Патент ссср 280683

Патент ссср 280683

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И C А Н И Е 28Î683

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И А!ТОРСКОМУ СВИДБ ЕЛЬО ВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 17Л 11.1968 (№ 1261951/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

011уоликовяно 03.1Х,1970, Бюллетень ¹ 28

Кл, 21g, 11j02

Комитет пс делам изобретений и открытиИ при Совете Министров

СССР

МПК Н 011. 7, 64

У,:1 тх 621 382 001 3 (088.8) Дата опубликования описания 27.XI.1970

ЛЕНГОРЫ изобретения

Заявитель

1О Д. Чистяков, С. Р. Заитов, Д. Н. Гулидов и В. М.

Московский ордена Трудового Красного Знамени стали и сплавов

СПОСОБ АБРАЗИВНОЙ ШЛИФОВКИ И ПОЛИРОВКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности.

Известен способ получения зеркально-гладких поверхностей подложек, исг!ользуемых в эпитяксиальной технологии, путем механической шлифовки kr IIO IErpOBKII IIpri Iipoi13iiOJIbkIOEI язимутяльиом вращении подложек Г«плоскости шлифовки ия вращатощемся шлифовальном диске.

Эти способы мало эффективны для шлифов- 10 ки и полировки моиокристаллических полуироводrkrKQBIIx материалов (кремния, германия и др.) из-за малой производительности и деформации структуры кристаллической решетки обрабатываемого материала. 15

Предлагаемый способ отличается от известных те ir, что механическую шлифовку и полировку про!:зводят по трем кристаллографическим направлен!!ям семейства (110), последовательно поворачивая обрабатываемый ма- 20 терпал в плоскости (111) на б0 . Это позволяет увеличить интенсивность снятия кристаллического материала при его шлифовке и вместе с тем существенно уменьшает дефектность поверхностиь!х участков монокристалличес- 25 ких подложек полупроводников с алмазным типом рсшс Гки.

Хрупко разрушение riprr воздействии абразива ия ио, упроводииковый материал с алмяз1той реи!ет! ой в направлениях (101) 30 обусловлено дислокациоииой реакцией з!ежду двумя шестидесятиградусными дислокац! ями с Оорязовяниез! лиз1ерОВских дислокстц!111.

Поскольку результирующие векторы Бюргера ся таких дислокации — (110) лежат в

2 плоскостях (010), скольжение на которых черезвычайно редко в кристаллах с алмазной решеткой, образовавшиеся дислокац1ш являются сидячими. При прогрессирующем образовании добавочных дислокации происходит их коялесценция с образованием целых пачек дислокаций, ограничивающих края экстраплоскостсй, которые, действуя по типу «скалывающего kioF a», образуют микротрещииу.

IIa основании механизма генерации дислокации установлено, что для двух направлений с малыми индексами (101) и (121), отличающихся FI.à :угол 90, воздействие абрязивI;or o з! -:Тер пал я при равных ня Гр1зкя х качественно различно: шлифовапие и иолирозяиие в напр авлсниях (110) является высокоэффективным, выражается в хрупком разрушении материала, ие сопровождается пластической деформацией, и, следовательно, мало нарушает кристаллическую структуру материала подложки.

Шлифоваиие и полирогяи11е в направлениях (121) сопряжено с г !ястичсским переме28068.1

Сос".авитель В, М, Гришин

1 с;(автор Т. 3. Ораовская Тс.(реп A. A. Ка .- ип:икова Коррск(оры: В. В. "аклиаа и Н Л Бюнсгая

Зевав 3361 :8 1ираж 4ЬО Подписи((с

Цг1И111111 11омигсг((ио,(сиам ив(; сгсвий Ii огкрыгий ири Сове(с Министров СССР

Мое(.в((, 71г,-35, ;Iv(IJ(((;(я иаб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 щснисм материала бсз за!!етиого участ!.я лру(:!Гого разрушения и со, :1,. (c;;,.l,:0IOH 333;1:те.1(,но!! и (астическо,! Лс 1;0(1ма!.,:!Сй, 03 H! > .А "1 страни!Ощейся иа большую глуоииу моно;:.:пс— I (,.I, II3Iåcê0ão материала.

Описываемый способ обработки заклю(гнется в том, что обрабатываемые пластины, орис!ьз ир033!Iпыp. Б ил 3 кос Ги (1 1 1), Зак,сил я!От в дср,кителе, котор!»(! устаназл;вают па шл:!фовалы!ый илн полировальный станок. "-Hтсм осуществля!От шлифовку или пол;!розк,. по трем кристаллографическим направлениям семе1!Ства .110) при последователы!ь!к поворотах в плос OcTH ((1 1 ) па, гол бО, n(Hv! oпят!

ООГ1с ;I(л:Hc;,011ß HH!i! с м:-!! o (и ». (ы.

Пр",:;мет (!зобрстеиия

5 Способ;(Оразивиоi! IIIJIII(1103KH II IIO IHpoBKII полупроводниковых матерна 103, срие!! нроваиш,!к в плоскости (111), от,Ги(тюцийся тем, что, с келью N ii! -!Шенин KB Icc1 33 Обг(1аботки, шлифовку и полировку производят ио трем

Н! крнсталлографнческим направлениям семейства (1 О -, иослсдсва";сл31:О I.G30p3(!H3QH Об рабатываемый а!атериал в плоскости (111) на угол 60,