Патент ссср 273176
Патент 273176
Классы МПК
Патент ссср 273176
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 273176
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от BBT. свидетельства №
Кл. 12g,:17/00
Заявлено 03.1!.1969 (№ 1302576/23-26) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 15.VI.1970. Бюллетень № 20
Дата опубликования описания 17.IX.1970
Комитет по делам изобретений и открытиИ при Совете Министров
СССР
МПК В 01j 17/00
УДК 548.55(088.8) Авторы изобретения
Х. С. Багдасаров, Н. И. Седаков, М. В. Неклюдова-Классен, В. Г. Говорков, Е. А. Федоров и Н. П. Ильин
Институт кристаллографии Академии наук СССР и Специальное конструкторское бюро института кристаллографии Академии наук СССР
Заявители
СПОСОБ УПРОЧНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА
Предмет изобретения,1
Изобретение относится к спосооам получения армированных монокристаллов корунда, которые могут быть использованы, например, для изготовления жаростойких и жаропрочных силовых элементов.
Известен способ упрочнения монокристаллов корунда .путем введения примесей, изменения дислокационной структуры.
Основным недостатком известного способа является недостаточно высокая прочность монокристаллов корунда.
Для устранения этого предложено в процессе кристаллизации в монокристалл вращивать высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4—
16 мм/час при температуре расплава 2050—
2150 С с последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 3 — 5 час.
П р им ер. В кристаллизационный сосуд (например, «лодочку», изготовленную из молибдена) помещают затравочный кристалл, за которым располагают арматуру, температура плавления которой выше точки .плавления
AI2O;;. Свободное пространство в объеме лодочки заполняют шихтой и производят направленную кристаллизацию в вакууме 10 лтм рт. ст. или среде инертного газа с избыточным давлением 0,1 атм при нагреве расплава до температуры 2050 — 2150 С. При размерах лодочки, например, 60)(150>(10 мм, скорость роста армированного вольфрамовой сетксй кристалла корунда составляет 4—
16 мм/ча.с.
При испытании на изгиб при температуре
10 1500 — 1700 С предел текучести армированных вольфрамовой сеткой кристаллов корунда в полтора-два раза выше предела текучести неармированных кристаллов.
Способ упроччения монокристаллов корунда, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности монокрисгаллов корунда, в про20 пессе кристаллизации в монокристалл вращивают высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4—
16 мм/чпс при температуре расплава 2050—
2150 С с последующим охлаждением до ком25 ватной температуры в течение 3 — 5 час,