Способ многозондового измерения удельного

Способ многозондового измерения удельного

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

372492

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Ссеетскиз

Социалистическим . Республин

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16ЛК1968 (¹ 1232626/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01 lll.1973. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 23.1Ч.1973

М. Кл. G 01п 27/24

Комитет по делам изобретений и отнрытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382:541.133 (088.8) Авторы изобретения

Л. И. Анатычук и О. Я. Лусте

Заявитель

СПОСОБ МНОГОЗОНДОВОГО ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО

СОП РОТИ ВЛ ЕН ИЯ ПОЛ УП РО В ОДН И КО ВЫХ

ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК

Изобретение относится к методам контроля качества полупроводниковых материалов и может быть использовано для определения степени однородности эпитаксиальных пленок.

Известны способы определения удельного сопротивления эпитаксиальных пленок, при которых производится измерение поверхностных напряжений от токов, пропускаемых через измеряемую пленку, при помощи двух или большего числа зондов от внешнего источника тока, Недостатком этого способа является невозможность обнаружения неоднородностей в этитаксиальных пленках в том случае, когда сопротивления подложки и пленки близки по величине.

Кроме того, способ непригоден и в том случае, когда сопротивление подложки значительно меньше сопротивления пленки, поскольку в этом случае подложка шунтирует эпитаксиальную пленку.

Целью изобретения является повышение точности измерений при сопротивлении пленки, равном или большем сопротивления подложки.

Эта цель достигается использованием для создания перепада напряжений не внешних источников электрического тока, а вихревых термоэлектрических токов, возникающих в эпитаксиальной пленке и подложке при наличии градиентов температур. Величина вихревого термоэлектрического тока зависит от соотношения толщин пленки и подложки, удельных сопротивлений пленки и подложки и разности термо-э.д.с. материалов пленки и подложки. iipII этом существенные по величине падения напряжения (до IO мв/град для кремниевых эпитаксиальных пленок), вызванные вихревыми токами на эпитаксиальной пленке, будут возникать и при отношениях сollpoTHBëoíèß пленки и подложки, близких к единице и несколько меньших единицы. Градиенты температур в эпитаксиальной пленке и подложке создаются нагревателем и холодильником, расположенными на поверхностях пленки и подложки.

О величине сопротивлсни» и неоднородности эпитаксиальпой пленки можно судить или по поверхностным напряжениям на пленке и подложке или IIo поперечным по отношению и тепловому потоку э,д. с., возникающим та,<же вследствие протекания вихревого тока между двумя одинаковой температуры точками, рас25 положенными одна против другой на поверхностях эпитаксиальной пленки и подложки.

Во втором случае измерения значительно упрощаются и повышается точность вследствие уменьшения числа измеряемых напряжений и

30 исключения действия термо-э. д. с.

372492

Предмет изобретения

Составитель Л. Пирожников

Техред 3. Тараненко Корректор А. Степанова

Редактор Т. Орловская

Заказ 1087/12 Изд. № 364 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ многозондового измерения удельного сопротивления полупроводниковых эпитаксиальных пленок, нанесенных на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения области измерений и повышениl точности, с помощью нагревателя и хойодильника создают в измеряемом образце вихревые термоэлектрическйе тбки, пронзводят измерения падения напряжеиий, вызванных протеканием этих то5 ков в зондах, и определяют удельное сопротивление эпитаксиальной пленки на участке между зондами.