Способ изготовления полупроводнико-вых приборов c поверхностым барьером

Способ изготовления полупроводнико-вых приборов c поверхностым барьером

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

йй

Союз Советскиа

Социалистических

Республик тек. но-т(:-х ни чв: ийй

C ANИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) 3assaeHo 230876 (21) 2397358/18-25 (51)М. КЛ. с присоединением заявки ¹ (23) Г риоритет

H 01 L 21/02

Государственный комитет

СССР по дедам изобретений м открытий

Опубликовано 230381. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 230381 (53) УДК 621.382 (088 .8) (72) Авторы изобретения

Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова и Б.В. Царенков (71) Заявитель

Ордена Ленина физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

С ПОВЕРХНОСТНЫМ БАРЬЕРОМ лов $1/ .

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к технологии полупроводниковых приборов с поверхностным барьером, .и может 5 быть использовано при изготовлении поверхностно барьерных фотоприемников .

Известен способ изготовления поверхностно барьерных приборов посред- 1О ством химического осаждения металНедостатком способа является плохая адгезия металла и недостаточно хорошая воспроизводимость результа- 15 тов.

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления полупроводниковых приборов с поверхностным барьером путем осаждения слоя метал- 2О ла на освещаемую поверхность полупроводника с последующим присоединением токоподводов f2) .

Для того чтобы этим способом изготовить фотодиоцы, обычно уменьшают толщину слоя металла таким образом, чтобы он был полупрозрачен. Это резко уменьшает выход годных приборов из-за того, что тонкий слой металла имеет плохую адгезию к поверхности . ЗО полупроводника, и при пайке токопровода часто проплавляется.

Цель изобретения — повышение выхода годных приборов за счет предотвращения проплавления слоя металла в процессе присоединения токоподводов.

Это достигается тем, что предварительно перед осаждением металла на части освещаемой поверхности полупроводника создают область с нарушен.ной кристаллической структурой, например, селективным травлением и всю поверхность активируют в водном растворе соли палладия при температуре выше 80 С.

Если слой металла имеет хорошую адгезию к поверхности полупроводника, то на нарушенной поверхности скорость осаждения слоя металла выше, чем на гладкой полированной поверхности.

Хорошей адгезией к поверхности полупроводникового кристалла обладают кристаллические слои палладич.

Переход от аморфного состояния слоев палладия к кристаллическому происходит при температуре близкой к 80 С, о поэтому операция активации проводится при температуре выше 80 С.

Благодаря этим операциям получают структуру с тонким споем металла

582710

Формула изобретения

Составитель В. Мякиненков

Редактор T . Колодцева Техред Е. Гаврилешко

Корректор М. Вигула

Заказ 1646/45 Тираж 784

ВНИИПИ. Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб ., д . 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 (10-20 нм) в центре и толстым слоем металла на той части кристалла, где была- поверхность нарушена.

Токоподводы припаивают к более толстому слою металла, что исключает проплавление барьерного контакТа.

Пример. Изготавливают поверхностно барьерные фотодиоды на основе

ga AS, Ha одной стороне пластины

ga AS изготавливают,омический контакт, а на другой проводят глубокое селективное травление на части рабочей поверхности в растворе 98Ъ

CH50H + 2Ъ Br, а затем пластину

ga AS погружают в водный раствор хлористого палладия с концентрацией

1,5%, нагретый до 80 С на 3 с, промывают, опускают в водный раствор, содержащий 4 г/л НАиС14 + 100 мл/л HF на 45 с для осаждения слоя золота.

Толщина слоя золота, как установлено с помощью прибора МИИ-11, составляет

20 нм, а на поверхности с нарушенной кристаллической структурой 80-100 нм.

К этому более толстому слою металла и проводят подпайку проволоки с помощью индиевого припоя. При использовании этих операций барьерный контакт не проплавляется и выход годных приборов повышается по крайней мере в 10 раз.

При использовании этих операций основные параметры приборов практически не меняются, в частности емкость остается постоянной,так как ширина слоя объемного заряда не зависит от толщины металла; темновой ток не изменяется, так как площадь барьерного контакта та же, квантовая эффективность не изменяется в связи с тем, что толщина слоя металла на рабочей поверхности остается постоянной.

Таким образом, использование перечисленных операций позволяет увеличить выход годных приборов при массовом производстве беэ ухудшения их параметров.

Способ изготовления полупроводниковых приборов с поверхностным барьером путем химического осаждения слоя металла на освещаемую поверхность

15 полупроводника и последующего присоединения токоподводов, о т л и ч а юшийся тем,,что, с целью повышения выхода годных приборов за счет предотвращения проплавления слоя меЩ талла в процессе присоединения токоподводов, предварительно перед осаждением металла на части освещаемой поверхности полупроводника создают область с нарушенной кристаллической структурой, например, селективным травлением и всю поверхность активируют в водном растворе соли палладия при температуре выше 80 С.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Гольдберг Ю.A. Методика изготовления поверхностно барьерных структур химическим осаждением металлов на поверхность полупроводников.-"Приборы и техника эксперимента" AH СССР, 35 1971 Р 3 с 207 209

2. Авторское свидетельство СССР

Ð 392845, кл. Н 01 б 21/02, 1975.