H01L21/461 - для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой

Устройство для струйного электролитического травления

327422 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ C0I08 Сееетокиа Сециелиотичеакие Реопублие Завл=,имое от авт. сзидетельсжа №вЂ” М.Кл. G Olr 31/26 За я!влг!но 20.Ч.1970 (№ 1447270/26-25) с п риооед!те!ен и гз! заявк!! №вЂ” комитет по делам изобретений и открытиЯ ори Совете Миниотрое СССР П,р и оуро! тетвЂ” УДК 621.382.2:621.31.7;.799 (088.8) Опубликовано 26.1....

327422

Травитель

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ!!!> 546043 Союз Советсиих Социалистических Республии (бl) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 17.01.75 (21) 2101231/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 05.02.77. Бюллетень ¹ 5 (45) Дата опубликования описания 01.03.77 (51) Л Кч Н 01 L 21/461 Государственный комитет Совета Министров СССР...

546043

Травитель

О П И С А Н И Е !??> 568986 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт, свид,-вувЂ” (22) Заявлено 04.01.76 (21) 2309863/25 с присоединением заявки ¹â€” (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень ¹ 30 (45) Дата опубликования описания 02.01.78 (51) 41.Êë.- Н 01 1 21/461 Государственный комитет Совета...

568986

Травитель

ОПИСАНИЕ ИЗОЬЕЕтЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (!!) 570936 cows Советскаа социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.12.75 (21) 2304681/25 (51) М. Кл а Н 01Ь21/461 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 30.08.77. Бюллетень № 32 Дата опубликования описания 27.09.77 Государственный комитет Совета Министров 1..."Р по делам из...

570936

Устройство для химического трав-ления изделий по заданному рисунку

Союз СоветскихСоциалистических Республик ()809435 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное и авт. свид-ву (22) Заявлено 040778 (21) 2640743/18-21 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 280281.Бюллетень № 8 Дата опубликования описания 280281 Р )М. Кл. Н 01 4 21/70 С 25 D 17/06 Государствеииый комитет СССР по делам изобретений и от...

809435

Полирующий травитель для иодида ртути

ПОЛИРУКЯЦИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ИОДИДА РТУТИ, включающий галогенсодержащий компонент и воду, о.т л и -. чающийся тем, что, с целью увеличения скорости травления, получения зеркально-глащкой поверхности и сохранения ее плоско-параллельности, в качестве галогенсодержащего компонента используют10-20 мас.% иодипа аммония.(Л С СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Ф I и ь .,3 ОПИ...

816331

Способ поперечной резки полупроводниковых материалов на пластины

Изобретение относится к разрезанию неметаллических, преимущественно полупроводниковых и диэлектрических, материалов на тонкие пластины, используемые в качестве подложек интегральных схем. Целью изобретения является повышение точностных параметров отрезаемых пластин и уменьшение ширины пропила. Это достигается созданием в процессе резки между режущей кромкой круга и его периферией...

1729764

Способ эрозионного копирования карбидокремниевых структур

Использование: в технологии электронного приборостроения, а именно в способах размерного профилирования кристаллов карбида кремния для получения структур различной конфигурации. Сущность изобретения: способ эрозионного копирования карбидокремниевых структур, включающий создание на одной из сторон подложки электропроводящего слоя с проводимостью не менее 710-1 Ом-1см-1 и последующее иниции...

2189664

Способ химического травления теллурида кадмия

Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из э...

2279154

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC предусматривает предварительное травление поверхности затравочного монокристалла SiC в процессе подъема температуры в ростовой ячейке. Травление поверхности затравочного кри...

2454491

Способ эрозионного копирования карбидокремниевых структур

Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а электрический разряд инициируют в режиме образования расплава, перед инициированием разряда в пакете формируют по к...

2573622

Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок

Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 табл.

2631875

Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения

Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки. Предлагается способ полирования наружной сапфировой подложки с использованием полирующей суспензии, содержащей в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицател...

2661219

H01L21/461 - для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой

Патенты в этой категории