H01L3 - Основные элементы электрического оборудования
Подкатегории
- H01B1/14 - Кабели; проводники; изоляторы; выбор материалов для получения требуемых характеристик электрической проводимости, изоляции и диэлектрической постоянной (выбор материалов для получения магнитных свойств H01F 1/00; волноводы H01P; прокладка кабелей и проводка линий электропередачи или объединенных электрических и оптических кабелей или линий электропередачи H02G)
- H01C1/12 - Резисторы
- H01F31/02 - Магниты; индуктивности; трансформаторы; выбор материалов, обеспечивающих магнитные свойства (керамические составы на основе ферритов C04B 35/26; сплавы C22C; термомагнитные приборы H01L 37/00; громкоговорители, микрофоны, адаптеры или подобные акустические электромеханические преобразователи H04R)
- H01G1/10 - Конденсаторы; конденсаторы, выпрямители тока, детекторы, переключатели, светочувствительные или термочувствительные устройства электролитического типа (выбор специальных материалов в качестве диэлектриков H01B 3/00; конденсаторы с потенциальным барьером, на которых имеет место скачкообразное изменение потенциала, или с поверхностным барьером H01L 29/00)
- H01H89/00 - Электрические переключатели (выключатели); реле; селекторные устройства; устройства для защиты от аварий (контактные кабели H01B 7/10; резисторы для защиты от перенапряжений, резистивные разрядники H01C 7/12,H01C 8/04; электролитические автоматические прерыватели H01G 9/18; коммутирующие устройства типа волноводов H01P; устройства для прерывистого токосъема H01R 39/00; предохранители от перенапряжений с использованием искровых разрядников H01T 4/00; схемы аварийной защиты H02H; бесконтактная электронная коммутация H03K 17/00)
- H01J1/20 - Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы (искровые разрядники H01T; дуговые лампы с расходуемыми электродами H05B; ускорители элементарных частиц H05H)
- H01K - Электрические лампы накаливания (конструктивные элементы или устройства для изготовления как электронных и газоразрядных приборов, так и ламп накаливания H01J; источники света, в которых используется сочетание накаливания и других способов получения света H01J61/96,H05B35; электрические схемы для них H05B)
- H01M1 - Способы и устройства, например батареи, для непосредственного преобразования химической энергии в электрическую (электрохимические процессы и аппаратура вообще C25; полупроводниковые и другие приборы на твердом теле, предназначенные для преобразования световой или тепловой энергии в электрическую энергию H01L, например H01L 31/00,H01L 35/00,H01L 37/00)
- H01P1/12 - Волноводы; резонаторы, линии или другие устройства типа волноводов (работающие в оптическом диапазоне G02B; антенны H01Q; цепи, содержащие элементы с сосредоточенным полным сопротивлением H03H)
- H01Q - Антенны (сверхвысокочастотные излучатели для терапевтического лечения посредством воздействия полем A61N5/04; аппаратура для испытания антенн или для снятия характеристик антенн G01R; волноводы H01P; радиаторы и антенны для сверхвысокочастотного нагрева H05B6/72)
- H01R3 - Токопроводящие соединения; конструктивное соединение нескольких взаимно изолированных электрических соединительных элементов; соединительные устройства; токосъемники (выключатели, плавкие предохранители H01H; соединительные устройства типа волноводов H01P 5/00; переключатели для подвода или распределения электрической энергии H02B; прокладка электрических кабелей или линий, или комбинированных оптических и электрических кабелей или линий, или вспомогательной аппаратуры H02G; печатные элементы для обеспечения электрических соединений с печатными схемами или печатных схем между собой H05K)
- H01S2304/00 - Устройства со стимулированным излучением
- H01T3 - Искровые разрядники; предохранители от перенапряжений; свечи зажигания; устройства для получения коронного разряда; генерирование ионов для введения в незамкнутые газовые пространства (обработка металла воздействием электрического тока высокой плотности B23H; сварка, например дуговая, сварка с помощью электронного луча или электролитическая сварка B23K; газонаполненные разрядные приборы с твердыми катодами H01J 17/00; электрические дуговые лампы H05B 31/00)
- H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]
- H01L23/54 - Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле (H01L 25/00 имеет преимущество)
- H01L25 - Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле (приборы, состоящие из нескольких элементов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее H01L 27/00; блоки фотоэлектрических элементов H01L 31/042; генераторы с использованием солнечных элементов или солнечных батарей H02N 6/00; детали сложных блоков устройств, рассматриваемых в других подклассах, например детали блоков телевизионных приемников, см. соответствующие подклассы, например H04N; детали блоков из электрических элементов вообще H05K)
