас15 тины элекTpoiiiioлучевого индикатора. Время задержки запуска развертки в блоке задерк .KII 9 H IIOPIIQ, P»3Bc DTKII вь!оиР»!отсЯ TBKilAIII, чтобы на экране индик--тора был виден только отраженны!! 11ъ!п льс. CI

20 фронта кристаллизаil!ги определяется по времени Т г!рохо>кдепия отраженным импульсом участка I развертки, протяженность которого равна 112 Vpl, где Го — скорость распространения ул! Tp»38) ü:oilûõ колеб»11и!! в монокрис25 талле, i — период развертки, определяемый ио калибрациониым меткам времени.

Предмет изобретения

Способ определения скорости движения

30 фронта кристаллизации в процессе вытягива272286

Составитель Т. Г. Фирсова

Редактор О. С. Филиппова Тскред 3. H. Тараненко

Корректор Е. В. Фомина

З,iкд 230&! 1 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ния мопокристалла из расплава на затравку, отличаю(цийся тем, что, с целью определения отклонений скорости в процессе выращивания от среднего значения и определения скорости при выращивании монокриcTcëëà с изменяющимся по длине диаметром, по затравке к фронту кристаллизации направляют импульсные ультразвуковые колебания частотой

30 — 50 мегагерц, наблюдают отраженные импульсы на экране электроннолучевого индикатора и измеряют время прохождения отраженным импульсом участка развертки, протяженность которого пропорциональна скорости распространения ультразвуковых колебаний в монокристалле и периоду развертки.