Способ исследования кристаллических поверхностей

Способ исследования кристаллических поверхностей

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1 в%тем t

:x;-tt;ясон@ее библио ге;- 4-Д J

ОПИС Е

g3 gPETEHMSI

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

396604

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Л!. Кл. G 01п 23/04

Заявлено 24.1Ч.1972 (№ 1777920/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29 Ч1!1.1973. Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 15.1.1974

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДК 539.14 + 539.143 (088.8) Авторы изобретения

В. Н. Вигдорович, Г. А. Ухлинов и Д. В. Якашвили

Московский институт электронной техники

Заявитель

СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ

ПОВЕРХНОСТЕЙ

Изобретение относится к области исследова ция структуры поверхности кристаллов.

Наиболее эффективным способом исследования структуры кристаллических поверхнос I ей является электронномикроскопическое изучение картины декорирования, Известный способ заключается в том, что путем термического испарения в вакууме, катодного распыления, химического или электрохимического осаждения из растворов на исследуемую поверхность наносят декорирующий аген r.

Для декорирования исследуемых поверхноcreA используют благородные металлы: золото, серебро, палладий.

Однако благородные металлы способны эффективно декорировать только при ловышенных температурах (400 †5 С), что часто искажает структуру исследуемой поверхности.

Кроме того, оци обладают слабо выраженной селективностью по отношению к активным центрам, различным по своей природе. Не исключена вероятность осаждения кристаллов благородных металлов ца совершенных участках поверхности.

Цель изобретения — повышение эффективности исследования структуры кристаллических поверхностей.

Цель достигается тем, что декорирование производят висмутом при температуре не вы ше 110 С. Висмут как декорирующип агент обладает всеми достоинствами благородных

5 металлов и, кроме того, позволяет значительно снизить температуру декорирования и вьявить якгивные центры, различные по своей природе и декорирующему действию.

10 Пример. На поверхность свежих сколов

N3C1 наносят тонкие пленки висмута путем термического испарения в вакууме 5. 10 — —

1 . 10 — лл рт. ст. при скорости осаждения а

10 А/сек, Температура подложки 80 — 100 С, о толщина пленки 100 А.

Картина декорировация представлена ня электронной м икрофотографпи, из которой

20 видно, что поверхность NaCl декорируется кристалликами трех типов, резко различающимися по форме и размерам: мелкими кристалликами А и Б треугольной формы; более крупными плоскими кристалликами В с тек25 сагональным габитусом и нглообрязцыми кристалликами /, ориентированными на пло=кости подложки в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Нера|вновесцая треугольная форма кристалликов А и Ь, ориен30 тированных в плоскости (0001) в tI (001) хас!

396604

Предмет изобретения

Я . с б,та

Составитель В. Тыминский

Редактор И. Орлова

Корректор А. Васильева

Техред Л. Грачева

Заказ 3612/1 Изд. М 1895 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская иаб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 свидетельствует о том, что их габитус определяется действием и симметрией силового поля активных центров. Рост кристалликов типа А прекращается при достижении ими размеров порядка 3000 А, а кристаллы типа

Б продолжают свой тангенциа ль1ый рост на поверхности с постепенным вырождением в кристаллы типа В. Зарождение кристалликов типа Г происходит на моноатомных ступенях поверхности скола NaCI.

hi йМь

Способ исследования кристаллических поверхностей декорированием металлами путем их термического испарения и конденсации на исследуемую поверхность в вакууме, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения эффективности исследования структуры кристаллической поверхности, производят деко10 рирова нне ви смутом прн тем пературе не выше 110 С.