- H01L27 - Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (способы и аппаратура, предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, H01L 21/70,H01L 31/00-H01L 49/00; конструктивные элементы и особенности таких приборов H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 49/00; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, H01L 25/00; блоки, состоящие из нескольких электрических приборов, вообще H05K)
- H01L29/91 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы
- H01L31 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с
- H01L33 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)
- H01L35 - Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; холодильное оборудование, в котором используются электрические или магнитные эффекты, F25B 21/00; измерение температуры с использованием термоэлектрических и термомагнитных элементов G01K 7/00; получение энергии от радиоактивных источников G21H)
- H01L37 - Термоэлектрические приборы без перехода между различными материалами; термомагнитные приборы, например приборы, в которых используется эффект Нернста-Эттингсхаузена; способы и устройства для изготовления таких приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее H01L 27/00; измерение температуры с использованием термоэлектрических или термомагнитных элементов G01K 7/00; выбор материалов для магнитографии, например для записи точки Кюри G03G 5/00)
- H01L39 - Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее H01L 27/00; сверхпроводники, отличающиеся способом формования или составом керамики C04B 35/00; сверхпроводники, сверхпроводящие кабели или передающие линии H01B 12/00; сверхпроводящие катушки или обмотки H01F; усилители с использованием сверхпроводимости H03F 19/00)
- H01L41 - Пьезоэлектрические приборы вообще; электрострикционные приборы вообще; магнитострикционные приборы вообще; способы или устройства специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов и их частей; конструктивные элементы таких приборов (приборы, содержащие несколько компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00)
- H01L43 - Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, предназначенные специально для изготовления и обработки этих приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; приборы с поверхностным барьером или потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, управляемые изменением магнитного поля, H01L 29/82)
- H01L45 - Приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, предназначенные специально для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; приборы с использованием сверхпроводимости H01L 39/00; пьезоэлектрические элементы H01L 41/00; приборы с эффектом отрицательного объемного сопротивления H01L 47/00)
- H01L49 - Приборы на твердом теле, не предусмотренные в группах H01L 27/00-H01L 47/00 и не предусмотренные ни в одном другом подклассе; способы и устройства для изготовления таких приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее H01L 27/00)
- H01L51 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)
- H01L21/02 - изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей (отличающиеся использованием органических материалов H01L 51/40)
- H01L21/027 - образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам H01L 21/18 или H01L 21/34[5]
- H01L21/033 - с неорганическими слоями
- H01L21/04 - приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
- H01L21/06 - приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала
- H01L21/08 - подготовка пластины основания
- H01L21/10 - предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации
- H01L21/103 - придание селену или теллуру электропроводности
- H01L21/105 - обработка поверхности слоя селена или теллура после придания ему электропроводности
- H01L21/12 - наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания
- H01L21/14 - обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера
- H01L21/16 - приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди
- H01L21/18 - приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
- H01L21/20 - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
- H01L21/203 - физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием
- H01L21/205 - разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением
- H01L21/22 - диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси
- H01L21/223 - диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую
- H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя
- H01L21/24 - сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой
- H01L21/26 - воздействие волновым излучением или излучением частиц (тепловое излучение H01L 21/324)
