H01L27/06 - содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется

Полупроводниковая твердая схема «не—или»

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Cîþ3 Советский Социалистический Республик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 21g, 11/02 Заявлено 22.I V.1968 (№ 1234531/26-9) с присоединением заявкп № Приоритет Опубликовано 18.VI I.1969. Бюллетень № 24 Дата опубликования описания 19.XI I.1969 МПК Н 01t УДК 621.382.233 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при...

248847

$Всесоюзная 5nai;lht!w->&^-xu.rt.{;as|б'-^ л 1-ю г на$

Всесоюзная 5nai;lht!w->&^-xu.rt.{;as|б'-^ л 1-ю г на

ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетскиз Социалистические Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹-вЂ”Заявлено 04.Х11 1968 (№ 1288170 26-25} с присоедияенисх! заявки М-М. Кл. Н 0ll 11/00 Н 05k 1 00 Ко!ентет по делам нзооретений и открытий арн Совете есннистрое CCCP ПриоритетвЂ” Опубликовано 08.1.1973. Б10лг!Отеки ¹ 6 Дата опубли! овани» Описания...

310597

Микроэлектронная схема управления

Союз Советскнн Соцкалистнческмн Республик (iii 736222 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.02.78 (2 I ) 2582412/18-.21 (5! ) М. Кд. Н 01 L 27/06 с присоединением заявки,% Государственный комитет С С С Р по делам изобретений н открытий (23) Приоритет Опубликовано 25.05.80. Ь}оллетень ¹ 19 jl,àTà опубликования описания 25.05.80 (53 ) УД К 621374 (088.8) А. В....

736222

Интегральная схема

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА предварительного усилителя, содержащая полупроводниковую подложку с омическими контактом первого типа проводимое ти, включающим область второго типа проводимости, в которой образован полевой транзистор с управляющим р-п переходом, а также с областями стока , истока и верхнего затвора, сопротивление последовательно BKjra4eHное с областью истока и диод, о т .лича...

858494

Бикмоп-прибор и способ его изготовления

Использование: БиКМОП-приборы, у которых на одном кристале формируются комплементарные биополярные и полевые транзисторы, а также технология изготовления вертикальных NPN и PNP полевых транзисторов и комплементарных полевых транзисторов. Сущность изобретения: конструкция БиКМОП-прибора позволяет существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии фо...

2106719

Интегральный логический элемент

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС. Целью изобретения является сокращение занимаемой площади и повышение быстродействия. Элемент содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, зону питания, зону нулевого поте...

2115998

Структура биполярного транзистора в составе бикмоп ис

Использование: микроэлектроника, а именно БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Сущность изобретения: в пластине кремния, включающей области коллектора, области базы и эмиттера, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, изолирующий поле...

2210838

Структура кремний-на-изоляторе для сбис

Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика друг от друга и вторым слоем диэлектрика от кремниевой подложки, для размещения в них полевых и биполярных транзисторов. Над вторым слоем диэл...

2230393

Бикмоп-прибор и способ его изготовления

Изобретение относится к области микроэлектроники. Сущность изобретения: БиКМОП-прибор содержит первый МОП-транзистор, содержащий истоковую и стоковую области, электроды к областям истока и стока из первого и второго слоев поликристаллического кремния и затвор из третьего слоя поликристаллического кремния; второй МОП-транзистор, который имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом...

2282268

Безэпитаксиальная структура биполярного транзистора

Изобретение относится к микроэлектронике. В безэпитаксиальной структуре биполярного транзистора, включающей области коллектора, базы и эмиттера в пластине кремния, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, при этом контакты к областям базы и эмиттера осуществляются через электроды из поликристаллического кремния, изолирующий полевой окисел вокруг области базы транзистора и между областями...

2368036

Монолитная интегральная схема защитного устройства

Изобретение относится к СВЧ монолитным интегральным схемам и предназначено, преимущественно, для защиты малошумящих усилителей на входе приемных устройств СВЧ аппаратуры. Технический результат, на который направлено изобретение, состоит в упрощении конфигурации исходной эпитаксиальной структуры, из которой изготавливают схему, снижении ее стоимости, а также упрощении технологии изготовления схем...

2581764

Структура кристалла высоковольтного полупроводникового прибора, высоковольтной интегральной микросхемы (варианты)

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность изобретения. Известен полупроводниковый кристалл, содержащий подложку p-типа с расположенным на ней эпитак...

2650814

H01L27/06 - содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется

Патенты в этой категории