ДУМАНЕВИЧ А.Н.

  О fl И С А Н И Е „» 6»7 ЙЗОВРЕТЕН ИЯ Сеез Саевтеямх республик К АВТ©РСКОМУ С3 ТВЛбСТбУ (61) Дополнительное к авт. свнд.ву (22) Заявлено 20.03.70 (21) 1423363/264! 5 с присоединением заявки М» (23) Приоритет(43) Опубликовано 05.02.78 Бюллетень ЭЬ5 (4б) Дата опубликования описания 23.01. 77 (б1) М. Кл Н 01 1. 21/00 ГааударстааваИ кематет Сфаата Маааатраа СССР аа делам иаабрета...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (19) (11) (11) 4 Н 01 1- 29/74 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А9ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А-A ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 843040/26-25 (22) 22.06.63 (46) 30.05.88. Бюл. У 20 (71) Мордовский научно-исследовательский электротехнический институт (72) А.Н.Думаневич и Ю.А.Евсеев (53) 621.382.3 (088.8) (54) (57...

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11)363410 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.02.71(21) 1630477/26 25 с присоединением заявки i¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.76.Бюллетень № 31 (45) Дата опубликования описания 03.02.77 (51) М. Кл. Н 01 L 21/00 Государственный i,ower Соаета Иинистраа СССР l...

  СОЮЭ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК 4 ц И 01 I. 29/74 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCHGMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЬГП Й (21) 1773554/26-25 (22) 20.04.72 (46) 07,02.85. Бюл. Р 5 (72) Ю.А.Евсеев и А.Н.Думаневич (53) 621.382.3(088.8) (54)(57) 1. СИИИЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР, выполненный на основе пятислойной структуры с зашунтированн...

  СИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР на основе многослойной структуры, например h-p->&i-p- п типа с зашунтированиыми эмиттерными переходами и управляющим электродом, перекрывающим области разноименного типа проводимости, отличающийся тем, что,с целью уменьшения времени вьпслюче-ния и снижения токоя управления, полупроводниковая структура содержит участки в базовых слоях, время жиз...

  1. ФОТОС№1ИСТОР на основе многослойной структуры, например п-р.-пр-п-типа с заио'итированпьми внешними эмнттерными слоями электронного типа проводимости и со свободным, по крайней мере, с одной стороны структуры для доступа светового потока участком, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления прибором с помощью светового потока, внешние слои электронного типа, 'проводимос...

  1 . ТРЕХЭЛЕКТРОДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, выполненный на основе многослойной структуры с числом чередующихся слоев различного типа проводимости не менее четырех, , с зашунтированным катодным переходом и управляющим электродом, присоединенным к участку электронного типа, лежащему в одной плоскости с катодной областью электронного типа проводимости, и отделенным от послед...

  Союз Советскии Социалистические Республик ОП И .ДНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ (ii! 526243 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 04. 10.74 (21)2065110/25 (5l )M. Кк. Н 01 J 28/74 с присоединением заявки № Гасударственный комитет (23) Приоритет по делам изобретений н открытий Опубликовано 07.10.80 Бюллетень №З7 Дата опубликования описания 17 ° 10 8...