ПРОХОЦКИЙ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ
Изобретатель ПРОХОЦКИЙ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ является автором следующих патентов:
Позитивный фоторезист
ОПИСЛНИЕ изоваатаиия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз . Советских Социалистических Респубпин (112 451978 (61) Зависимое от авт. свидетельства(22) Заявлено 19. 02. 73 (21) 1889749/23-4 - с присоединением заявки Ж (32) Приоритет— Опубликовано 30.11.74 Бюллетень № 44 Дата опубликования описания 14 04 75 (51) M. Кл. 03о1/68 С 03с 1/52 Гооударстеенный комнтет Совета Мнннетро...
451978Способ очистки подложек
О П И С А Н И Е < 954916 ИЗОБРЕТЕНИЯ К, АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Соцналнстнческнк Республик (61) Дополнительное к авт. свил-ву— (22) 3 8 Н0 25 ° 05. 78 (21) 2620689/23-04 с присоединением заявки М— (23) Приоритет Опубликовано 30 . 08. 82. Бюллетень М 32 Дата опубликования описания 30 . 08 . 82 (51)М. Кл. G 03 С 5/00 Гюеуюрсткнный квинтет СССР но делам...
954916Дискретный регулятор температуры печей
Изобретение относится к устройствам управления технологическими процессами, к дискретным регуляторам температуры и может быть использовано , например, в металлургическом производстве или производстве интегральных схем. Цель изобретения - повьпнение точности регулятора. Дискретный регулятор температуры печей содержит установленный в печи 1 набор ампул 2 с эталонными веществами с п...
1288658Солнечный элемент
Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым фотопреобразователям. Сущность: солнечный элемент содержит подложку из кремния р-типа проводимости, слой кремния п+-типа проводимости, охранное кольцо вокруг слоя, выполненное из кремния р+-типа проводимости, просветляющее покрытие, локальный омический контакт к слою кремния п -типа провод...
1790015Способ изготовления биполярных транзисторов
Изобретение относится к микроэлектро нике и может быть использовано при изготовлении транзисторов в изделиях, эксплуатируемых в условиях воздействия радиации. Сущность: готовые структуры биполярных транзисторов облучают электронами флюэнсом (10 5-5,1016)см.2, затем проводят отжиг при 280-320°С в течение 0,5-1 ч, после этого проводят в Планерную сторону структуры имплантац...
1800501