Патент ссср 341115
Патент 341115
Классы МПК
Патент ссср 341115
Иллюстрации
Реферат
34III5
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДБ ЕЛЬС7ВУ
Gei«a Соеетоких
Социали<,"тичеоких
Реопублин
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 20.Х1.1968 (№ 1284962/26-25) с присоединением заявки № ——
Приоритет
Опубликовано 05Л<1,1972. Бюллете». № 18
Дата опубликования описания 23Л 1.197?
М, Кл. Н 01! 7/34
Комитет <10 делам изобретений и открытий при Совете Миииатрое
СССР
УДК 621.382.0 -(0SS.a) Л»торы изобретения
А. С. Берлин, С. И. Мильман
Заявитель
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЧ-СТРУКТУР
Изобретение отис сится к йолупроводниковым СВЧ-диодам и может быть использовано при производстве всех видов СВЧ-диодов для осуществления защиты поверхности кристалла от потерь на скин — эффект.
Известным способом изготовления СВЧструктур, защищенных от,потерь на скин-эффект, является способ создания. плаиарно-кольцевой структуры, включающий нанесение защитной диэлектрической пленки двуокиси кремния, вскрытие < окон» в пленке S10o методом фотолитографии, нанесение слоя золота на незащищенную пленкой окисла поверхность полупроводника, вторичное нанесение защитной пленки двуокиси кремния на всю поверхность полупроводниковой пластины с последующим локальным травлением пленки двуокиси кремния в окнах на участке меньшего диаметра по сравнению с диаметром окна, нанесение металлической пленки в местах, не защищенных диэлектриком, и омического контакта — на обратной стороне пластины, резку пластин на кристаллы и нанесение металла на боковую поверхност. кристаллов.
Однако, известный способ получения,планарно-кольцевой сгруктуры отличается трудоемкостью, длительностью технологического процесса, относительно низкой воспроизводимостью, необходимость о,проведениг< совмещения фотошаблонов с изображениями на пластине полупроводчика и связанной с этим трудностью получения кольцевого учаегка малой ширины (порядка 1 — 3 мкт<).
Предлагается способ, при котором и;<нес<5 ние защитной диэлектрической пленки осущест»ляегся оки<лением поверхностного слоя заIII»TH0H металлической пленки. Такое оеущелвление способ» упрощает технологию;<з<оговления планар»о-кольцевых структур, значи10 тельно снпжаег трудоемкость и длительносгь процессов, а также по»ышаег воспроизводимоеть техноло<ического процесса по сра»нению с изве< тнь;м способом.
Сущность изобретения поясняется черте15 жо м.
Поверхность полупроводника (см. чертеж) подвергается тщательной очистке и металливируегся. Металлизация может осущесгвляться напылением мет",.ëë;< 2 на <поверх»ость
20,»ласт»им, нанесением металла гальва»иче< l.!DI путем, пиролитическим разложенш м металлоорганических соедине:-шй и др.
Затем с помощью обычной фотолитографии
<про»одится локальное травление слоя метал25 ли, » результате которого на поверхности полупро»од»ика <получаются не защищенные металлсм участки. Трав»тель подбирается так <хт образом, чтобы при травлении металла полупроводник не травился. 11îñëå локальног >
30 тра»ления .пластина полупроводника тщатель341115
Предмет изобретения
Составитель М. Лепешкина
Техред Т. Ускова
1 сд ктор Г. Гончар
Корректор Е. Усова
Заказ !981/б Изд, ¹ 799 Тираж 448 Подписное
Ц1ПП1ПП Ко аитста по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва,, 4(-35, Раушская иаб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
»о промывается, вслед за этим проводится окисление поверхностного слоя металла в результате которого образуется окисел металла 8. Окисление защитного металлического слоя может производиться одним из известных способов (анодное окисление, термическое окисление металла, газовое анодирование и др). Вучастках,,пе защищенных окисной пленкой, создается переход или выпрямляющий контакт одного из известных типов (диффузионный р-и переход, сплавной р-и. переход, поверхностно-барьерный контакт металл-полупроводник, точечный прижимной контакт металл-полупроводник и т. д.). Последний операцией является нанесение омпческого контакта
4 и р-п переходу. Очевидно, что для сплавных и поверхностно-барьерных контактов операции получения выпрямляющего и омпческого контактов совмещены.
Ширина незащищенного металлом кольца равна толшппе слоя окисла метал1а. Минимальная толщина слоя окисла должна быть не меньше ширины области пространственного заряда при максимальном рабочем напряжении.
4.
Первоначальная толщина металлического покрытия должна быть пе меньше суммы толщин скин-слоя в данном металле и пленки окисла металла.
Способ изготовления полупроводниковых
1о СВЧ-структур, путем нанесения выпрямляющего контакта па область полупроводниковой пластины, незащищенную окисной пленкой, разделения полупроводниковой пластины на диодпые структуры с последующей метал15 лпзацией боковой поверхности диодных структур, отлпчатощшася тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров приборов, перед нанесением выпрямляющего контакта, па поверхность полупроводниковой пластины
2о наносят слой металла, толщиной, более сум,:арной толщины области объемного заряда и скин-слоя, .получают .в нем окна, с последующим окислением на глубину, порядка толщины области объемного заряда в полупровод25 нике.