Тиристор

Тиристор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11)363410 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.02.71(21) 1630477/26 25 с присоединением заявки i¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.76.Бюллетень № 31 (45) Дата опубликования описания 03.02.77 (51) М. Кл.

Н 01 L 21/00

Государственный i,ower

Соаета Иинистраа СССР

liD делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382.3 (088,8) Ю. A. Евсеев, A. Н, Думаневич, Ю. М. Локтаев, П. Г. Дерменжи и A. В. Конюхов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ТИРИСТОР

Изобретение относится к области конструирования попупроводниковых приборов.

Известны конструкции тиристорныхструктур с распределенной шунтировкой в эмиттерном р- и переходе, 5

Основной недостаток известных конструкций тиристорных структур заключается в том, что при подаче напряжения с прямым фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора.

Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления. l5

Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек.

Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту du/41 и устранение самовкпю-оо чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.

В прецпагаемом тиристоре сведены к минимуму ипи вообше устранены усповия, выэь;ваюшие неравномерное распределение плот- 25 ности тока в закрытом состоянии через четырехслойную структуру, возникаюшее вследствие разнйпн в пцошадях центрального и эмиттерного р-п-переходов, Достиг ется это специальной конструкцией шунтирсвки эмиттерного р-ri-перехода в области, непосредственно прилегаюшей к управляюшему электроду.

На чертеже показан вариант предлагаемого тиристора, вид сверху, где 1,2,3— области A типа проводимости, 4 — граница р -vi-перехода.

В районе управляюшего электрода металлизация основного токосьема перекрывает области разноименного типа проводимости так, что эмиттерный переход выходит из-под металлического покрытия в виде отдельных участксв, разделенных базовой областью.

В такой конструкции весь ток от ппощади структуры, ограниченной управпяюшим электродом, протекает непосредственно к металлическому контакту, минуя эмиттерный р-П-переход.

363410

ЮГПОЛЛ

Составитель О. Федюкина

ТехредМ. Левицкая Корректор Н. Зопотовская

Редактор Т. Баранова

Заказ 5226/467 Тираж 963 Подписное

UHN ИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Фипап ППП Патечт", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Такая конструкция тиристорной структуры допускает скорости нарастания анодного напряжения больше 2000 в/мксек, Кроме того, помехоустойчивость тиристора лучше, так как шунтировка снижает инжектируюшие свойства эмиттерного р-г перехода.

В общем спучае, если у и -р-в-р-структуры имеется несколько эмиттеров с несколькими управпяющими эпектродами или несколько областей электронного типа проводимости, шунтировка этих открытых эмиттерных областей выполняется указанным выше способом. Что касается геометрии ширины шунтов и расстояний между ними, за основу можно взять геометрию точечного шунта металлизированной части эмиттера, тогда ширина полосы должна быть равна диаметру точечного шунта, а расстояние между полосками р-типа должно равняться расстоянию между точечными шунтами. б

Формула изобретения

Тиристор, выполненный на основе многослойной структуры, с числом слоев чередуют щегося типа проводимости не менее четырех и зашунтированным эмиттерным р-и-переходом, отличающийся тем

Э что, с цепью повышения стойкости к эффекту d u / d 4, а также повышения помехоустой15 чивости прибора, шунт выпопнен так, что с управляющим электродом граничит эмиттерная область в виде участков, разделенных базовой областью.