- H01L21/261 - для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции
- H01L21/263 - с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество)
- H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)
- H01L21/266 - с использованием масок
- H01L21/268 - с использованием электромагнитного излучения, например лазерного
- H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268
- H01L21/283 - осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов
- H01L21/285 - из газа или пара, например способом конденсации
- H01L21/288 - из жидкости, например способом электролитического осаждения
- H01L21/30 - обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20- H01L 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах H01L 21/28)
- H01L21/301 - для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка H01L 21/304)
- H01L21/302 - для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка
- H01L21/304 - механическая обработка, например шлифование, полирование, резка
- H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)
- H01L21/3063 - электролитическое травление
- H01L21/308 - с использованием масок (H01L 21/3063,H01L 21/3065 имеют преимущество)
- H01L21/31 - с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L 21/28, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
- H01L21/3105 - последующая обработка
- H01L21/311 - травление
- H01L21/312 - из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/3105,H01L 21/32 имеют преимущество)
- H01L21/314 - из неорганических веществ (H01L 21/3105, H01L 21/32 имеют преимущество)
- H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов
- H01L21/32 - с использованием масок
- H01L21/3205 - осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои (устройства для проведения электрического тока внутри прибора H01L 23/52); последующая обработка этих слоев (изготовление электродов H01L 21/28)
- H01L21/321 - последующая обработка
- H01L21/3213 - физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности
- H01L21/322 - для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки
- H01L21/324 - термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (H01L 21/20-H01L 21/288 и H01L 21/302- H01L 21/322 имеют преимущество)
- H01L21/326 - применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L 21/20-H01L 21/288 и H01L 21/302-H01L 21/324 имеют преимущество)
- H01L21/329 - приборов, имеющих один или два электрода, например диодов
- H01L21/33 - приборов, имеющих три или более электродов
- H01L21/334 - многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
- H01L21/34 - изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18[2]
- H01L21/36 - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
- H01L21/363 - с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления
- H01L21/365 - с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение
- H01L21/368 - с использованием жидкостного осаждения
- H01L21/38 - диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями
- H01L21/383 - диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия
- H01L21/385 - диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою
- H01L21/40 - сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой
- H01L21/42 - воздействие излучением
- H01L21/428 - с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение
- H01L21/443 - из газа или пара, например конденсацией
- H01L21/447 - с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия (H01L 21/607 имеет преимущество)
- H01L21/46 - обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L 21/36-H01L 21/428 (изготовление электродов на них H01L 21/44)
- H01L21/461 - для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой
- H01L21/463 - обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком
- H01L21/465 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя H01L 21/469)
- H01L21/469 - для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (слоев, образующих электроды H01L 21/44, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев
- H01L21/47 - из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/475,H01L 21/4757 имеют преимущество)
- H01L21/471 - из неорганических веществ (H01L 21/475, H01L 21/4757 имеют преимущество)
- H01L21/473 - состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла
- H01L21/477 - термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием (H01L 21/36-H01L 21/449 и H01L 21/461-H01L 21/475 имеют преимущество)
- H01L21/479 - обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L 21/36-H01L 21/449 и H01L 21/461- H01L 21/477 имеют преимущество)
- H01L21/48 - изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06-H01L 21/326 (корпуса, герметизирующие оболочки, заполнение, монтаж как таковые H01L 23/00)
