Кассета для групповой химической обработки пластин
Иллюстрации
Показать всеРеферат
О П И С А-Н И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ (11)) 443433
Своа Советсниа
Социал истиц есиих
Весаубпик
К АВТОРСКОМУ СВИДЮТИЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 09.I2»7I (21)ГЮ2П5/2%5 (51) M.Êë.
Н ОХ(, 7/68 с присоединением заявки —.
Государственный номнтот
Соввтв Мнннстров СССР оо делам нзаоретвннй н открытнй (32) Приоритет
Опубликовано?5 09» 7 Чэюллетень № 34 (53) УдК 62Iå328 (088.8т
145)! Дата опубликования описания 2()Л1М< (72) Авторы изобретения В. В ГРОМОВ Е.А.КОГУРКОВ,Н:.Г.МЕДВЕДЕВ,А. T,MHIKOB и
Р.В. ЩЕРБАЧЕВ (71) Заявитель (54) КАССЕТА ДЛЯ ГРУППОВОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ILKACTHH
Изобретение относится к оборудованию для жицкостной химическои обработки полупроводниковых пластин, применяемому в электронной и полупроводниковой технике, и, в частнос- s ти, при химической обработке кремниевых и ситалловых пластин.
Известны кассеты для групповой обработки полупроводниковых пластин, содержащие корпус с пазами для удер-1о жания пластин.
Недостатком таких кассет является то, что в них не обеспечивается требуемая равномерность травления из-за загрязнения слоя у поверхнос- л ти обрабатываемых пластин продуктами реакции и его обеднения. Загрязненный и обедненный приповерхностный слой реактива в то же время препятствует поступлению свежего 20 реактива к обрабатываемой поверхности.
Предложенная кассета выполнена в виде диска с кольцевой проточкой конической формы, имеющего два 25
I a штырьков, размещенных по двум концентрическйм окружностям. Плоскости пластины могут располагаться под разными углами к радиус-вектору, проведенному через наружный штырек, на который опирается пластина.
Такое расположение пластйн позволяет при вращении кассеты создать направленный поток реактива вдоль полупроводниковых пластин и вести их обработку непрерывно свежими порщтями реактива с ектным удалением продуктов реакции, чем достигается качественная равномерная химическая обработка их поверхностей.
Кроме того, такая кассета становится универсальной, так как возможна обработка полупроводниковых пластин круглой и прямоугольной формы различных размеров.
На фиг. I и 2 изображена описываемая кассета в двух проекциях.
Кассета для групповой химической обработки полупроводниковых пластин состоит из корпуса I в виде
3 443433 4 диска с кольцевой проточной кони- происходит непрерывное удалейие проческой формы, переходящей в прямо- дуктов реакции с поверхностей обраугольную, снабженного таягенциаль- батываемых полупроводниковых пластин, но расположенными пазами, образован- тем самым обеспечивается требуемая ными двумя рядами штырьков 2 и 3, ь равномерность травления и высокое размещенных по двум концентрическим качество химической обработки их окружностям. поверхности.
Полупроводниковые пластины 4 или 5 разных размеров круглой или ПРЕДПТ ИЗОБРЕТЕНИЯ прямоугольной формы закладываются О Кассета для групповой химичес между штырькы и 4 и 3 наружного и кой обработки пластин, выполненная внутреннего ряда. При этом плоскос- в виде диска с кольцевой проточкой ти пластин могут располагаться под и средствами удержания пластин, различными углами к радиусам-векто- 15 отличающаяся тем, что, рам,проведенным к опорным штырькам с целью повышения качества и интеннаружного ряда. При вращении кассе- сификации химической обработки -поты с полупроводниковыми пластинами верхностей пластин, она выполнена в
4 или 5 в реакционной камере созда- виде диска, имеющего два ряда цилицц ется направленный поток реактива О рических штырьков, расположенньи(по вдоль полупроводниковых пластин двум концентрическим окружностям. фиг.1 б.
Составитель Н«ООТРОЭСКаЯ.
Редактор Н КОГая Техред
Заказ Qt66
Изд. hb 7.Тираж 760 Подписное
Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская наб., 4