Сносов вскрытия монокристллличёских островков кремния в структурр, для интегральных схем

Сносов вскрытия монокристллличёских островков кремния в структурр, для интегральных схем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О 11-К :А Н И Е 382l74

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства X. ——

41, Кл H О1/ 7/3>!

Зляв !etio 30.VI1.71 (21) 1689009/23-26 с присос;(!и(< l(ltci! зл t!)t;н ¹-1осударстаенный комите) Совета Министроа ГССР по делам изобретений и открытий

11риорит(т ——

О:I <)з!нк<.в(и(о 05.!.1!)74. 17!Ол 7ст(нь /№ !

УДК 621.315.5!)2:

: 546.28 (088.8) I3T3 0:li <). I IIKOI)3 IIII)! 0111((3!1 list -3.1 < <)7 1

Авторы изобретения В. !I. Токарев, Л. Г, П(трнк, Л. В. Тоикоиог и Л. И. Сеа(енов

Заявитель

С!1ОСОВ ВСКРЬПИЯ МОИОКРИСТЛЛЛИ(1ЕСКИХ ОСТРОВКОВ

КРЕМНИЯ В СТРУКТУР Г, ) ЛЯ И11ТЕГ!)ЛЛЬ11ЫХ СХЕМ

Р 1 S(° !! ° =1, 1 2

Изобр(и(синс оп(осится к )oxttoл )гнн !ю .7у; приборов ll iloжет использоваться в электрои(юй иромы!и IcIII1ocTlI и цветной металлургии.

lIplKiIcIIcI111c ив(сграг!ьн(1:< cxci(с днэл Kтрической изоляцией Ilp(IBO;lIIT к c03;13llillo

i1IlOI7)C70lllll>1X i1OIIO7IITIIbIX CTPi KTi Р, IIPC 7с7 33.7s((oи(и:< cooott (to.li нроводии кol)i Io !10;l,70)KI(ИКРОРСГ)ЬС(Р01>(, На KOTOPi Ю Наносятся слои диэлектрика (чащс двуокиси кремния) Ii ноликристалла, в частности, ксоз 13 t t 11 10 крс ми невы.; структур. Ix pe)III t tefti структуру Ilo;Ii чают нанесением 113 кремнис13У!О iI0II0KPlICT3,7ЛИЧСС!<УЮ 1107. 10:ККУ С Рс.lbсфом слоя лнэлсктрика и ноликристал(3.

Для вскрытия з!Онокристалг!пиески островков кремния в указанной структуре ноизвсст!юму способу слой со cTopolll>I монокристалличсской нолло)кки меклни Icc«ll cotll llt(J)Овы В310T 11 н0,71(pмIOТ а ораз(! в! I Ы:

ОСТРОВКОВ KPCi(II II!I.

В результате в !юликристалличсском кремнии остаются вкрытые островки монокристаллического кремния, изолированныс

î IIIII от лругого слоем двуокиси кремния и (к)ликриста 7;13. В дальнсишем 113 эзч(к изолированных участкак монокрнстлллическог0 крсм(шя формиру)от элементы интегральной схемы. Для создания качественных скеа(моиокристллли !сскис островки должны иметь злланиыс геометрические размеры. Однако получаемые структуры имеют искривления, что связано с различием коэф(1)и!(кентов термического расширения поликристаллического, мо!юкристллличсского и слоя двуокиси кремния и други.< ttx физттчески); констант. ИсKpll13 tel!I!< стрмктмpbl г(риволит K ма(снь(пснию Ilлоньлли вскрытия а!Онокристалличсски.<

1О островков II вь(:<ОЛа годны); cxc. it и приборов. ,. 1ля устранения искривления структуры предлагается нсрсл сошлифовкой выпрямлять структуру p313110ilcpll0 раснрелслеииым иo се llëoù3ли усилием, величину которого

1.; определяют из соотно!нсния

20 1 :1c / << — ври.7 а г(1 с )(ос i c!1.7110, «<, к — — гсомстричсскнш фактор;

S — - и 70ll13 7b c 1 Pi 1<òi Pbl, с.<1

<) — толщина монокристалличсской нол..t0)I<КИ, С.<1:

). ) /; — 0.7 (И И Н 3 ноликристллличсскoli) слоя, с.è;

0 нрслел точности материала иолло)кки нри р(!бо !с! температуре. «3/(7<1, /< — ралиус структ ры, (7!1.

Ç0 Гсометри<)секи((фактор равен 0>8- — 1,2.

