H01L23/48 - приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы (проводники вообще H01R)

Патент ссср 232388

232388 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик фоосоюг - " етех.тпсЗависимое от авт. свидетельства М Заявлено 14.IV.1967 (№ 1153776/26-25) Кл. 21g, 11/02 с присоединением заявки Хо Приоритет МПК H 01l УДК 621.3.032(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Сонете Министров СССР Опубликовано 11.Х11.1968. Бюллетень ¹ 1 за 1969 г. Дата...

232388

Полупроводниковый силовой прибор

Союз Советских :.Социалистических Реслублик О П И С А Н И Е (1)№28№83 ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 12.07.71 (21) 1679613/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (32) Пр иоритетвЂ” Опубликова но 15.05.74. Бюллетень № 18 Дата опубликования описания 02.01.75 (51) М.Кл. Н 011 1/06 1асударственный комитет Совета Мии...

428483

Силовой полупроводниковый прибор

i ц 68297I Союз Советских Социалистических Республик 1 фт ф > XIV (51) М. К.. Н 01L 23/48 Государственный комитет (53) УДК 621.382 (088.8) па делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения М. И. Абрамович, В. Е. Либер и А. А. Сакович (71) Заявитель (54) СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники. Решение проблемы...

682971

Биметаллический элемент

ОП ИСАНИЕ ИЗО6РЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсккк Социалистически к Реслублик /»i832626 (61) Дополнительное к а вт. св ид- вувЂ” (22) Заявлено 25.01.79 (21) 2717641/18-21 (51) М. Кл.з с присоединением заявки №вЂ” Н 01.L 23/48 Гееударстееенмй кемктет (23) ПриоритетвЂ” (53) УДК 621.315. 5 (088.8) Опубликовано 23.05.81. Бюллетень № 19 Дата опубликования описан...

832626

Устройство для закрепления

Союз Советсиих Социалистических Респубиии < ц 1 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к ввт. свид-ву (22) Заявлено 23.04.81.{2l ) 3277212/18 21 с присоединением заявки М (23) Приоритет (51)N. Кл. Н 01 I» 23/48 3Ъаударстнснный коинтвт СССР но денни нмбретеннй.н рткрытнй Опубликовано 23,01.83. Бюллетень % 3 ($3) УДК 621.382 { 088.8} Дата опубликования описания 2ХМ.М,...

991534

Силовой полупроводниковый прибор

1.СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, содержапщй корпус, заполненный жидкой охлаждающей средой, кремниевую пластину с высокотемпературным р - п-переходом, установленную в изоляционных держателях и погруженную в жидкую охлаждающую среду,, отличающийся тем, что, с целью повьппения эффективности охлаждения и увеличения мощности прибора, держатели выполнены из эластичного материала, кр...

1138961

Устройство для крепления полупроводникового прибора

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА преимущественно стержневого типа с профилированной установочной поверхностью , содержащее теплопроводное основание с монтажной поверхностью для установки полупроводникового прибора и соединенную с теплопроводным основанием втулку , в цилиндрическом отверстии которой размещен узел захвата полупроводникового прибора с приводом,...

1167675

Полупроводниковый свч диод

Полупроводниковый СВЧ диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих часто пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с...

1178272

Кристаллодержатель свч

КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЬ СВЧ, со держащий металлическое основание, изолятор, первую контактную площадк которая размещена на изоляторе и к которой подключен первый внешний. вывод, второй внешний вывод и кристалл , исток которого соединен с металлическим основанием, а затвор соединен с первой контактной -площадкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения широкополосности, в металлическ...

1188810

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванич...

1274560

Способ герметизации микросхем пресс-композицией

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводниковых интегральных микросхем пресс-композиций. Целью изобретения является увеличение выхода годных за счет уменьшения вероятности замыкания проволочных выводов на край полупроводникового кристалла и повышения надежности микросхем за счет снижения теплового сопротивления кристалл-корпус микро...

1498324

Радиоэлектронный блок

Изобретение относится к электронике. Цель изобретения повышение плотности компоновки радиоэлектронного блока (РЭБ). Она достигается тем, что РЭБ имеет дополнительные матрицы электрически изолированных между собой внешних выводов 10, установленных на крышке герметичного теплоотводящего корпуса, и теплоотводы 11, перпендикулярные поверхности крышки и контактирующие с микроплатами и крышкой...

1588262

Полупроводниковый прибор

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 L 23/34, 23/48 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ I с К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 4423938/21 (22) 12.05.88 (46) 23.04.91. Бюл. № !5 (71) Казанский авиационный институт им. А. Н. Туполева (72) А. А. Мальцев и И. Х. Исхаков (53) 621.396.67.7 (088.8) (56) Заявка Япони...

