Полупроводниковое устройство

Полупроводниковое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(ii) 4Ю708

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 21.10.71 (21) 1707189/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет—

Опубликовано 05.01.75. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 24.03.75 (51) М. Кл. Н 01115/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.383.52 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Б. T Коломиец, Г. A. Андреева, Э. А. Лебедев, И. А. Таксами и В. Х, Шпунт

Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Предмет изобретения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к полупроводниковым фотоэлектрическим приборам.

Известны полупроводниковые приборы, содержащие фоточувствительный слой и слой халькогенидного стекла, при этом характеристиками прибора управляют с помощью электромагнитного излучения.

С целью обеспечения униполярной проводимости и возможности управления коэффициентом выпрямления интенсивностью падающего света в предложенном устройстве слоем халькогенидного стекла покрыта часть поверхности фоточувствительного слоя, при этом сопротивление слоя халькогенидного стекла того же порядка, что сопротивление фотослоя при освещении, но значительно меньше сопротивления переходного слоя, образованного на границе указанных слоев.

На чертеже показано предложенное устройство.

На изолирующей подложке 1 расположен слой 2 фоточувствительного полупроводника, например CdS, на который нанесен металлический электрод 3 и слой 4 халькогенидного текла. В качестве халькогенидного может быть использовано любое стекло из тех, которые применяются для создания переключателей (витродов). Электрод 5 к слою халькогенидного стекла может быть выполнен из материалов, которые применяются для изготовления переключателей — графита, молибдена, вольфрама и т. д. Устройство может иметь дискретное или матричное исполнение, 5 Единичный элемент с площадью электрода к слою халькогенидного стекла 2 10 — сьев в темноте обладает симметричной вольтамперной характеристикой и сопротивлением порядка нескольких мегом. Под действием света

10 устройство приобретает униполярную проводимость, т. е. вольтамперная характеристика становится несив1метричной.

Характерной особенностью устройства является то, что его коэффициент выпрямления

15 зависит от интенсивности света, увеличиваясь с повышением освещенности. При освещенности 100 лк коэффициент выпрямления может быть равен 40, а при освещенности 150 лк достигает 65.

20 Помимо освещенности, коэффициентом выпрямления и величиной «выпрямленного» тока можно управлять, изменяя площадь и конфигурацию как фотослоя, так и слоя халько. генидного стекла.

Полупроводниковое устройство, содержащее фоточувствительный слой, например CdS, и

30 расположенный на нем слой халькогенидного

410708

Составитель Г. Корнилова

Редактор Т. Орловская Техред А. Камышникова Корректор И. Позняковская

Заказ 613)8 Изд № 366 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4i5

Типография, пр. Сапунова, 2 стекла, отличающееся тем, что, с целью обеспечения униполярной проводимости при освещении и возможности управления коэффициентом выпрямления интенсивностью падающего света, слой халькогенидного стекла занимает часть поверхности фоточувствительного слоя и имеет сопротивление того же порядка, что сопротивление фотослоя при освещении, но значительно меньше сопротивления

5 переходного слоя.