382174

Предмет изобрс тен и я

С.п, гавитсав В, Безбородов

Редактор Н. Корчеико

Tcкр(,l, T. Курнлко

Корр«к гор Н. Аук

Зэка", 2180, I 11)д. М З80 Тираж 760 Подписпое

1I111111Г1И Государственного комитета Совета Миипстров СССР ио делам 113001)cTcIIJJ(I и откр))гиш

Москва, Ж-З5, Ралшс кая иаб., д, 4(5

Малоярославецкая городе;:оя пи1о рофия Килтгясяого облостоого уирявл(ния иеавтельств, ио.|играфи((и кани;но» торговли

Вс ff(чиил усилия, определяемая из указаииого соотношения, достаточиа для выирямлсnn) искривлеиий структуры и n(ири-! юдит и сс разрушению. После того, как ириложс((о усилие II cTðóêòóðû выирямлеиы, и. < за к) еи.ч)110 г В этОл(ио,loiKcnnf(.

С I Р У и т ) P 3 ! Ос,л с с 0 nl л! 1(1) 0 В к и I I P 3 K T n "l с ски состоит из одиородиого слоя иоликристаллического крсмиия с включ«ииями от, (ел ь и ы х K р и с т а .1 «!? в, и 3 0. I I ()? o f) 3 n J (I I x 1 п 3, 1 с ктриком. 11яиряжения в «трукгуре, сущсствующиc зл счет различной величины )емиератури),!л; напряжений слоев, снимаются иослс искры !1!я моиокристаг)лическил(островков.

IIOC.1с СОШЛИфОВКИ СтруКтурЫ ИЕ ИМСЮт Иср1:оиячальиы. . 03npÿæñíné и связанного с иими искривления.

П р и ч е р. 113 подложку монокристаллического кремния с разделительными каиавками диаметром 30 лл, толщиной 400 лкл из кремJI«» марки )<,=)Ф 0,5-3Л наносят «лой двуокиси кремния толщиной 2 .икл, а попсрх

JICÃ0 — — С,)ОИ ВОЛИ КРИСТЯ I.lf(

В количестве )0 иггук г(омсися!От иа разогретую оправку со слоем воска моиокристалличсской частью Вииз. 1<, структурам через унP) Ã) J0 l1PoK.13;(кч nPnë 1(аlот РЯВ!!Ом«Р(10 Рясиределеииос Во площади усилие.

Величина xcflëèÿ для 13nnolo сл) чая

0,04 o,2 1 2060 о,25

Г1 р 0 к1 3;.1 K я j) я В! I О л! с р ио 11)) и ж и л! я с T ст j) ) к-! уры к оправке, nc,lonóñêàÿ л!ес! И(!к и рс грузок и разрушения структур. После в(я,1cPiK Кп В те Ic(J !le 5 I(t(l(. ОИРЯВ к) и:<«! Я)кдают, (1 структуры c))JIKcffp) IOT ВоскОм и<1 ОираВ(<е в заданном положении. Затем colffлифовывлют слой со стороны иоликристаллической части с целью создания иовер<иости иоликристаллического слоя, параллельной Iloncpx(!0сти моиокристаллического слоя и иовер<иости слоя диэлектрика, Далее структуры отклеивлют и наклеивают аиалогц<(иым сцособом noликристаллической част(Во вииз. Гс)0!! моиокристалла сиимают до !юявлеиия островков монокристалли .еского кремиия.

В связи с тем, что глубина разделитель5 и(,!к клиавок известия, легко получить задаииую глуоииу остап(ии.<ся элсчеитов, снимая исоб.;о..(имый слой после того, кяк только появляется верли!яя часть разделительной каn3lJKn. В резу«!ыга!е !юлучают структуры 0

10 вскрытыми островками монокристаллического крем!(ия ирактически иа )00",) площади.

Толщина Ac(àâ(nèxñÿ моиокрис гл«!. )Ическик островков )8+3 .икл. )То позволяет зиачительио увеличить В)!лод ио«(учеииыл; струк15 тур и повысить Вь(ко1 годиыл; иитегряльиь!)< сл;с м.

20 Способ вскрытия моиокриста«!лическил< островков кремния в струкгуре для интегряльи!!л: cxcм, иолучаемои после илие«синя

JI3 кремниевую л!оиокристя«!«!Ическу!о !юдложку с рельефом слоя диэлекгрика и иоли25 кристалла, л!ел:аии<(еской сои!лифовк(?й и иолировкой абразивными материалами слоя со стО)?Оиы л!Онокристял, !Ичес!<ОЙ Иод. (ожки до !

Н)ЯВЛЕИИЯ Л(ОИОКРИСТЯ«!«!Ис!ЕСКИК ОСТРОВКОВ кремния, отл!)<(аю(()(шся тем, Iто, с целью

З0 устранения искривления структуры, исред сошлифовкой ее выпрямляют равномерно рясиределсииым по площади у«илиеч, величииу которого определяют из сооп!ощеиия

) h -.1>

Ри=к 5

11е где P „— прилагаемое уси.ше, кг, K — геометрический ф 11

S площадь структуры, (.и, 40 () — то »I(III(3 моиокристлллической J(J?!(ложки, с.и;

h — толщина иоликрис галлического

С.1 О )1, Г,((;

0 — предел и ро (цости матс р ил 13 иод15) ложки ири рабочей темиерлтуре, кг(с.и-;

R — радиус структуры, (л)(.