PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЦАРЕНКОВ Б.В.

Изобретатель ЦАРЕНКОВ Б.В. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый фотоэлектрический прибор

Полупроводниковый фотоэлектрический прибор

  У 3 1! > 1тз™ ао1х ИЗОБРЕТЕН Союз Советских Социалистических Ресяублин К АВТОРСКОМУ СВИДИЕД (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 01.Д3.7 1 (21) Д62723 с присоединением заявки № (23) Приоритет(43) Опубликовано 05,08,77-5юллет (51} М. Кл, . H 01 1 15/02 Н 01 L 31/04 (ваудврственный комитет Совета Миниатрав СССР ва делам изааретений и открытий (53} Улк1621л83 (088....

375011

Диод

Диод

  Всеооюзн-гя A G T O H Y 80 - T À!. » Ч Е МЗДОЙ библиотекаМБД, > ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (ii) 389732 Союз Советских Социалистических Реслублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 24,12.71 (21) 1728715/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 25.07.74. Бюллетень № 27 Дата опубликования описания 09.01.75 (51) М. Кл....

389732

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов

  - . Л» ° ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (») 392845 (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.10.70(21) 1489348/26 25 (51) М. Кл. Н 011 7/02 с присоединением заявки № Гасударственный намитет Совета Министрав СССР аа делам изабретеннй и атирытий (23) Приоритет (43) Опубликовано25.09.75 Бюллетень № 35 (45) Д...

392845

Аппарат для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов

Аппарат для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов

  ОП ИСАНИИ H3OSPETK Н ИЯ К АЬТОУСКОМУ СЬИ ВТИЛОСТЬУ Союз Советских Социалистимесних Республин (11) 392857 (61) Дополнительное к авт. свнд.ву (22) I Заявлено 03.11.70(21) 1489621/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 26,08,77, Бюллетеяь № 31 (61) М. Кл. H 01 L; 21/20 Н 01 1, 21/36 Гооударотавнный номнтет Совета Мнннотроа СССР но делам наооретеннй н...

392857

Полупроводниковый поверхностно-барьерный прибор

Полупроводниковый поверхностно-барьерный прибор

  Союз Советских Социалистических Республик (>i) 401267 (6)) Дополнительное к авт. свид-вуг (51) М. Кл, Н 01 ). З1/00 (22) Заявлено20.11.70 (21) 1497260/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— Государственный комитет Совета Министров СССР по делам нэоорвтений н открытий (5З) УДК621 382. 2 (088.8) (43) Опубликовано 25.10.77.Бюллетень №, 39 (45) Дата опубликования оп...

401267


Полупроводниковый источник света

Полупроводниковый источник света

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик () i 434950 (6!) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 16.03.73 (21) 1890101/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.08.77.Бюллетень М 29 (51) М. Кл. Н 051. 33/00 Государственный комитет Совета Министров Ссср оо делим изобретений и отнрьтий (53) УДК...

414950

Оптоэлектронный прибор

Оптоэлектронный прибор

  (61) Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 13.07.71 (2I) 1685267/26-25 с присоединением за .вки №(23) Приоритет(43) Опублнковано25.08.77. Бюллетень № 31 (51) М. Кл. Н 01 I 31/12 Государственный комитет Советв Министров СССР оо делам изоорвтений и открытий (5З) УДК 621.383.535 °.376(088.8) (45) Дата опубликования описания 26.08.77 (У2) Авторы изобретения A. H. Именков, Б....

434873

Полупроводниковый фотоэлемент

Полупроводниковый фотоэлемент

  О П И С А Н И Е и14 что, некоторая часть света поглощается у поверхности кристалла вдали отр - e перехода.;Попыткаувеличитьфоточувствительность - 1 за счет увеличения ширины запретной эоны на поверхности кристалла, приводит к рез ð кому уменьшению избирательности фотоприем ника за счет. появления фоточувствительности при энергиях фотонов, больших ширины эапре ной зоны областг...