- H01L21/50 - сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06- H01L 21/326
- H01L21/52 - монтаж полупроводниковой подложки в корпусе
- H01L21/54 - заполнение корпуса, например газом
- H01L21/56 - герметизация, например пленками или покрытиями
- H01L21/60 - присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора
- H01L21/603 - с использованием давления, например соединение тепловым сжатием (H01L 21/607 имеет преимущество)
- H01L21/607 - с использованием механических колебаний, например ультразвуковых колебаний
- H01L21/64 - изготовление или обработка неполупроводниковых приборов на твердом теле, кроме приборов, предусмотренных в группах H01L 31/00-H01L 49/00
- H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)
- H01L21/68 - аппаратура для крепления или установки компонентов во время изготовления, например зажимные приспособления, шаблоны, калибры
- H01L21/70 - изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов, H05K 3/00,H05K 13/00)
- H01L21/761 - p-n переходов
- H01L21/762 - диэлектрических областей
- H01L21/763 - поликристаллических полупроводниковых областей
- H01L21/764 - воздушных зазоров
- H01L21/768 - с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора
- H01L21/77 - изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
- H01L21/78 - с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,H01L 21/304)
- H01L21/782 - для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента (H01L 21/82 имеет преимущество)
- H01L21/784 - на подложке из полупроводникового материала
- H01L21/786 - на подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих
- H01L21/82 - для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
- H01L21/8222 - технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах
- H01L21/8228 - комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы
- H01L21/8229 - структуры памяти
- H01L21/8236 - комбинация обеднения или обогащения транзисторов
- H01L21/8239 - структуры памяти
- H01L21/8242 - динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ)
- H01L21/8246 - структуры памяти только считывающие (ПЗУ)
- H01L21/8247 - электрически программируемые (СПЗУ)
- H01L21/8248 - комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах
- H01L21/8258 - на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L 21/822,H01L 21/8252, H01L 21/8254 или H01L 21/8256
- H01L21/84 - на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика
- H01L21/86 - с диэлектриком из сапфира, например структуры кремний на сапфире
- H01L21/98 - сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем (H01L 21/50 имеет преимущество; блоки приборов H01L 25/00)
- H01L23/02 - корпусы, уплотнения (H01L 23/12,H01L 23/34,H01L 23/48,H01L 23/552 имеют преимущество)
- H01L23/04 - отличающиеся формой
- H01L23/043 - с полой конструкцией и электропроводным основанием, служащим креплением и выводом для полупроводниковой подложки
- H01L23/045 - остальные выводы проложены через отверстия в основании и изолированы от него
- H01L23/047 - остальные выводы параллельны основанию
- H01L23/051 - другой вывод служит крышкой, параллельной основанию, например структура типа "сэндвич"
- H01L23/055 - с выводами, проходящими через отверстия в основании
- H01L23/057 - с выводами, параллельными основанию
- H01L23/06 - отличающиеся материалом корпуса или его электрическими параметрами
- H01L23/08 - материалом, являющимся электрическим изолятором, например стеклом
- H01L23/10 - отличающиеся материалом или расположением уплотнений между частями прибора, например между крышкой и основанием корпуса или между выводами и стенками корпуса
- H01L23/12 - крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки
- H01L23/13 - отличающиеся формой
- H01L23/14 - отличающиеся материалом или его электрическими параметрами
- H01L23/15 - керамические или стеклянные подложки
- H01L23/16 - заполнители или вспомогательные элементы для корпусов, например центрирующие кольца (H01L 23/42, H01L 23/552 имеют преимущество)
- H01L23/18 - отличающиеся материалом, его физическими или химическими свойствами, или расположением внутри собранного прибора
- H01L23/22 - жидкостные при нормальной рабочей температуре прибора
- H01L23/24 - твердые или студнеобразные при нормальной рабочей температуре прибора
- H01L23/26 - содержащие материалы для абсорбирования или химического связывания влаги или других нежелательных веществ
- H01L23/29 - отличающиеся материалом
- H01L23/31 - отличающиеся расположением
- H01L23/32 - держатели для крепления готовых приборов в процессе работы, т.е. съемные фиксаторы (H01L 23/40 имеет преимущество; соединители вообще H01R; для печатных схем H05K)
- H01L23/34 - приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
- H01L23/36 - выбор материалов или специальной формы для облегчения охлаждения или нагрева, например устройства для отвода тепла
