Интегральная схема

Интегральная схема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА предварительного усилителя, содержащая полупроводниковую подложку с омическими контактом первого типа проводимое ти, включающим область второго типа проводимости, в которой образован полевой транзистор с управляющим р-п переходом, а также с областями стока , истока и верхнего затвора, сопротивление последовательно BKjra4eHное с областью истока и диод, о т .личающаяся тем, что, с целью снижения собственных шумов и повышения входного сопротивления, сопротивление сформировано в области второго типа щ)ов9димости, один из контактов которого расположен между контактами к подложке и области истока , а другой является общим с контактом к области истока. i (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (10 (51) 4 Н 01 L 27/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

М А ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2909666/18-25 (22) 11 е 04. 80 (6) 07.12,88. Бюл. № 45 (72 ) А. 3. По знанс кий (53) 621, 382 (088. 8) (56) Патент США № 3278853, кл. 330-24, опублик. 1966.

Патент США ¹- 4050031, кл. 330-24, опублик. 1977. (54) (57) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА предварительного усилителя, содержащая полупроводниковую подложку с омически- . ми контактом первого типа проводимос-ти, включающим область второго тина проводимости, в которой образован полевой транзистор с управляющим р-п переходом, а также с областями стока, истока и верхнего затвора, сопротивление последовательно включенное с областью истока и диод, о т— л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью снижения собственных шумов и повышения входного сопротивления, сопротивление сформировано в области второго типа- проводимости, один из контактов которого расположен между контактами к подложке и области истока, а другой является общим с кон- . тактом к области истока.

858494 областями стока, истока и верхне го затвора, сопротивление, последовательно включенное с областью истока и диод, сопротивление сформиров ано в области второго типа проводимости, один.из контактов которого расположен между контактами к подложке и области истока, а другой является общим с контактом к области истока °

На фиг. 1 дан вид сверку,на фиг.2— разрез А-А на фиг. 1.

Интегральная схема содержит полупроводниковую подложку 1, омический контакт 2, область второго типа проводимости 3, омический контакт к области стока 4, комический контакт к области истока 5, верхний затвор

6, контакт сопротивления 7, сопротивление 8.

Снижение собственных шумов в предварительном усилителе, а также повышение его входного сопротивлеНия возможно в связи с тем, что все элементы интегральной схемы, содержащей полевой транзистор, управляемый р-и переходом, диод во входной цепи и сопротивление в цепи истока, формируются на единой полупроводниковой подложке без изолирующих областей между ними, а сопротивление в цепи истока транзистора формируется как неотделимая от канала транзистора область с проводимостью, противоположной проводимости подложки, удаленный от канала конец этой области соединяется с положительным полюсом источника питания в случае р-канального транзистора.. При этом в качестве диода для отвода тока утечки затвора транзистора используется . р-и переход, образованный между подложкой и областью сопротивления. Входной омический контакт выполняется на поверхности подложки.

Устройство по изобретению может быть использовано, например в миниатюрном электретном микрофоне, для миниатюрного слухового аппарата, а также для усиления слабых электрических сигналов от высокоомных датчиков информации, в качестве высокоомного входа измерительных усилителей и преобразователей переменных электрических сигналов в постоянный ток, в сенсорных системах управления.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к микросхемам предварительных усилителей низкочастотных

5 сигналов от высокоомных источников, которые могут применяться в качестве предусилителей электретных микрофонов .

Известна микросхема предваритель. ного усилителя низкой частоты, реализованная на полевом транзисторе и диоде для отвода постоянного тока утечки затвора транзистора.

Недостатком такого устройства яв- 15 ляется относительная сложность изготовления за счет того, что элементы схемы формируют в отдельных изолированных р-и переходом областях . онокристаллической подложки. 20

Наиболее близкой по технической сущности к устройству по изобретению является интегральная схема предварительного усилителя, содержащая полупроводниковую подложку с 25 омическими контактом первого типа проводимости включающим область второго типа проводимости, в которой образован полевой транзистор с управляющим р-п переходом и областями сто- ЗО ка, истока, а также верхнего затвора, сопротивление последовательно включенное с областью истока и диод.

Недостатком такой интегральной схемы является высокий уровень шумов за счет наличия на входе диодной структуры с большой площадью перехода, значительно. превышающей площадь затворного перехода полевого транзистора, что снижает также входное сопротивление микросхемы. Кроме того, источником шумов являются и р-и переходы, разделяющие элементы микросхемы.

Целью изобретения является снижение собственных шумов и повышение входного сопротивления.

Поставленная цель достигается тем, что в известной интегральной схеме предварительного усилителя, содержащей полупроводниковую подложку с омическими контактом первого типа проводимости, включающей область второго типа проводимости, в которой образован полевой транзистор с управляк-им р-и переходом, а также с

858494

Составитель Т.Воронехцева

Техред A.Кравчук Корректор Л.Пилипенко

Тирах 746 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Редактор Н. Сильна гина

Заказ 6486

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ухгород, ул. Проектная, 4