Микроэлектронная схема управления

Микроэлектронная схема управления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскнн

Соцкалистнческмн

Республик (iii 736222 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.02.78 (2 I ) 2582412/18-.21 (5! ) М. Кд.

Н 01 L 27/06 с присоединением заявки,%

Государственный комитет

С С С Р по делам изобретений н открытий (23) Приоритет

Опубликовано 25.05.80. Ь}оллетень ¹ 19

jl,àTà опубликования описания 25.05.80 (53 ) УД К 621374 (088.8) А. В. Ерохин, Б. Г, Коноплев, M. Ф. Пономарев и А В. Фомичев (72) Авторы изобретения

Таганрогский радиотехнический институт им. В. Д Калмыкова (7I) Заявитель (54) МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ

Изобретение относится к импульсной техни- ке и может быть использовано в различных устройствах вычислительной техники и дискретной автоматики.

Известна микроэлектронная схема управления регистром сдвига, содержащая транзисторы разного типа проводимости, источник управляющих сигналов и триггер регистра сдвига, Недостатком известного устройства является малое быстродействие, обусловленное временем

}О разряда суммарной межэлектродной емкости транзисторов (1).

Известен цифровой инвертор, содержащий входной транзистор первого типа проводимости и выходной транзистор второго }ила проводи!

5 мости }2) .Недостатком инвертора является малое быстродействие, обусловленное временем разряда емкости, равной сумме емкости коллектор-база входного транзистора и база-эмиттер выходного транзистора.

Цель изобретения -- повышение быстродействия.

Для достижения поставленной цели в-микроэлектронну}о схему управления, содержашую

2 входной транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого подключен, к шине первого такта управляющего двухтактного сигнала, база — к общей шине, а коллектор — к базе выходного транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подю}ючен к общей шине, а коллектор — к .выходной шине, введены разрядный и ключевой транзисторы второго типа проводимости и токозадаюший транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной второго такта управляюшего двухтактного сигнала, коллектор — с коллектором разрядного транзистора, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора, и с базой ключевого транзистора, коллектор которого подключен к базе выходного транзистора, а эмиттер — к сбщейшине, к которой подсоединены база токозадаюшего транзистора и змиттер разрядного транзистора.

На чертеже представлена принципиальная схема.

Она содержит входной транзистор 1 первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине 2 первого такта управляктшего

3 7362 двухтакт :ого сигнала, база — к общей шине, а коллектор — к базе выходного транзистора 3 второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор — к выходной шине, введены разрядный 4 и ключевой 5 транзисторы второго типа проводимости и токозадающий транзистор б первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной 7 второго такта управляющего двухтактного сигнала, коллектор — с коллектором 10 разрядного транзистора 4, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора 1, и с базой ключевого транзистора 5, коллектор которого подключен к базе выходного транзистора 3, а эмиттер — к общей шине, к которой подсоединены база токозадающего транзистора 6 и змиттер разрядного транзистора 4.

Устройство работает следующим образом.

При подаче первого тактового импу тьса (ТИ1) транзистор 1 входит в режим насыщения и включает выходной транзистор 3, заряжает паразитную емкость база-эмиттер 8. Одновременно с этим коллекторная цепь открытого импульсом ТИ1 транзистора 4 разряжает заряженную ранее тактом ТИ2 емкость 9 р-и-перехода эмиттер-база транзистор 5, закрывает его. В .момент окончания импульса ТИ1 емкость 8 заряжена, транзисторы 1, 3, 4 открыты, 5, б— закрыты.

После включения тактового импульса ТИ2 транзистор 6 насьпцается и включает транзистор 5, что способствует быстрому разряду емкости 8. После разряда этой емкости схема готова к приходу следующего тактирующего импульса ТИ1. 35

Преимуществом предлагаемой схемы управления по сравнению с известной является повышенное быстродействие, обусловленное уменьшением длительности цикла разряда емкости

22 4 р-и-перехода эмиттер-база выходного транзисгора.

Эксперимент показал, что предлагаемая схема уменьшае длигельност фронта разряда емкости на 5 %.

Формула изобретения

Микроэлектронная схема управления, содержащая входной транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине первого такта управляющего двухтактного сигнала, база — к общей шине, а коллектор к базе выходного транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор — к выходной шине, отличающаяся тем, что, с целью увеличения быстродействия, в нее введены разрядный и ключевой транзисторы второго типа проводимости и токозадающий транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной второго такта управляющего двухтактного сигнала, коллектор — с коллектором разрядного транзистора, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора, и с базой ключевого транзистора, коллектор которого подключен к базе выходного транзистора, а эмиттер — к обшей шине, к которой подсоединены база токозадающего транзистора и эмиттер разрядного транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Заявка Франции 11 2131960,кл. G 11 С 19/00.

22.12.72.

2. Заявка ФРГ Р 2643941, кл. Н 01 L 27/06.

07.04.77.

736222. тИ/

Составитель Г. Пешков

Техред Н.Ковалева

Редактор Н. Катаманина

Корректор А. Гриценко

Тираж 844 Подписное

ЦНИИПИ Государственного коми ета ГССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 2436/42

Филиал ППП "Патент ", г. Ужгород, ул. Проектная,4