- H01L23/367 - охлаждение, обусловленное формой прибора
- H01L23/373 - охлаждение, обусловленное подбором материалов для прибора
- H01L23/38 - охладительные устройства с использованием эффекта Пельтье
- H01L23/433 - вспомогательные детали, отличающиеся формой, например поршни
- H01L23/46 - с отводом тепла посредством потока жидкости или газа (H01L 23/42,H01L 23/44 имеют преимущество)
- H01L23/467 - потока газа, например воздуха
- H01L23/473 - потока жидкости
- H01L23/48 - приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы (проводники вообще H01R)
- H01L23/482 - состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой
- H01L23/485 - имеющие вид слоистых структур, содержащих электропроводные и изоляционные слои, например плоскостные контакты
- H01L23/49 - с использованием проволоки
- H01L23/492 - с использованием подложек или плат
- H01L23/495 - с использованием выводных рамок
- H01L23/498 - с использованием выводов на диэлектрических подложках
- H01L23/50 - для интегральных схем (H01L 23/482-H01L 23/498 имеют преимущество)
- H01L23/52 - электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы
- H01L23/522 - включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке
- H01L23/525 - с приспосабливаемыми межсоединениями
- H01L23/535 - включающие в себя внутренние межсоединения, например, с перекрещиванием межсоединений
- H01L23/538 - структура соединений между несколькими полупроводниковыми кристаллами, сформированными на или в изоляционной подложке (крепления H01L 23/12)
- H01L23/544 - метки, наносимые на полупроводниковые приборы, например регистрационные метки, контрольные рисунки
- H01L23/552 - защита от излучений, например света
- H01L23/58 - структурные электрические схемы для полупроводниковых приборов, не предусмотренные в других группах
- H01L23/60 - защита от электростатических зарядов или разрядов, например экраны Фарадея (вообще H05F)
- H01L23/66 - для работы на высоких частотах
- H01L25/03 - блоки, в которых все приборы отнесены к типам, предусмотренным в группах H01L 27/00-H01L 49/00, например блоки выпрямляющих диодов
- H01L25/04 - блоки приборов, не имеющих отдельных корпусов
- H01L25/065 - отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L 27/00
- H01L25/07 - отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L 29/00
- H01L25/075 - отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L 33/00
- H01L25/10 - блоки приборов с отдельными корпусами
- H01L25/11 - отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L 29/00
- H01L25/13 - отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L 33/00
- H01L25/18 - блоки, в которых все используемые приборы относятся к типам, предусмотренным в двух или более различных рубриках одной из основных групп H01L 27/00- H01L 49/00
- H01L27/02 - содержащие полупроводниковые компоненты, предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления, переключения, или содержащие элементы на пассивных интегральных схемах, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер
- H01L27/04 - с подложкой из полупроводника
- H01L27/06 - содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется
- H01L27/088 - полевые транзисторы с изолированным затвором
- H01L27/092 - комплементарные полевые МДП-транзисторы
- H01L27/095 - полевые транзисторы с затвором Шотки
- H01L27/105 - компоненты с полевым эффектом
- H01L27/108 - структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой
- H01L27/11 - структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой
- H01L27/115 - электрически программируемые постоянные запоминающие устройства
- H01L27/118 - интегральные схемы на основе базового кристалла
- H01L27/12 - с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика
- H01L27/13 - комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами
- H01L27/14 - содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и предназначенные для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию или для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42)
- H01L27/148 - формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью
- H01L27/15 - с полупроводниковыми компонентами, предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер
- H01L27/16 - содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле H01L 23/38)
- H01L27/22 - содержащие компоненты, в которых применяются гальваномагнитные эффекты, например эффект Холла; в которых используются другие аналогичные эффекты магнитного поля
- H01L29/02 - полупроводниковые подложки
- H01L29/06 - отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
- H01L29/08 - с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами
- H01L29/12 - отличающиеся материалами, из которых они образованы
