Позитивный фоторезист
Иллюстрации
Реферат
ОПИСЛНИЕ изоваатаиия
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз . Советских
Социалистических
Респубпин (112 451978 (61) Зависимое от авт. свидетельства(22) Заявлено 19. 02. 73 (21) 1889749/23-4
- с присоединением заявки Ж (32) Приоритет—
Опубликовано 30.11.74 Бюллетень № 44
Дата опубликования описания 14 04 75 (51) M. Кл. 03о1/68
С 03с 1/52
Гооударстеенный комнтет
Совета Мнннетрон СССР но делам нзобретеннй н отнрытнй (53) УДК
621. 382. 002(088. 8) А. И. Парамонов и 10. М. Прохоцкий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ
Изобретение касается позитивного фоторезиста, используемого в полиграфической и радиоэлектронной промышленности.
Известны позитивные фоторезисты на основе эфиров ортонафтохинондиазидов (све. точувствительный продукт) в сочетании со щелочерастворимыми фенолформальдегидными смолами (пленкообразуюший компонент)
Недостатком известных позитивных фоторезнстов является,дефектность за- 1p щитного рельефа и недостаточная стойкость их пленок в щелочах.
В предлагаемом фоторезисте светочувст вительный компонент-нафтохинондиазид » взят в количестве -40% от веса пленко- 15 образующего компонента, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.
Проявление органическим растворителем экспонированного актиничным излучением рельефа осуществляют после задубливания экспонированной пленки.
Позитивное изображение с применением это: го фоторезиста получают следующим образом.
Подложка с нанесенной пленкой фоторе 25
;зиста экспонируется актнничным светом через фотомаску, а затем подвергается
:термообработке (задубливанию), в процессе которой происходит сшивка незасвеченных
1 участков пленки, которая теряет способность растворяться в органических растворителях. Засвеченные участки пленки остаются практически несшитыми и легко удаляются органическими растворителями, что позволяет получить позитивное изображение, Позитивные фоторезисты данного состава характеризуются низким содержанием свето чувствительного продукта, благодаря чему в растворителях типа циклогексанона и
- этилцеллозольва получают высоковязкую композицию. Для известных фоторезистов
fs неосуществимо, так как нельзя перевести в раствор большое количество (60% от . веса пленкообразующего компонента) светочувствительного продукта, обладающего относительно невысокой растворимостью.
Предлагаемый фоторезист характеризуется . повышенной по сравнению с фоторезистами на основе фенолформальдегидных смол адгезией к стеклу. Разрецпающая способность
451978
Составитель Л.МаРтыненко
Редактор К.Ветбейн Техред Г.Дворина КорректорЛ.Котова
Заказ
Тираж 5О6
Подписное
11ПИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская иаб., 4
Пртдириятие «Патент», Москва, Г-5Q, Бережковская наб., 24 предлагаемого фоторезиста составляет не менее 200 линий/мм.
Пример 1. 140 мг эфира 1,21
-нафтохинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы и 1,4 г смолы Э-ОО "С" типа ."Фенокси" растворяют в 14 мл циклогексанона. Раствор фильтруют и наносят методом центрифугирования на алюминиевую пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 90 С в течение 10
15 мин. и экспонируют через фотомаску (штриховая мирРа). Затем проводят термообработку плейки при 140 С в течение
20 мин, проявляют рельеф в циклогексаноне в течение 40 сек и травят в 5%-ном 15 водном растворе KOH в течение 10 мин.
Получают изображение на алюминиевой пластине с минимальной шириной штриха
20 мкм. о
Пример 2. 140 мг эфира 1,2- .Ю
-нафтахинондиазид-(2 ) -5-сульфокислоты и бисфенола и 1,4 г смолы Э-OO С" типа
"Фенокси" растворяют в 14 мл циклогексанона. Нанесение, обработку фоторезиста и травление подложки проводят, как в при-, 5. мере 1, .Получают элемент изображения с шириной штриха 20 мкм.
Пример 3. Операции выполняют в последовательности, указанной в примере
1, но с использованием в качестве свето- о0 чувствительного продукта эфира 1,2-нафтохинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и продукта конденсации бисфенола с формальдьгидом (молярное отношение 2:2). Получают элемент изображения с шириной штриха
20 мкм.
Пример 4. Операции вынс "n ÷и г в последовательности, указанной в пример-.
1, но с использованием в качеств» ттодлож.ки обычного стекла. После травления на подложке получают минимальный элемент с шириной штриха в 2;5 мкм.
Пример 5. 7,5 г эфира 1,2-нафтохинондиазид-(2" ) -5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы, 12,5 r фенолформальдегидной смолы и 6,25 r эпоксидной смолы Э-50 растворяют в 130 мл диоксана. Раствор фильтруют и наносят на стеклянную пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 90 С в течение 15 мин. и экспонируют через фотомаску (штриховая мирра). Затем проводят термообработку при
140 С в течение 20 мин, проявляют рельеф в ацетоне в течение 30 сек. После травления на подложке получаютминимальный элемент с шириной штриха в 4,5 мк.
Предмет изобретения
Позитивный фоторезист, состоящий из пленкообразующего компонента — смеси эпоксидной и фенолформальдегидной смол, светочувствительного компонента — производного нафтохинондиазида и растворителя, отличающийся тем, чтос целью увеличения щелочестойкости и уменьшения дефектности защитного рельефа, в его составе светочувствительный компонент взят в количестве 5-40% от веса пленкообразующего, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.