С-структура с распределенными параметрами
Иллюстрации
Реферат
пп 438"О,54
ОПИСАНИЕ
:""" """ ИЗОБР ЕТЕ Н ИЯ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 30.01.73 (21) 1880713/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 30.07.74. Бюллетень №,28
Дата опубликования описания 11.02.75 (51) М. Кл. Н 01g 1/00
Н Olc 7/00
Государственный комите1
Совета Министров СССР по делам иэаоретений и открытий (53) УДК 621.396.6-181.5 (088.8) (72) Автор изобретения
Н. Х. Кутлин (71) Заявитель Казанский ордена Трудового Красного Знамени авиационный институт (54) RC-СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ
Предмет изобретения
Изобретение может использоваться в радиотехнических цепях, в частности в RC-генераторах, в устройствах частотной селекции в микроэлектронном исполнении.
Известные RC-структуры с распределенными параметрами представляют собой слоистую структуру, состоящую из чередующихся резистивной, диэлектрической и проводящей пленок, нанесенных на диэлектрическое основание. 10
Однако такие RC-структуры не позволяют производить перестройку по частоте без нарушения целостности структуры. В частности, изменение частоты настройки RC-структуры производится уменьшением величины распре- 15 деленной емкости удалением части проводящей пленки, что может приводить к закорачиванию проводящей и резистивной пленок.
Цель изобретения — создание RC-структуры, позволяющей производить перестройку ча- 20 стоты без ухудшения надежностных характеристик RC-структуры, Эта цель достигается выполнением RCструктуры в виде компланарной системы, состоящей из "известной слоистой структуры, проводящий слой которой выполнен так, что его боковые участки расположены непосредственно HB диэлектрическом основании. Между резистивной пленкой слоистой структуры и проводящей плейкой, лежащеи в той жс плос- 30 кости, получается распределенная емкость, величина которой зависит от геометрических размеров резистивной и проводящей пленок, а также от толщины диэлектрической пленки.
На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемой RC-структруы; на фиг. 2 — электрическая схема ее.
Предлагаемая RC-структура состоит из двух компланарных систем, получающихся за счет чередования резистивного слоя 1, диэлектрического слоя 2 и проводящего слоя 3. Для обеспечения возможности перестройки частоты структуры проводящий слой выполнен так, что его боковые участки расположены непосредственно на диэлектрическом основании 4.
Величина перестройки по частоте зависит от геометрических размеров резистивной и проводящей пленок, а также от толщины диэлектрической пленки. Удалением части проводящей пленки, лежащей непосредственно на диэлектрическом основании, любым из известных способов, без нарушения целостности слоистой структуры, можно перестраивать частоту настройки RC-структуры.
RC-структура с распределенными параметрами, состоящая из диэлектрического основания и последовательно расположенных на нем
488954
Фиг.1
Фиг.,Г
Составитель Р. Магоумова
Техред Г. Васильева
Корректор Н. Аук
Редактор М. Бычкова
Заказ 199/2 Изд . № 1985 Тираж 760 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 резйстйвного, диэлектрического и проводящего слоев, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности перестройки частоты структуры, проводящии слой выполнен таМ; что его боковые участки расположены непо-. средственно на диэлектрическом основании.