Способ легирования полупроводникового соединения

Способ легирования полупроводникового соединения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (и) 437153

ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Cesemw

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 23.02.73 (21) 1912389/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.07.74. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 31.12.74 (51) М. Кл. H Oll 7/54

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382.002 (088.8) (72) Авторы изобретения

Н. В. Агринская, Е. H. Аркадьева, М. И. Гусева, О. А. Матвеев и В. А. Сладкова

Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

СО ЕД И Н Е Н И Я

Изобретение относится к ионно-лучевой технологии электронных приборов на основе полупроводниковых соединений и может быть использовано для сильного легирования соединения (концентрация носителей ) 10"—

10» см — з)

Известен способ сильного легирования полупроводниковых материалов путем облучения их ионами примеси от ускорителя заряженных частиц с последующим отжигом, заключающийся в том, что облучаемый слой переводят в аморфное состояние путем дополнительной бомбардировки ионами инертного газа или снижением температуры кристалла до температуры жидкого азота и затем проводят рекристаллизацию разрушенного слоя путем последующей термообработки.

Однако такой способ неэффективен в случае полупроводниковых соединений, например

А2В 6.

Цель изобретения — увеличение электрической активности легирующей примеси, введенной при ионном внедрении в полупроводниковое соединение, например А2В6.

Это достигается тем, что после облучения полупроводникового материала ионами примеси в ускорителе образец перед отжигом дополнительно облучают ионами наиболее летучего элемента основного вещества. Для оптимального увеличения концентрации электрически активных примесей ионы наиболее летучего элемента основного вещества вводят в количестве, соответствующем концентрации внедренной примеси. При этом независимо от того, аморфизируется облучаемый слой или нет, после отжига кристалла достигается высокая концентрация электрически активных примесей.

B процессе отжига происходит активное расположение легирующей примеси и снижение

10 концентрации радиационных дефектов, которые залечиваются как в результате самого процесса отжига, так и благодаря дополнительному введению наиболее летучего элемента основного вещества.

15 При осуществлении предложенного способа проводят легирование образца CdTe, для которого упругость пара Cd существенно (приблизительно в 10 раз) превышает упругость пара Те. Для того, чтобы обеспечить сильное

20 легирование на тащем материале, образец теллурида кадмия помещают в ускоритель заряженных частиц и облучают вначале ионами мышьяка в количестве 6 10 4 ион/см, а затем ионами кадмия в количестве 6 10 4 ион/см .

25 Энергия ионов 40 кэв. После этого образец помещают в эвакуированную кварцевую ампулу и проводят отжиг в однотемпературной печи при 600 С в течение 10 мин. При этом происходит отжиг радиационных дефектов, активное расположение мышьяка в узлах теллура и «залечивание» избыточных вакансий

437153

Предмет изобретения

Составитель М. Лепешкина

Редактор Т. Загребельная Техред 3. Тараненко Корректор Т. Хворова

Заказ 3447718 Изд. № 116 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 кадмия дополнительно введенным кадмием.

В результате этих операций атомы мышьяка становятся электрически активными, а компенсирующее действие собственных дефектов решетки снимается «залечиванием» вакансий кадмием.

Результаты опытной проверки показывают, что удельное сопротивление образца, легированного по предлагаемому способу, уменьшается в 100 раз по сравнению с легированием только ионами мышьяка без дополнительного облучения ионами кадмия.

Способ легирования полупроводникового соединения путем внедрения ионов легирующей и дополнительной примесей и высокотемпературного отжига, отличающийся тем, что, с целью увеличения электрической активности легирующей примеси, в качестве дополнительной примеси внедряют ионы наиболее

10 летучего компонента соединения в количестве, равном количеству внедренной легирующей примеси,