Фотосимистор

Фотосимистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1. ФОТОС№1ИСТОР на основе многослойной структуры, например п-р.-пр-п-типа с заио'итированпьми внешними эмнттерными слоями электронного типа проводимости и со свободным, по крайней мере, с одной стороны структуры для доступа светового потока участком, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления прибором с помощью светового потока, внешние слои электронного типа, 'проводимости выполнены так, что кх проекции на основные поверхности структуры перекрываются в области ' освещаемого участка.2. Фотоси№1стор по П.1, о т л ич. а ю щ и и' с я тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока, на освещаемой поверхности, на участке управления, непосредственно у контактов основного токосъема, структура содерла1т вспомогательные . области электронного «типа проводимости, отделенные друг от друга и от основной катодной области участками дырочного типа проводимости, выполненными, например, в виде полуколец.

СОаЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУВЛИН

4(51)> И 01 ? 31/00

5

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 1830808/26-25 (22) 26.09.72 (46) 07.02.85 Бюл. Ф 5 (72) 10.А.Евсеев и А.И.Думапевич (53) 621.383(088.8) (54) (57) 1. ФОТОСИИИСТОР на основе многослойной структуры, например и-р-ир-п-типа с зашунтированпыми внешними эмиттерными слоями электронного типа проводимости и со свободным, по крайней мере, с одной стороны структуры для доступа светового потока участком, о т л н ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения управления прибором с помощью светового потока, внешние слои электронного типа,. и ьтвнф Щ

»ЗЦ 435745 Д проводимости выполнены так, что их проекции на основные поверхности структуры перекрываются в области освещаемого участка.

2. Фотосимистор по.п.1, о т л ич а ю щ и fr с я тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока, на освещаемой поверхности, на участке унравления, непосредственно у контактов основного токосъема, структура содержит вспомогательные области электронного типа проводимости, отделенные друг от друга и от основной катодной области участками дырочного типа проводимости, выполненными, например, в виде полуколец.. 435745

Изобретение относится к светочувствительным полупроводниковым приборам на основе многослойных структур с р-п-переходами.

Известны фотосимисторы на основе пятислойной структуры с зашунтированньпки внешними эмиттерными р-и-переходаии, в которых проекция слоев электронного типа проводимости на нижнюю или верхнюю плоскость пластины не пе- 1О рекрывается, благодаря чему получают два встречно-параллельно включенных .тиристорных элемента, разделенных триодной структурой. Для переключения такого фотосимистора световой 15 сигнал подают на периферийные участ- . ки в месте выхопа р-п-переходов на поверхность.

Цель изобретения — упрощение управления прибором с помощью светово- 20

ro потока.

Предложенный фотосимистор отличается тем, что проекции внешних слоев электронного типа проводимости на нижнюю или верхнюю поверхность плас25 тины перекрываются в области освещаемого участка структуры.

На фиг. t показан предложенный фотосимистор, разрез по области управ- Ç0 ленни; на фиг. 2: а, б - то же, внд сверху и снизу соответственно; в— разрез по А-А.

Фотосимистор содержит слой 1 исходного материала электронного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, слои 2,3 полупроводника дырочного типа; слои 4,5 .. сильнолегированного полупроводника электронного типа, электронно-дырочные переходы б-9, верхний 10 и нижний 11 ме1 таллические контакты, световой экран t2.

Процесс включения р-п-р-и-структуры развивается сначала в освещаемой области, а затем переходит на второй участок, который расположен в случае прямого включения ("-" на верхнем электроде) на границе между областями 5 и 3 в месте выхода р-иперехода 9 на нижнюю поверхность пластины, а в случае обратного включения ("+" на верхнем электроде) на границе между областями 2 и 4, выходящей на верхнюю поверхность пластины. Второй участок включения расположен в области управления, в которой перекрываются проекции внешних слоев электронного типа проводимости на поверхности пластины. Повышение чувствительности структуры к световому потоку достигается за счет того, что перекрывающиеся проекции имеют площадь, превышающую площадь освещаемого участка.

Световой сигнал подается в области змиттера, на котором не сказывает-. ся влияние шунтировки на эффективность змнттерных р-и-переходов 8 и 9.

Ксли область перекрытия заходит за границу верхнего металлического контакта, а точнее за границу центрального отверстия, то область включения (имеется в виду второй участок вк1почений) располагается под металлическим контактом, чем обеспечивается включение с высокими скоростями нарастания тока..435745

Редактор С.Титова Техред T.Màòî÷êà Корректор M.Äåì÷èê

Заказ 303/1 Тираж 679 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óàãîðîä, ул.Проектная, 4