C30B15/22 - стабилизация или управление формой расплавленной зоны вблизи вытягиваемого кристалла; регулирование сечения кристалла

Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

Класс 40d, 13Q 12с, 2 42r, 3 ¹ 121237 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. В. Добровенский и В. П. Бутузов СПОСОБ РЕГУЛ И РОВАН ИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИ ВАН ИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 10 февраля 1955 г, за Лов 27230/497359/26 в Главное управление приборостроения Министерства мап нностроения и приборостроения СССР Опубликовано в «Б|оллетепе изобретен...

121237

Устройство для замера уровня расплава в тигле

.Класс 4Ра 465о ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписнпя арг1ггггп X 151 Г. В. Никитина и В. H. Романенко УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАМЕРА УРОВНЯ РАСПЛАВА В ТИГЛЕ Заявлено 26 октября 1969 г. за М 642137/22 в Когвигет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в Г>голлетене изобрете,нпй> X 14 за 1960 г. В существующей промышленной и...

130185

Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава

Класс 12с, 2 404 1зо 42г, 3 № 137107 ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подггисные грг1ггггы М 89, 1б1, 179 В. И. Костенко СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 19 августа 1960 г. за № 682549/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в

137107

Способ определения 'кривизны фронта кристаллизации

272285 ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹â€” Заявлено 29.VI1.1968 (№ 1260536(22-1) с присоединением заявки ¹â€” Приоритет Опубликовано ОЗ.Ч1.1970, Бюллетень ¹ 19 Дата опубликования описания 27Л III.1970 Кл. 12@, 17!18 МПК В Olj 17/18 УДК 669.046-172(088.8) Комитет по делам изобретени...

272285

Способ определения скорости движения фронта

ОПИСАНИЕ И 3 О Б РЕТЕН ИЯ К- АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Се!оз Соеетоких Социалиотичеоких РеопубликЗависимое от авт. свидетельства № Заявлено 29Х11.1968 (№ 1259731/22-1) с присоединением заявки М Приоритет Опубликовано 03.М.1970. Бюллетень № 19 Д»Ta опубликоваш!я описания 24Л III.1970 Кл. 12g, 17/18 МПК В Olj 17/18 УДК 669.046-172 (088.8) Комитет по делам изобретеиий и отк...

272286

Способ контроля диаметра кристалла

Союз СовеFCKHI Социалистических реслублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ « {23) Приоритет Опубликовано 23.01,82. Бюллетень № 3 Дата опубликования описания 25.01. 82 (53)M. Кд. С 30 В 15/22 ЪеудлретванныИ квинтет СССР но делам нзобретеннй н открытнй к е (53) УДК 621.315. .592 (088.8) (72) Авторы изобретения P. О. Шархатунян и В. М. Миняй 13 TF X,1 " О...

899740

Способ выращивания монокристаллов

Использование: технология получения кристаллов полупроводниковых и металлических материалов. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохральского без вращения тигля и затравки, либо при вращении тигля со скоростью не более 30 об/мин и затравки - не более 80 об/мин и с частотой ультразвука 10,1-5103кГц. 2 табл. Изобретение относится к технологии получения кристаллов и монокриста...

2035530

Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления

Использование: изобретение относится к производству для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия. Устройство состоит из вертикального штока, на котором закреплен выращиваемый монокристалл, тигля с расплавом, регулятора мощности, нагрева...

2128250

Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления

Изобретение может быть использовано в полупроводниковом производстве для получения монокристаллических слитков германия. Сущность изобретения: устройство (фиг. 1) представляет собой микропроцессорную систему управления по выращиванию монокристаллических слитков германия по методу "Чохральского", на базе микроЭВМ 7, под управлением которой (в камере 12) производится выращивание монокристал...

2184803

Способ получения монокристаллического кремния

Область применения: изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского. Сущность изобретения состоит в способе получения монокристаллического кремния, включающем расплавление исходного кремния в тигле, введение затравки, вытягивание кристалла из расплава на вращающуюся затравку,...

2193079

Способ выращивания кристаллов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области выращивания крупногабаритных монокристаллов с использованием двойного тигля и подпитки расплава исходным материалом. Способ включает нагрев ростового узла с контролем температуры, добавление гранулированной шихты в тигель посредством дозатора, подвод затравки к поверхности расплава, вытягивание вверх вращающегося затравочного кристалла и автоматический контроль диам...

2320791

Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура в платиновый тигель, создание необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного градиентом...

2507319

Способ выращивания монокристаллов из расплава

Изобретение относится к электронной промышленности, производству материалов и узлов для приборостроения, а конкретно к производству кристаллов, применяемых в электронике и оптической промышленности, выращиваемых из расплава методом Киропулоса. Способ включает затравливание кристалла 5 на затравочный кристалл 1, его вытягивание из расплава 2 с разращиванием и заужением для образования перетяжек,...

2560402

Способ выращивания монокристаллов веществ, имеющих плотность, превышающую плотность их расплава

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из расплава способом Чохральского. Выращивание кристалла радиусом r сначала осуществляют способом Чохральского путем вытягивания из неподвижного тигля радиусом R1, таким, что где ρтв - плотность кристалла, ρж - плотность расплава. Готовый кристалл отрывают от расплава и охлаждают до комнатной температуры в ростовой камере. Затем открыв...

2600381

Способ выращивания монокристаллов cd1-xznxte, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа

Изобретение относится к выращиванию из расплава на затравку монокристаллов Cd1-xZnxTe (CZT), где 0≤х≤1 ОТФ-методом. Способ выращивания кристаллов CZT осуществляют под высоким давлением инертного газа, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ, с использованием фонового нагревателя и погруженного в расплав нагревателя - ОТФ-нагревателя 6, путем вытягивания тигля...

2633899

Способ очистки поверхности расплава при выращивании монокристаллов германия

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов германия из расплава. Сущность изобретения заключается в осуществлении извлечения шлаков (окисные пленки) с поверхности расплава, а также и со стенок тигля ниже уровня расплава германия в тигле. Это позволяет обеспечить выход монокристаллов со значительно меньшей плотностью дислокаций, снизить риск двойникования и поликристаллизации слитка...

2641760

C30B15/22 - стабилизация или управление формой расплавленной зоны вблизи вытягиваемого кристалла; регулирование сечения кристалла

Патенты в этой категории