Способ получения р-п=перехода в германии р=типа

Способ получения р-п=перехода в германии р=типа

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

соооюзнат

О П И C А " Й Й

ИЗОБРЕТЕН И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 11 447969

Йвюа Свветскик

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 25.01.73 (21) 1875589/26с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.75. Бюллетень №

Дата опубликования описания 18.07.7

51) М. Кл. Н 011 7/54

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

53) УДК 621.382.002 (088.8) (72) Авторы изобретения И. П. Акимченко, В. С. Вавилов, В. В. Галкин и В. В. Краснопевцев (71) Заявитель

Ордена Ленина физический институт им, П. Н. Лебедева (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ P-П-ПЕРЕХОДА В ГЕРМАНИИ

P-ТИПА

Изобретение относится к ионно-лучевой технологии получения полупроводниковых приборов на основе германия р-типа.

Известно, что проявление химической природы донорной примеси, введенной в германий р-типа методом ионного внедрения, происходит после отжига при 400 — 600 С. Это объясняется тем, что ионное внедрение сопровождается образованием радиационных нарушений акцепторной природы при концентрациях, существенно превышающих концентрацию легирующей примеси. Для технологических целей высокотемпературная термообработка легированных образцов является нежелательной.

Известный способ получения р-и-перехода в германии и- и р-типов методом ионно-лучевой технологии состоит в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси с последующей термообработкой при 400 — 600 С или в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси при повышенной температуре 400—

500 С.

Цель изобретения — увеличение времени жизни неосновных носителей заряда.

Цель достигается путем бомбардировки германия р-типа ускоренными ионами донорной примеси при определенных плотностях тока ионного пучка, Слои с проводимостью и-типа получаются при внедрении ионов фосфора и лития с энергией 40 кэв при плотности тока

4 мка/см — е и выше и дозах облучения

5 10" см — и выше.

Кристалл германия, легированный галлием (удельное сопротивление 0,3 — 0,5 ом см), с

5 химически полированной и очищенной поверхностью подвергался бомбардировке ионами дон орных примесей, например, ионами фосфора с энергией 40 кэв, при комнатной температуре при дозах 5.10" см — 2 и выше, в

10 вакууме не ниже 10 — мм рт. ст. В результате бомбардировки в указанных условиях в тонком приповерхностном слое германия происходит инверсия проводимости, что приводит к образованию р-и-перехода.

15 Изобретение может быть использовано для получения р-и-переходов в германии р-типа без термообработки, которая во многих случаях оказывается нежелательной, поскольку она приводит как правило к ухудшению па20 раметров полупроводниковой основы (например, при производстве детекторов — у излучения из чистого германия) .

Предмет изобретения

Способ получения р-и-перехода в германии р-типа с помощью бомбардировки полупроводниковой подложки ионами донорных примесей, например фосфора, с энергией 20—

30 100 кэв, отличающийся тем, что, с целью

447969

Составитель М. Лепешкина

Редактор 3. Твердохлебова Техред Л. Казачкова Корректоры: О. Данишева и В. Петрова

Заказ 1714/2 Изд. № 1390 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб,, д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 увеличения времени жизни неосновных носителей заряда, бомбардировку примеси осуществляют при комнатной температуре пучком ионов, плотность тока которого не ниже

4 мка/см — при дозе облучения 5 10"—

10 " см-