H01L21/314 - из неорганических веществ (H01L 21/3105, H01L 21/32 имеют преимущество)

Способ обработки поверхности полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.

221176

Способ получения защитного диэлектрического покрытия на поверхности германия

ОЛИСАНИ1с ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик Ц дЩРР Ц ЩУ ЩЦДЕТЕЛЬС18> Зависимое от авт. свидетельства М Заявлено 23.И.1971 (№ 1672236/26-25) с присоединением заявки МвЂ” М.Кл. Н 011 7/36 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий ПриоритетвЂ” Опубл икова но 23Х.1973. Дата опубликования описания 3.Х.I!,173 Л. Л. Василь...

384162

Способ получения структуры диэлектрик—кремний

42М Щам Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 16.08.71 (21) 1689331/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (32) ПриоритетвЂ” Опубликовано 15,05.74. Бюллетень ¹ 18 Дата опубликования описания 24.04.75 (51) Ч. Кл. Н 01/ 7/36 Гасударственный камитет .Савета Министров СССР...

428484

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей, содержащий тетраэтоксисилан, воду и концентрированную соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества защиты от диффузии примесей III и V групп и защиты от диффузии щелочных металлов, он содержит пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония при следующем соотношении компонентов, мас....

1115631

Способ защиты полупроводниковых приборов

(19)SU(11)1132732(13)A1(51) МПК 6 H01L21/314(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении которых неизбежен или необходим нагрев н...

1132732

Способ изготовления мноп-структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОПСТРУКТУР . включающий химическую обработку полупроводниковой подложки, промывку ее в деиониэованной воде, последовательное формирование в реакторе слоИзобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления структур, применяемых при изготовлении МНОП-транзисторов в дискретном или интегральном исполнении. Структуры кремний-двуокись...

1160891

Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формиро...

1176782

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 -...

1387797

H01L21/314 - из неорганических веществ (H01L 21/3105, H01L 21/32 имеют преимущество)

Патенты в этой категории