Способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине

Способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ll ll 4l4658

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистицеских

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 10.07.72 (21) 1812264/26-9 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—

Опубликовано 05.02.74. Бюллетень ¹ 5

Лата опубликования описания 23.10.74. (51) М. К.. Í Oll19/00

Н 05k 3/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам и3ооретений

3 открытий (53) УДК 621.382.002 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. В. Дудко, М, А. Колегаев и Г. Ф. Кравченко

Таганрогский радиотехнический институт (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ ЗНАКОВ СОВМЕЩЕНИЯ

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИ НЕ

Изобретение относится к технологии производства компонентов радиоаппаратуры, в частности интегральных микросхем.

Из вестен способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине, например кремниевой, включающий предварительное полирование и окисление поверхности пластины, а затем сквозное избирательное TpBIB;IQHHc пленки двуокиси кремния по определенному рисунку. При совмещении фотошаблона с пластиной используют оптический контраст разности отражения светового потока от поверхности пленки двуокиси кремния и микроуглублений.

Однако. полученные известным способом знаки совмещения не выдерживают длительной вы сокотемпературной обработки в окислительной среде, причем из-за окисления размеры знаков со вмещения изменяются, что приводит к изменению расстояний между ними и изменению оптического контраста знаков.

Цель изобретения — повышение стойкости знаков совмещения к окислению и обеопечение их высокой контрастности по отношению к окисному слою.

Предлагаемый способ отличается тем, что в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области путем электроннолуче вой обработки пластины но заданному рисунку, затем методом фотолитографии вскрыают в окисном слое окна по заданному рисунку и магируют обнаженные участки поверхности пластины путем вытравливания на них дислокаций.

Согласно данному способу предварительно полированные и окисленчые полупроводниковые пластины, например кремниевые, подвергают местному электроннолучевому нагреву по заданному рисунку. Режим электроннолучевой

1р с бработкп:подбирают таким образом, чтобы в припозерхностных слоях пластины формирэвались днслокационные области с плотностью дислокаций выше 1.10 см - . Затем методом фотолитографии в обработанны c электроHHblM д лучом обла стях пластины в окисном .слое вскрывают по заданному рисунку окна и обнаженные участки поверхности пластины матируют путем вытравливания на них дислокаций. Травитель может быть составлен из

1 вес. ч. HF и 2 нес. ч. 25,/о-ного раствора Сг03 в воде.

Предмет изобретения

1. Способ выполнения знаков совмещения

25 на полупроводниковой пластине, например кремниевой, включающий предварительное полированпе и окисление поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости знаков совмещения к окислению и зо обеспечения их высокой контрастности по от414658

Составитель Г Челей

Редактор Б. Федотов Техред Т. Уск:-

Заказ 397 Изд. Ко 475 Тираж

ЦНИИПИ Госуд-„рственного комитета <,. Министров и v, ðытий

Москва, Ж-35, Гаугпская наб., д.

Корректор Л, Царькова

760 Подписное

СССР по делам изобретений

4/5

Тигогра;6пя М 4 Союзполиграфпрома, М":i,ç=:. 121019, ул. Маркса — Энгельса, 14 ношeниIQ к окисному слою, B приповерхностчálх слоях пластины формируют дислокацион ные области, затем методом фотолитографии вскры ва1от в окисном слое окна по заданному рисунку и матируют обнаженные участки позерхности пластины путем вытравливания на них дислокаций.

2. Способ по и. 1. отличающийся тем, что дислокационные области формируют путем

5 электронно-лучевой обработки пластины по заданному рисунку.