Способ электролитического травления полупроводниковых германиевых р-п-р-структур

Способ электролитического травления полупроводниковых германиевых р-п-р-структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

с"А Я"-И

СПИ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

11Ц 392852

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) ЗаВИСИМОЕ От ear. СВН)1,ЕтeЛЬстВа (22) Заявлено 13.04.71 (21) 1642851/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.03.75. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 16,05.75 (51) М. Кл. Н Oll 7/52

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.382.002 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения В. П. Шаповалов, Г. В. Рябченко, В. А. Климов и E. С. Савчук (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕРМАНИЕВЫХ р — n — р-СТРУКТУР

Изобретение относится к электронной промышленности и может использоваться при производстве полупроводниковых транзисторов, изготавливаемых на основе монокристаллического германия п-типа.

Известные способы электролитического травления германиевых р — п — р-структур на основе германия п-типа предусматривают проведение процесса электролитического травления в щелочном или кислотном электролите при закорачивании эмиттерного

p — n-перехода, коллекторного р — и-перехода и базы с подачей на них положительного потенциала напряжения, или при закорачивании эмиттерного и коллекторного р — и-переходов с подачей на них положительного потенциала напряжения при оторванной базе, или при подаче íà p — п-переходы эмиттера и коллектора положительного потенциала напряжения и смещении базы более, положительным потенциалом напряжения по отношению к потенциалам на эмиттере и коллекторе, на электролит при этом подается общий отрицательный потенциал напряжения.

При осуществлении процесса электролитического травления такими способами неизбежно сильное расширение объемных зарядов эмиттерного и коллекторного р — п-переходов в область базы. Это приводит к отравливанию не столько рекристаллизованного р-слоя, сколько области п-базы, вследствие чего получается широкая (в сторону п-базы), неглубокая и неравномерная лунка травления. Последние обстоятельства отрицательно сказываются на уровне обратных токов эмиттер ного и коллектор ного р — п переходов, увеличивая их, и присущи известным способам электролитического травления германиевых p — n — р-структур.

I0 Предлагается способ электролитического травления германиевых р — п — р-структур, предусматривающий подачу на отравливаемый р — п-переход наведенного положительного потенциала напряжения через второй

15 р — n-переход транзисторной структуры. При этом р — n-переход, на который непосредстве1шо подают положительный потенциал напряжения, электроизолируют от среды электролита; на электролит пода1от отрицатель20 ный потенциал напряжения.

Такой способ способствует уменьшению уровня обратного тока эмиттерного и коллекторного р — n — ïåðåxîäoâ транзисторной структуры и соответственно повышению их высоко25 вольтности за счет отравливания преимущественно рекристаллизованного р-слоя р — п-переходов благодаря незначительному расширению объемных зарядов р — п-переходов в область базы при подаче на отравливаемый

30 р — n-переход наведенного положительного поПредмет изобретения

Составитель М. Сорокина

Техред Т. Миронова

Корректоры: А. Дзесова и Л. Царькова

Редактор С. Жиляева

Заказ 1428/11 Изд, Мз 500 Тираж 837 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 тенциала напряжения через второй р — n-переход транзисторной структуры.

Способ осуществляют следующим образом.

Отравливание коллекторного р — п-перехода проводят при подаче положительного потенциала напряжения на эмиттерный р — n-переход. При этом сам эмиттерный р — n-переход защищают любым известным способом от контакта с электролитом (например, лакировкой электроизолирующим лаком или механи- 10 ческой защитой диэлектрическим колпачком).

Отравливание эмиттер ного р — а-перехода осуществляют аналогично при подаче положительного потенциала напряжения на коллекторный р — и-переход с защитой его от кон- 15 такта с электролитом. На электролит подают отрицательный потенциал напряжения. Инжекция дырок в базу, необходимая для протекания электролитического травления, обеспечивается из р — n-перехода непосредственно 20 смещаемого положительным:потенциалом напряжения. Защита от контакта с электролитом р — n-перехода, на который непосредственно подают положительный потенциал напряжения, исключает нежелательное отрав- 25 ливание области и-базы вблизи этого р — и-перехода, обусловленное расширением объемного заряда и неизбежное при прямом смещении p — n-перехода.

Транзисторы, изготовленные с использованием для травления р — n-структур предлагаемого способа электролитического травления, имеют повышенное напряжение пробоя эмиттерного и коллекторного р — n-переходов, соответственно более низкие уровни обратных токов и повышенную стабильность этих, пара метров во времени за счет отравливания преимущественно только рекристаллизованного р-слоя эмиттерного и коллекторного р-п-переходов.

Способ электролитического травления полупроводниковых германиевых р — и — р-структур, например, на основе германия и-типа с подачей на отравливаемый р — а-переход наведенного положительного потенциала через второй р — n-переход транзисторной структуры и подачей на электролит отрицательного потенциала, отл и чаю щи йся тем, что, с целью преимущественного отравливания рекристаллизованного р-слоя, р — n-переход, на который непосредственно подают положительный потенциал, электроизолируют от среды электролита.