Устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин

Устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

а 4ййНОтака Щ

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

00 459SIS

Союз Советскйх

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.02.73 (21) 1885344/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.02.75. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 31.03.75 (51) М, Кл. Н 011 7/68

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений м открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

Н. В. Яловега, И. Я, Козырь и И. Г. Блинов

Московский институт электронной техники (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологическому оборудованию для производства интегральных микросхем.

Известно устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин, содержащее центрифугу с плоским ротором и систему подачи реактива. Недостатками этого устройства являются большая продолжительность технологического цикла очистки, состоящего из нескольких последовательных операций, и невысокое качество обработанной поверхности.

Предложенное устройство позволяет устранить указанные недостатки благодаря созданию в пограничном слое жидкости, протекающей в щелевых каналах над очищаемой поверхностью обрабатываемых пластин, эффекта кавитации, используемого для очистки.

На фиг. 1 показано предложенное устройство в общем виде; на фиг. 2 — ротор, вид сбоку и сверху; на фиг. 3 — крышка ротора со щелевыми канавками, обеспечивающими кавитацию.

Устройство содержит центрифугу 1 с плоским ротором 2, в котором выполнены гнезда для очищаемых полупроводниковых пластин 3, неподвижную крышку 4, расположенную непосредственно над ротором, пневмопривод 5 для поджатия крышки 4 к ротору 3, резервуар 6 для растворения кислорода в воде и нагрева полученной смеси, баллон 7 со сжатым кислородом, магистраль 8 подачи смеси воды с растворенным кислородом, приборы 9 и 10 контроля расхода кислорода в баллоне и расхода жидкости в магистрали, датчики 11 и 12 тем5 пературы и давления в резервуаре 6. Ротор и привод центрифуги с целью самоуравновешивания подвешены к станине 13 на двойном шарнире Гука 14.

Работает устройство следующим образом.

10 В гнезда ротора 2 закладывают полупроводниковые пластины и поджимают их сверху с помощью пневмопривода 5 крышкой 4 с усилием, гарантирующим давление на поверхность ротора 4 — 15 кг/смз. Затем в полость

15 между ротором 2 и крышкой 4 из резервуара

6 под давлением подают нагретую до температуры 80 — 90 С смесь особо чистой воды с растворенным в ней кислородом. Когда в магистрали подачи воды давление возрастает до

20 появления тонкого слоя жидкости, истекающей по кольцевому зазору, включают центрифугу 1. По окончании процесса очистки выключают центрифугу, прекращают подачу смеси, поднимают крышку и освобождают ротор

25 от очищенных пластин. Прн необходимости сушки в этом же устройстве по окончании очистки вместо смеси по магистрали 8 подают чистый осущенный газ, образующий газовую подушку между крышкой и ротором, и приводят

30 центрифугу во вращение.

Очистка полупроводниксвых пластин производится с помощью жидкости, истекающей под давлением от центра ротора в радиальном направлении. Попадая на очищаемую поверхность, поток жидкости благодаря канавкам на поверхности крышки неоднократно меняет направление и скорость. Избыточный кислород, растворенный в жидкости, обуславливает интенсивное протекание процессов кавитации в каналах. Круговое вращение ротора с пластинами относительно неподвижной крышки создает трение в пограничном слое на поверхности пластин и интенсифицирует процесс кавитации, создающий зоны повышенного давления и температуры. При этом поверхности пластин интенсивно окисляются в кислороде, а продукты окисления разрушаются динамическим воздействием повышенного давления и уносятся потоком жидкости с очищаемой поверхности.

Во избежание износа рабочие поверхности ротора и- крышки выполнены из несмачиваемого жидкостью материала.

Предмет изобретения

Устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин, содержащее цент10 рифугу с плоским ротором и гнездами для пластин, систему подачи жидкости с растворенным в ней кислородом и привод для поджатия пластин к поверхности ротора, отлич а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, сокращения времени очистки, оно снабжено невращающейся крышкой, поджимаемой к поверхности ротора, причем на рабочей поверхности крышки выполнены взаимно перпендикулярно

20 расположенные канавки.

459818

Фиг Z

Я-A

Составитель Цветков

Редактор Т. Орловская Техред Л. Морозова Корректор Е. Хмелева

Заказ 735/13 Изд. № 395 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретения и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2