ЛОКТАЕВ Ю.М.

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11)363410 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.02.71(21) 1630477/26 25 с присоединением заявки i¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.76.Бюллетень № 31 (45) Дата опубликования описания 03.02.77 (51) М. Кл. Н 01 L 21/00 Государственный i,ower Соаета Иинистраа СССР l...

  ' I.РАСТВОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИСТОЧНИКА ДИФФУЗИИ ДОНОРНОЙ ПРИМЕСИ, включающий этиловый спирт 96%-ный, тетраэтоксисилан, ортофосфорную кислоту и азотнокислые соли металловII и III групп Периодической системы элементов Менделеева, отличающийся тем, что, с целью повышения химической стойкости источника диффузии к воздействию растворителей и адгезии к фоторезисту^ он дополнительно содержи...

  РАСТВОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСТОЧНИКА ДИФФУЗЙ БОРА, включающий органический растворитель, катализатор, тетраэтоксисилан, эфир ортоборной кислоты и соединевия дру1 гчх легирукицих элементов, о т л и ч а ю щ и и с я тек, что, с цштыо получения близких к пределу раствори . мости в кремнии значений яоверхносI тной концентрации бора при твмперату- . ре диффузии не ниже 1423 К...

  Г, ДОНОРННЙ РАСТВОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСТОЧНИКА даФФУЗИИ, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор и ортофосфорную киепоту, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что с целью получения диффузионных слоев толщиной 50200 мкм с поверхностной концентрацией фосфора более 1, см он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мае.%: Растворитель 45-62 0. Ка...

  СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ-В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ силовых -полупроводниковых приборов,, включающийосаждение растворов на поверхность кремниевых пластин для получения легированного окисла, помещение в лодочку вертикальной стопки пластин, совмещенных одноименными, сторонами,, загруаку лодочкк в нагретую печь и проведение диффузии при температуре1100 1300 С в...

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, ,в частности, к высоковольтным тиристорам. Целью изобретения является повышение блокирующей способности P-N-переходов и токовых нагрузок. В P-N-P-N-структуре высоковольтного тиристора, имеющей по торцовой поверхности фаску типа несимметричный ласточкин хвост, круговая кромка, образованная двумя пересекающимися поверхностями, одна...