Способ термообработки фоторезистивных покрытий

Способ термообработки фоторезистивных покрытий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 439037

Союз Советский

Социалистимеских

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 15.12.72 (21) 1857480/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет (51) М. Кл. H 011 7/64

Государственный комитет

Совета Министров СССГ по делам изобретений и открытий

Опубликовано 05.08.74. Бюллетень № 29 (53) УДК 621.382(088.8) Дата опубликования описания 29.01.75!

В. Н. Гончаров и Ю. В. Большаков с;",1."

1 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ

ПОКРЫТИЙ

Изобретение от носится к ра диоэлектронике, в частности к способам фотолитографии при производстве полупроводниковых приборов.

Способы те рмоо бработки фоторезистивных покрытий с помощью инфракрасного (ИК) излучения известны. Применения ИК вЂ” излучения позволило значительно сократить время тврмообработки,по сравнению с применявшимися способами KQIHtBBKTHBHQI нагрева,,но не избавило от второй термообработки перед травлением. Полученное покрытие по качеству ничем не отличалось от покрытий,,получе нных с помощью известных ранее способов термообработки.

Целью изобретения является повышение качества обработки.

Поставленная цель достигается тем, что пластину с двух сторон облучают ИК вЂ” излучением, причем со стороны, свободной от покрытия, воздействуют излучением, максимум

HIHTBHcHBHocTH KoToipото приходится на длины волн в области 0,8 — 3 мкм, а со стороны нанесенного покрытия — излучением с максимумом в области 4 — 8 мкм.

П р и м ер. На окисленные кремниевые или металлизированные ситалловые подложечки Баносят фоторезистивное покрытие толщиной

0,8 —:1,5 мкм. Для проведения термообработки подложки укладывают на проволочный конвейер и в течение 30 — 60 се к,перемещают сквозь термическую камеру, где в обычной атмосфере они подввргаются обработке ИК— лучами. П ри этом излучение с максимумом интенсивности в области длин волн 0,8—

5 3 мкм направляют на сторону изделия, свобо д ную от .покрытия, а с максимумом интенсивности в области длин волн 4 — 8 мкм —:на сторону с покрытием. Затем производится экспонирование. Дальнейшие операции фо10 толитографии, а именно проявление и травление, проводятся без дополнительной тремообработки. Благодаря предлагаемому способу термооб работки стойкость к обычно применяемым в фотолитографии слабым щелочным

15 растворам увеличивается в 6 — 10 раз, а к кислотным растворам — в 2 — 5.

Описанный способ обработки позволяет ,полностью автоматизировать о пер ацию и обеспечить большую однородность обработки

20 .пл астин.

Предмет изобретения

Способ термообработки фоторезистивных покрытий на тонких пластинах посредством

25 воздействия и нф ракрасного излучения, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью, повышения качества обработки, .пластину с двух сторон облучают ИК вЂ” излучением, причем со свободной от покрытия стороны воздействуют

30 излучением, ма ксимум интенсивности которо439037

Составитель Э. Никифоров

Корректор Т. Гревцова

Техред 3. Тараненко

Редактор Н. Вирко

Заказ 3710/14 Изд. № 122 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 го приходится на длины волн в области 0,8—

3 мкм, а со стороны нанесен ното покрытия— излучением с макснмумом в области 4—

8 мкм.