Полупроводниковый поверхностнобарьерный прибор

Полупроводниковый поверхностнобарьерный прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ЛВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Советских

Социалистических

Республик (11) 460831 р.-Г + (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 280223(21) 1890231/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 2 10.т, Бюллетень ¹ 39 (45) Дата опубликования описаний 2911 1 т (51) М. Кл.

И 01 1 31/00

1 ее1деретееннын NOMATIT

Саеетн Мнннетрее СССР не денев нзобретеннн н отнрытнй (53) УДК

621.383(088.8) (72) Лвторы изобретения

Б. В. Царенков, Ю. A. Гольдберг и Ю. П. Яковлев (71) ЗаявителЬ Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (54) 11ОЛуПРОВОЛ)тикОВЬ)Й ПОВВРхПООтИО-Б РЬЬРИЬ)й

ПРИБОР

Известны полупроводниковые поверхностно-барьерные приборы, состоящие иэ кристалла вариэонного полупроводника, на котором расположены омический и выпрямляющий контакты, причем выпрямляющий контакт расположен на области с наибольшей шириной запрещенной эоны.

С целью получения координатно-чувствительного фотоответа в предлагаемом приборе потенциальный барьер расположен на той поверхности варизонного кристалла, которая по крайней мере по одной иэ координат имеет градиент ширины запрещенной эоны. IS

Прибор представляет собой кристалл варизонного полупроводника(Са,„AF„As) с расположенными на нем выпрямляющим и омическим контактами, причем выпрямляющий контакт располагается на поверх20 ности, которая по одной иэ координат имеет градиент ширины запрещенной эоны. Освещение прибора производится через слой металла, образующего выпрямляющий контакт, который делается достаточно тонким.

Так как величина фототока прибора сильно зависит от ширины запрещенной эоны или энергии падающих фотонов, то фоточувствительность структуры сильно зависит от положения светового пятна на ней. Поскольку прибор работает на принципе поперечного фотоэффекта, то его чувствительность оказывается на порядок выше, чем у известных координатно-чувствительных приемников.

Формула изобретения

Полупроводниковый поверхностно-барьерный прибор на основе вариэонного кристалла, отличающийся тем, что, с целью получения координатно-чувствительного фотоответа., потенциальный барьер расположен на той поверхности вариэонного кристалла, которая по крайней мере по одной иэ хоординат имеет градиент ширины запрещенной зоны.