- H01L29/16 - содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде
- H01L29/18 - только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей
- H01L29/20 - содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIIBV
- H01L29/26 - содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в H01L 29/16,H01L 29/18,H01L 29/20,H01L 29/22 и H01L 29/24
- H01L29/30 - отличающиеся физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность
- H01L29/32 - с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки
- H01L29/36 - отличающиеся концентрацией или распределением примесей
- H01L29/43 - отличающиеся материалами, из которых они сформированы
- H01L29/49 - электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник)
- H01L29/66 - типы полупроводниковых приборов
- H01L29/68 - управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток (H01L 29/96 имеет преимущество)
- H01L29/70 - биполярные приборы
- H01L29/737 - гетеротранзисторы
- H01L29/739 - управляемые полевым эффектом
- H01L29/74 - приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией
- H01L29/744 - с выключением приборов по управляющему электроду
- H01L29/745 - с выключением с помощью полевого эффекта
- H01L29/747 - двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры)
- H01L29/76 - униполярные приборы
- H01L29/772 - полевые транзисторы
- H01L29/775 - с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор
- H01L29/778 - с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов)
- H01L29/78 - с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
- H01L29/786 - тонкопленочные транзисторы
- H01L29/788 - с плавающим затвором
- H01L29/82 - управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору (H01L 29/96 имеет преимущество)
- H01L29/8605 - плоскостные резисторы с p-n-переходом
- H01L29/861 - диоды
- H01L29/864 - инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды
- H01L29/866 - диоды Зеннера
- H01L29/868 - p-i-n диоды
- H01L29/872 - диоды Шотки
- H01L29/88 - туннельные диоды
- H01L29/93 - диоды с регулируемой емкостью, например варакторы
- H01L29/94 - конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой
- H01L29/96 - типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик H01L 29/68,H01L 29/82,H01L 29/84 или H01L 29/86
- H01L31/02 - конструктивные элементы
- H01L31/0216 - покрытия
- H01L31/0224 - электроды
- H01L31/0232 - оптические элементы или приспособления, связанные с прибором
- H01L31/0236 - специальные поверхностные рельефы
- H01L31/024 - приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
- H01L31/0256 - отличающиеся материалом кристалла
- H01L31/0272 - использованием селена или теллура
- H01L31/028 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы
- H01L31/0296 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe
- H01L31/0304 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV
- H01L31/0312 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC
- H01L31/032 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках H01L 31/0272-H01L 31/0312
- H01L31/0328 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках H01L 31/0272- H01L 31/032
- H01L31/0352 - отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
- H01L31/0376 - содержащие аморфные полупроводники (H01L 31/0392 имеет преимущество)
- H01L31/0392 - содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки
- H01L31/04 - предназначенные для работы в качестве преобразователей
- H01L31/042 - содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов
- H01L31/045 - складные
- H01L31/048 - герметизированные бескорпусные или с корпусом
- H01L31/05 - отличающиеся специальными межсоединениями
- H01L31/052 - с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами
- H01L31/055 - в которых световое излучение поглощается и вторично излучается с отличной длиной волны при помощи концентратора, например с использованием люминесцентных материалов
- H01L31/058 - содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии (использующие солнечное тепло вообще F24J 2/00)
- H01L31/06 - отличающиеся по меньшей мере одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером
- H01L31/068 - с потенциальными барьерами только в виде гомоструктурного p-n-перехода
- H01L31/072 - с потенциальными барьерами только в виде p-n-гетероперехода
- H01L31/075 - с потенциальными барьерами только p-i-n-типа
- H01L31/078 - содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик H01L 31/062-H01L 31/075
- H01L31/08 - в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы
- H01L31/10 - отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы
- H01L31/102 - отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера
- H01L31/105 - с потенциальным барьером p-i-n-типа
- H01L31/109 - с потенциальным барьером в виде p-n-гетероперехода
