Устройство для крепления полупроводниковых подложек

Устройство для крепления полупроводниковых подложек

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК^ нагреваемых электрическим током, при полз^чении • эпитаксиальных слоев, содержащее пру-, жинные зажимы и токоподводы, о т л ичающееся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиаль)Е1ЫХ слоев, токоподврда выполнень! в виде двух пар металлических пластин с контактными брусками, изготовленными из полупроводникового материала подложки.

СВОЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК,SU 343324 (5D 4 Н 01 Ь 21/20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР к авторском,к свидеткльствм

1 (21) 1398704/26-25 (22) 02.02.70 (46) 15.10а89. Бюл. Р 38 (71) Горьковский исследовательский .физико-технический институт при Горьковском государственном университете им, H. И. Лобачевского (72) В. П. Кузнецов (53) 621.328(088.8)

Изобретение относится к технологи- ческому оборудованию электронной техники, в частности к установкам для получения эпитаксиальных слоев.

Необходимое условие получения полупроводниковых слоев с совершенной кристаллической структурой и контролируемыми электрическими параметрамиотсутствие загрязнения слоев в процес-. се их выращивания. Неконтролируемые примеси снимают удельное сопротивление, время жизни и подвижность носителей тока, увеличивают плотность дефектов кристаллической структуры в слоях, ухудшают свойства приборов, изготов ленных на их основе. Наиболее вероятный источник загрязнения слоев — разогретые детали рабо-. чей камеры установки. Одним иэ методов, дающим наименьшее загрязнение, является- разогрев полупроводниковых подложек электрическим током, проходящим непосредственно через них. Этот метод используется, например, для получения слоев кремния испарением в вакууме. Обычно в таких случаях напряже2 (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК,нагреваемых. электрическим током, при получении эпитаксиальных слоев, содержащее пру-. жинные зажимы и токоподводы, о т л ичающееся тем, что, сцелью повышения качества эпитаксиальных слоев„ токоподводы выполнены в виде двух пар металлических пластин с контактными брусками, изготовленными из полупроводникового материала подложки. ние к подложкам из кремния подводится д при поможи пластин н скрепок иа аольфрама, молибдена или тантала.

Недостатком применнеммк констрркдий токоподаодманк держателей подложек ни- С» ляется высокая температура контактов металл —. кремний. Например, при температуре подложки из кремния 1380 С размерами 60x5zl мм охлаждаемые водой молибденовые.п3тастииыстолщиной 0,2 мм, подводящие напряжение к кремнию, на- . греваются до 900-1200 С. В местах контакта металла с кремнием, который С4 обычно имеет небольшую площадь « 1 мм, наблюдается локальный нагрев, искре-. 1фЬ ние и разрушение контакта. В этом случае возможно загрязнение растущих слоев.

Цель изобретения — повышение качества зпитаксиальных слоев. Это достигается тем, что токоподводы ° ей устройства для крепления выполнены в виде. двух пар металлических пластин с контактными брусками, изготовленными из полупроводникового материала подложки.

343324

Редактор О. Юркова Техред Л,Олийнык Корректор И. Муска

Заказ 6864

Тираж 694

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород,- ул. Гагарина,101

На чертеже представлено предлагаемое устройство.

Концы разогреваемой полупроводниковой подложки 1 помещены между двумя парами брусков 2 и 3 кремния. При по5 мощи металлических зажимов 4 токоподводящие металлические пластины 5 и 6

sRKHMBIoT концы брусков; Токоподводя» щие пластины подсоединены к источнику:10 электрического тока.

Бруски изготовлены из низкоомного, вырожденного кремния. Это объясняется тем, что с уменьшением удельного сопротивления полупроводника уменьшает- 15 ся и сопротивление области его контак. та с металлом. Размеры брусков выбирают такими, чтобы нагрев металлических токоподводящих пластин за счет тепловыделения на самих брусках и путем теплопроводности от подложки был наименьшим, так при нагревании образца о кремния до 1400 С контакты нагреваются до 200 С. Градиент температуры в подо ложке от концов к центру не более

5 С/ см.

Применение предлагаемого устройства позволяет снизить температуру подложки при получении совершенных слоев (плотность дислокаций и дефектов упаковок 10 см ) до 600 С вместо 830 С, а наименьшую температуру зпитаксиального роста до 430 С. о