Раствор для травления диэлектриков

Раствор для травления диэлектриков

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

32969О

О Й И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Ресл1/бпик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 08.1 V.1970 (№ 1426416/26-9) с присоединением заявки ¹ iI, Кл. Н 05k 3/00

Приоритет

Комитет по 11влам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Опубликовано 09.11.1972, Бюллетень X 7 !

Дата опубликования описания 27.111.!972

УДК 621.3.049.7 (088.8) Авторы изобр ете1ш я

А. А. Балашов, Г. 3. Шилова, А. В. Измайлов и Н. П. Чернышева

Заявитель

Московский технологический институт мясной и молочной промышленности

РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Предмет изобретения

15 до 1л до I л

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат, а именно к растворам для подготовки (травления) поверхности стеклоплас1нков перед нанесением химического покрытия.

Известен раствор для травления диэлектрпкоь, содержащий серную кислоту и соль плавиковой кислоты. Этот раствор ооеспечиваег дOcTBTo÷ïólo глубину травления диэлектрика

0 cлоех1 11eT3лла. Однако известный 1? аствор трудно приготовить, а адгезия диэлектрика со слоем металла не всегда оывает достаточной.

Целью изобретения является улучшение адгезии наносимого покрытия с оорабатывасмой поверхностью. Достигается это тем, что н качесгве солей плавиковой кислоты вводят фторид и бифторид аммония с добавками кремнскп лого натрия, при этом раствор имеет следующий состав:

Фторид аммония 40 — 60, г/л

Бнфторнд аммония 40 — 60, г/л

Крем11екислый натрий 1 — 3, г/л

Концентрированная серная кислота

Раствор предложенного состава применя1от при 50 — 60 С. Длительность процесса травления в зависимости от требуемой глубины травления около 3 — 5 мин.

1 аствор прост в изготовлении, менее ядовпт, скорость травления в нем аналоп1чна скороли травления в известном растворе с плавпковой кислотой и составляет примерно

15 — 20 мн в м1п1угу, а глубина травления—

80 мк на сторону.

Ti? BB Ie1IIIc в предло?кенном p Bcl Bop !leper

ii1cI аллпзаццей отверстп11 печатных плат из стеклотекстоли га, включенное в обычную техНОЛО ГП 1ССКУIO C :CAID,, IBCT B03?(OBillOCTb CIIJIOIII10 но1о,окрытия отверстий и улу1шает адгезшо наносимого металла с пов i?xklocTblo диэлектрика.

Раствор для травления диэлектриков, содерткащпй серную кислоту и соль плавиковой кислоты, отличаюи1ийся тем, что, с целью улучшения адгезпп наносимого покрытия с

20 обрабатываемой поверхностью, в качестве солей плавиковой кислоты вводят фторид и бифторид аммония с добавками кремнекпслого натрия.

2. Раствор llo и. 1, отлича1ои!ийся тем, что

25 имеет следующш, состав:

Фторид аммония 40 — 60, г/л

Бпфторид аммония 40 — 60, г/л

Кремнекпслый натрий 1 — 3, г/л

Концентрированная сер30 ная кислота