Позитивный фоторезист

Позитивный фоторезист

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е rirr42I548

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскит

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 29.04.68 (21) 993972/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.03.74. Бюллетень ¹ 12

Дата опубликования описания 29.08.74 (51) М. Кл. В 41f 19/08

Н Oll 19/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изаоретений и открытий (53) УДК 621,382(088.8) (72) Авторы изобретения

К. А. Валиев, A. В. Лубашевская, В. С. Корсаков, Л. А. Кашаева, В. Г. Никольский, С. Е. Андреев, Н. В. Макаров, М. С. Динабург, Л. А. Бобров, 3. И. Хорина и P. Г. Фирсов (71) Заявитель (54) ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ

3,75

Изобретение относится к технике фотолитографии, а именно к составу позитивного фоторезистора.

Известеп сенсибилизированцый позитивный фоторезист, состоящий из сульфоэфира и моно- и диацилировацного тетранодиддифепилолпропана 1,2-пафтохинондиазида, фенол рормальдегидной смолы (поволак № 18) и диоксана.

Однако при использовании известного состава пе удается получить достаточную интегральную и спектральную чувствительность.

Цель изобретения — повышение интегральцой и спектральной чувствительности позитивных фоторезистов.

Цель достигается тем, что в состав предлагаемого фоторезиста дополнительно вводят моцосульфоэфир 2,4,4 -триоксибензофеиоиа

1,2-нафтохипопдиазида.

Дополпительцое введение в состав позитивного фоторезиста сенсибилизатора приводит к изменению его интегральной и спектральной светочувствительности одновременно с улучшецием разрешающей способности фотослоя. Интегральная светочувствительность сенспбилизированпого фоторезиста втрое выше чувствительности известных позитивных фоторсзистов.

Спектральная чувствительность его имеет второй максимум, лежащий в более длиииоволповой области спектра (450 †5 нм).

Таким образом, повышение интегральной и спектральной фоточувствительпости позитивного фоторезпста, пе исключая прежней сферы применения, даст возможность использовать его в проекционной фотолитографии в качестве фотослоя прп изготовлешш фотошаблонов с применением обычной оптики и широко распространенных источников пзлучспия (ламп пакаливания, ксспоповых ламп и т. п.).

10 Примепенпе сепспбплизпроваццого позитивного фоторезпстa в процессах контактной и проекционной фотолитографии позволяет значительно сокраппь и упростить технологический цикл.

15 Пример. Состав предлагаемого позитивного фоторезиста, г:

Смесь сульфоэфиров моно- и диацилпрог" нного тетраиодпддпфенплпропана 1,2пафтохппоцдиазпда 3,75

Фенолформальдегпдпая смола (поволак № 18) 12,5

Моиосульфоэфир 2,4,4 -триокспбепзофс .о: а 1,2-нафто25 хппоцдпазпда

Диоксап

Предмет изобретения

Позитивный фоторезист, состоящий из све30 точувствптельного компонента, например суль421548

Составитель О. Федюкина

Тсхред Е. Борисова

Корректор Е. Миронова

Редактор Т. Орлова

Заказ 2116/3 Изд. М 1474 Тира>к 456 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 фоэфира о-хинондиазидов с различными замещенными окси- и полиоксисоедипениями, пленкообразователя в растворителе, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения интегральной и спектральной чувствительности, оп содержит моносульфоэфиры 2,4,4 -триоксибензофенона 1,2-нафтохинондиазида.