- H01L31/11 - отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы
- H01L31/111 - отличающиеся наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры
- H01L31/112 - отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы
- H01L31/113 - со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник
- H01L31/115 - приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению
- H01L31/117 - детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом
- H01L31/119 - отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник
- H01L31/12 - связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, приспособленные для излучения света H01L 33/00; электролюминесцентные элементы и фотоэлементы H03F 17/00; электролюминесцентные источники света как таковые H05B 33/00)
- H01L31/14 - с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения
- H01L31/16 - с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света
- H01L31/18 - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)
- H01L35/02 - конструктивные элементы
- H01L35/04 - конструктивные элементы переходов; присоединение выводов
- H01L35/06 - съемные элементы, например с использованием пружины
- H01L35/08 - несъемные, например склеенные, спеченные, припаянные
- H01L35/10 - присоединение выводов
- H01L35/12 - выбор материалов для плеч перехода
- H01L35/14 - с использованием составов из неорганических веществ
- H01L35/16 - содержащих теллур, селен или серу
- H01L35/18 - содержащих мышьяк, сурьму или висмут (H01L 35/16 имеет преимущество)
- H01L35/20 - содержащих только металлы (H01L 35/16,H01L 35/18 имеют преимущество)
- H01L35/22 - содержащих соединения из бора, углерода, кислорода или азота
- H01L35/24 - с использованием составов из органических веществ
- H01L35/26 - с использованием непрерывно или ступенчато изменяемых составов внутри материала
- H01L35/28 - основанные только на эффектах Пельтье или Зеебека
- H01L35/30 - отличающиеся средствами теплообмена в переходе
- H01L35/32 - отличающиеся конструкцией или конфигурацией термоэлемента или термопары, образующей прибор
- H01L35/34 - способы и устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)
- H01L37/02 - с использованием температурных изменений диэлектрической постоянной, например приборы, работающие выше и ниже точки Кюри
- H01L37/04 - с использованием температурных изменений магнитной проницаемости, например приборы, работающие выше и ниже точки Кюри
- H01L39/02 - конструктивные элементы
- H01L39/04 - корпусы; крепления
- H01L39/10 - отличающиеся приспособлениями для переключения
- H01L39/12 - отличающиеся материалом
- H01L39/16 - приборы с переключением из сверхпроводящего состояния в нормальное состояние или наоборот
- H01L39/18 - криотроны
- H01L39/22 - приборы с переходом между различными материалами, например приборы с использованием эффекта Джозефсона
- H01L39/24 - способы и устройства для изготовления или обработки предусмотренных в H01L 39/00 приборов или их частей (не предназначенные специально для этой цели H01L 21/00; магнитное разделение сверхпроводящих материалов от других материалов, например с использованием эффекта Мейснера, B03C 1/00)[2]
- H01L41/02 - конструктивные элементы
- H01L41/04 - пьезоэлектрических или электрострикционных приборов
- H01L41/047 - электроды
- H01L41/053 - держатели, опоры, оболочки или кожухи
- H01L41/06 - магнитострикционных элементов
- H01L41/08 - пьезоэлектрические или электрострикционные приборы
- H01L41/083 - представляющие собой наборную или многослойную конструкцию (структуру)
- H01L41/09 - с электрическим вводом и механическим выводом
- H01L41/107 - с электрическим вводом и электрическим выводом
- H01L41/113 - с механическим вводом и электрическим выводом
- H01L41/12 - магнитострикционные приборы
- H01L41/16 - выбор материалов
- H01L41/18 - для пьезоэлектрических или электрострикционных приборов
- H01L41/187 - керамические составы
- H01L41/193 - высокомолекулярные составы
- H01L41/20 - для магнитострикционных приборов
- H01L41/22 - способы или устройства для изготовления или обработки этих приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)
- H01L41/24 - элементов с керамическими составами
- H01L43/02 - конструктивные элементы
- H01L43/04 - приборов с использованием эффекта Холла
- H01L43/06 - приборы с использованием эффекта Холла
- H01L43/08 - резисторы, управляемые магнитным полем
- H01L43/10 - выбор материалов
- H01L43/12 - способы или устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)
- H01L45/02 - приборы с бегущей волной
- H01L49/02 - тонкопленочные или толстопленочные приборы
- H01L51/10 - конструктивные элементы приборов
- H01L51/20 - приборы
- H01L51/40 - способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки приборов или их частей
Патенты категории
