Емкостный триод

Емкостный триод

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскик

Социалистическит

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.Ч11.1969 (№ 1351636/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 23.1.1973. Бюллетень № 8

Дата опубликования описания 16.П1.1973

М. Кл. Н О1! 11/00

Н 01т 7) 00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.2(088.8) Авторы изобретения

В. В. Заика, А. А. Коваль и В. Д. Костюк

Заявитель

ЕМКОСТНЫЙ ТРИОД

p — n-переход, расположенный не глубже дебаевской длины экранирования от поверхности полупроводника. С ростом обратного напряжения на таком р — и-переходе пространст5 венный заряд распространяется вплоть до границы раздела с диэлектриком, т. е. емкостью структуры металл †диэлектрик †полупроводник (МДП) можно управлять напряжением на р — n-переходе, расположенном

10 вблизи поверхности.

На этом,принципе основана предлагаемая конструкция нелинейной емкости с независимым управлением.

Такая конструкция может быть выполнена, 15 например, по технологии изготовления МДПтранзистора со встроенным каналом.

20 Бмкостной триод, выполненный на основе структуры металл — диэлектрик — полупроводник, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления емкостью напряжением, не зависящим от входного, в по25 лупроводни ке на глубине не.более дебаевской длины экранирования от поверхности полупроводника выполнен обратно смещенный

p — n-переход

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в широком классе схем, в частности, в схемах параметрического и диодно-емкостного усиления, в многоустойчивых элементах и т. д.

Известные управляемые,полупровод иковые ем кости являются двухполюсными системами, что затрудняет построение схем из-за необходимости разделения входа и выхода, а также развязки. цепей по переменному и постоянному току.

Цель изобретения — обеспечение возможности у правления входной емкостью напряжением, не зависящим от входного. Это достигается сочетанием взаимодействующих структуры металл — диэлектрик- полупроводник и р — иперехода.

Принцип работы нелинейной поверхностной емкости заключается в том, что измерением напряжения на металлическом электроде регулируется степень обеднения или обогащения основными носителями приповерхностной

onnàñòè полупроводника, а зяачит, и емкость структуры металл — диэлектрик — полупроводник

Аналогичную роль для приповерхностной области может чграть и обратно смещенный

Предмет изобретения