Установка для вакуумного напыления

Установка для вакуумного напыления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

т е л н л ч е не е 0>, ете

СПИ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскив

Социалксткческнв

Республик

< 1402324

Ф

I / ьМ"

К АВТОРСКОМУ СВИЯЕТЕДЬСТВУ (6I ) Дополнительное к авт. санд-ву—

Ъ (22) Заявлено 19.10.71 (2l )1 707616/26-25 (53 ) М. К,л.

Н 01 (7/68 с прнсоелнненнем заявки ¹

Гасударственный квинтет (23) Приоритет

IIo лелам изобретений и открытий

Опубликовано 07.10.80. Бюллетень № 37

Дата опубликования описания 10.10.80

Р (53) УДК621 ° . 382(088.8) (72) Авторы нзобретення

Л. М. Панасюк и В. Д. Прилепов

Кишиневский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. В. И. Ленина (71) Заявитель (S4) УСТАНОВКА ДЛЯ ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ

Изобретение относится к вакуумной технике, в частности к устройствам для получения тонких полупроводниковых слоев испарением в вакууме.

Известно устройство, позволяющее

5 получать полупроводниковые слои большой протяженности. Исходное полупроводниковое вещество загружается один раз перед откачкой непосредственно в испаритель. При достижении вакуума под кол-„ паком разогревается испаритель, и полупроводниковый слой напыляется на прозрачную ленту через ограничительную маску. Испарители применяют двух типов: с косвенным разогревом и непосредст- I5 веиным разогревом.

Известное устройство не обеспечивает получение полупроводниковых слоев на длинных лентах с заданными постоянными параметрами ввиду фракционирования бинарных и более сложных полупроводниковых соединений, так как длительное нахождение таких соединений при температуре испарения приводит к изменению состава испаряемого вещества за счет уменьшения во времени концентрации легколетучей компоненты.

Кроме гого невозможно получать длинные тонкие слои, так как время испарения ограничено размерами испарителя, а увеличивать размеры невозможно, поскольку очень трудно разогревать большие объемы. В известном устройстве по мере уменьшения испаряемого вещества, помещенного в испаритель, меняется температура испарителя, следовательно, меняется скорость испарения.

Цель изобретения — создание устройства, обеспечивающего напыление полупроводниковых веществ, однородных по свойствам, на длинные ленты с постоянной заданной толщиной и уменьшение потерь полупроводникового вещества.

Это достигается тем, что между дном бункера, имеющим отверстия, и испарителями размещен вращающийся вал с емкостями н направляющие желоба, при этом емкости вращающегося вала смеще4023

24 4 полняет ее. При дальнейшем «решении

sana дозетора ограничитель бункера выравнивает поверхность вещества в лунке, которое затем через подвижный желоб равномерно рассыпается по поверхности соответствующего испарителя. Скорость вращения вала дозатора и скорость испарения вещества подбираются такими, чтобы к моменту поступления новой дозы вещества в испаритель в последнем практически

f все вещество испарилось. 3а счет последовательности и цикличности работы системы дозатор - испарители уменьшение испаряемой поверхности вещества в одном из испарителей компенсируется добамой вещества в другой испаритель, так что суммарная поверхность испарения остается постоянной.

Установка для вакуумного напылечия состоит из бункера 1 с испаряемым веществом, лентопротяжного механизма 2 lo и расположенных под ним испарителей 3.

В нижней части бункера выполнены отверстия 4, число которых равно числу испарителей. Через эти отверстия испаряемый материал подается в лунки 5 на у поверхности вращающегося вала 6, сообщаемые с испарителями через направляющие желоба 7. Над испарителями установ лен тепловой экран 8 с нагревательной спиралью 9 по внешней стороне, обеспе- 20 чиваюший уменьшение потерь испаряемого вещества и увеличение скорости напыления. Размеры лунок 5 выбраны такими, чтобы исходное вещество, заполняющее эти лунки, при рассыпании движущимися 2S желобами 7 равномерно распределялось по поверхности испарителей 3, длина которых равна ширине напыляемой поверхности. Ограничитель бункера 10 выравнивает поверхность вещества в лунке 5. Зо

Работает устройство следующим образом.

Измельченное полупроводниковое вещество загружают в бункер дозатора, ленту устанавливают в лентопротяжный ме- Э5 канизм. Создают вакуум, включают испарители и устанавливают температуру испарении; задают скорость движения лен.— ты и включают дозатор. При вращении вала дозатора лунка проходит под отверс - 4О тием в бункере, и исходное вещество за3 ны друг относительно друга на МО /п, где ni — число испарителей, а направляющие желоба снабжены средствами перемещения.

На чертеже изображена г редлагаемая установка.

Формула изобретения

Установке для вакуумного напыления полупроводниковых слоев, содержащая лентопротяжный механизм с расположенными под ним испарителями и устройство загрузки испаряемого вещества с бункером, о т л и ч а ю m а я с я тем, что, с целью получения однородных слоев с постоянными электрофизическими свойствами и толщиной при напылении на ,длинную ленту, в устройстве загрузки между дном бункера, имеющим отверстия по числу испарителей, и испарителжчи размещен вращающийся вал с емкостями и направляющие желоба, при этом емкости вращающегося вала смещены друг относительно друга на ЪЬ Р/h, где й— число испарителей, а направляющие желоба снабжены средствами перемещения.

4О232 4

Составитель Н. Островская

Техред М.Гол инка Корректор В. Е утяга

Редактор Л. Письман

Филиал ППП Патент,, г. Ужгород, ул. Проектная, Заказ 863l/70 Тираж 844 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и откритий

1 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., а. 1/5