448821

Магниторезистор

Магниторезистор

  О П И Й. A-" Í И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ, !! 46О813 Союз Советских Социалистических Республик (б1) Дополн?|тельное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.04.73 (21) 1903336!26-25 (51) М. Кл. Н 01Ь 29, 82 с присоединением заявки № Государственный комитет Совета Министров СССР (23) Приоритет (43) Опубликовано 30,06.78. Бюллетень № 24 (45) Дата опубликования описания 27.00.78 (53) УДЫ, 621.382(...

460813

Полупроводниковый поверхностнобарьерный прибор

Полупроводниковый поверхностнобарьерный прибор

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ЛВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союэ Советских Социалистических Республик (11) 460831 р.-Г + (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 280223(21) 1890231/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 2 10.т, Бюллетень ¹ 39 (45) Дата опубликования описаний 2911 1 т (51) М. Кл. И 01 1 31/00 1 ее1деретееннын NOMATIT Саеетн Мнннетрее ССС...

460831


Фотоэлемент

Фотоэлемент

  Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (") 463408 (6!) Лополнительиое к авт. свид-ву (22) Заявлено 15,06.73 (2I)I1932587/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет(43) Опубликоваио25.07..77.5юллетеяь №27 (46) Дата опубликования описания 12.09.77 (51) М. Кл. Н 014 Э1100 Гооударстевнный ноинтот Соната Ннннотроо СССР но д...

463403

Поверхностно-барьерный фотоприемник

Поверхностно-барьерный фотоприемник

  549054 3 координаты, Градиент ширины запретной зоны для структуры, изображенной на фиг. 1, vs< I. Е -E

549054

Диод

Диод

  Союз Советских Социалистических Республик О П И С А Н И Е ш1 55 ва5 ИЗОБРЕТЕН ИЯ И АВТОРСКОМУ СВИДВТИтЬСТВУ (Я) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.12.73(21) 1979265/25 с присоединением заявки Ж (23) Приоритет (Я) M. Кл. Н 01 f. 29/06 Гасударатвеввыв ввмвтвт Саавтв Маветрав СССР аа делам взвбрвтвввв в атхрмтвй (43) Опубликовано 25.10.77Áþëëåòåíü № 39 (53) уд)J, 621...

552865

Оптический фильтр

Оптический фильтр

  Союз Советских Социалистических Республик < 565579 (6I) Дополиительиое к авт. свил-ву {Я2) ЗааелаиО 10.07.74 (2L) 2042177/10 с и исоадииеииен заявки Ю (5(1 М. Кл G 02 В 5/22 ГееудеретееееиЕ ееиатет ссср ее делам ааебретеаеа е етхрмтмх (23) Приоритет Опубликоваио 05.10.79. Бюллетень № 37 (53) УДК 535.345.6 (088.8) Дата оаубликовавиа описания 05.10.79 (72) Авторы иэобретеиив А....

565579

Способ изготовления полупроводнико-вых приборов c поверхностым барьером

Способ изготовления полупроводнико-вых приборов c поверхностым барьером

  йй Союз Советскиа Социалистических Республик тек. но-т(:-х ни чв: ийй C ANИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) 3assaeHo 230876 (21) 2397358/18-25 (51)М. КЛ. с присоединением заявки ¹ (23) Г риоритет H 01 L 21/02 Государственный комитет СССР по дедам изобретений м открытий Опубликовано 230381. Бюллетень № 11 Дата опубликования о...

582710


Поверхностно-барьерный фотоприемник

Поверхностно-барьерный фотоприемник

  К ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК, на основе полупроводникового материала переменного состава, отличающийся тем, что, с целью повьшения его КПД, он выполнен на основе непрямозонного материа" ла с монотонно изменяющимся значением . минимальной энергии прямых оптических переходов в направлении, перпендикулярном плоскости барьерного кон- . такта,при этом это изменение по крайнейм...

660508

Способ получения полупроводниковой структуры

Способ получения полупроводниковой структуры

  лстеитмо тетЖ -адская ! 6, 1.: л но i з ;ы Vi (з А ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ, СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советски к Социалистичесник Республик 668506 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (51) М. К.п. (22) Заявлено 01.02.77 (21) 2448019/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 15.06.80 Бюллетень № 22 Дата опубликования описания 15.06.80 Н 01 21/208 Гос...

668506