1644258

Способ присоединения золотой проволоки к тонкой алюминиевой пленке, нанесенной на кремниевую подложку

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при сборке полупроводниковых приборов Цель изобретения - повышение выхода годных Способ заключается в том, что кремниевую подложку с нанесенной алюминиевой пленкой толщиной 80-100 нм разогревают до 320°С. В разогретой до 320°С термопластичный компаунд сульфарил окунают конец золотой проволоки ди...

1691909

Способ изготовления металлокерамического корпуса для интегральной микросхемы

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - упрощение способа, повышение коррозионной стойкости корпуса. Сущность способа заключается в том, что на одну сторону полосы ковара толщиной 150 мкм холодной прокаткой наносят слой никеля толщиной 20 мкм, из полосы вырубают выводную рамку, затем на металлизированные площадки корпуса помещают мед...

1716925

Микросхема

союз соВетских СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Ф . :- 7, ГОСУЯАРСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4874484/21 (22) 23.08.90 (46) 23.07.92. Бюл. М 27 (75) В.А.Сидоров и У.К.Соха (56) Патент США % 3696294, кл. 324-105, 324-166, 1972. Радиодетали и радиокомпоненты. 1974, вып. 5 (24), с. 56 вЂ” 58. Пат...

1749954

Способ изготовления межэлементных соединений интегральных схем

Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: при вскрытии окон к контактным площадкам и областям для разделения пластин размеры окон выбирают такими, чтобы верхний пассивирующий слой нитрида кремния перекрывал нижний пассивирующий слой фосфоросиликатного стекла на 0,2 - 5 мкм. 1 з.п. ф-лы. 1 ил., 2 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изго...

1799203

Силовой полупроводниковый прибор

Изобретение относится к электротехнике , а именно к полупроводниковой преобразовательной технике, и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии. Сущность изобретения: с целью повышения нагрузочной способности и надежности силового полупроводникового прибора, охлаждаемого жидким диэлектриком, он имеет кремние2 вую пластину, содержащую один или не с...

1820493

Мощный полупроводниковый прибор

Сущность изобретения: прибор снабжен изолирующим дисковым элементом с односторонней металлизацией и радиальным пазом, на котором закреплены навесные активные и пассивные элементы. 4 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к деталям и конструктивным элементам таких полупро- водниковых приборов, как транзисторы, тиристоры, симисторы, и может быть использовано в разли...

2010394

Способ изготовления корпуса микросхемы

Сущность изобретения: перед золочением корпус приводят в контакт с полимерным порошком и нагревают металлические детали корпуса до образования защитной полимерной пленки электромагнитным полем. Регулируя частоту переменного поля, добиваются того, что глубина проникновения магнитного поля в контактные и монтажные металлические площадки больше, а в металлические детали равна или меньше их...

2034368

Лента для выводных рамок полупроводниковых приборов и интегральных схем

Сущность изобретения: лента для выводной рамки полупроводниковых приборов содержит основу, выполненную из железа, никеля или сплавов на их основе, и медьсодержащий поверхностный слой, в который методом термодиффузии введен цинк в количестве 1 - 4% и/или на который плакированием нанесена полоса алюминия толщиной 1 - 9 мкм. 2 з.п. ф-лы. Изобретение относится к электронной промышленности и...

2037912

Способ изготовления выводных рамок

Сущность изобретения: на поверхности рамки формируется защитное покрытие путем термической диффузии цинка при температуре 60 350°С в течение 15 30 мин. Формирование защитного покрытия осуществляют после формирования топологии выводных рамок. Покрытие коррозионностойко и обеспечивает качественную сварку внутренних выводов с кристаллом как алюминиевой, так и золотой проволокой, хорошо облу...

2040075

Многослойное металлическое покрытие корпуса свч-прибора

Использование: в производстве корпусов СВЧ-приборов, например мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: многослойное металлическое покрытие корпуса СВЧ-прибора содержит последовательно расположенные слои никеля толщиной 0,8 - 2 мкм, нижний золота, палладия толщиной 0,5 - 1 мкм, верхний золота. Между нижним слоем золота и слоем палладия введен слой серебра. При этом нижний слой золота...

2054751

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: между выводами формируют разделенные с ними и между собой два ряда перемычек по контуру рамки, второй ряд из которых контактирует с первым и рамкой, а после литьевого прессования объема, ограниченного началом первого ряда перемычек и соответственно размерами корпуса, удаляют все перемычки первого ряда и формируют последовател...

2066079

Устройство интегральной схемы и интегральная схема на полупроводниковой подложке

Назначение: электронная техника. Сущность изобретения: Расположение выводов питания интегральной схемы выбрано таким образом, чтобы свести к минимуму длину соединительных проводников. Кроме того, выводы питания расположены один за другим таким образом, чтобы уменьшить эффективную индуктивность связанных с ними соединительных проводников. Выходные выводы расположены следом за выводами пита...

2092932

H01L23/48 - приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы (проводники вообще H01R)

Патенты в этой категории