Фотоэлемент

Фотоэлемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (") 463408 (6!) Лополнительиое к авт. свид-ву (22) Заявлено 15,06.73 (2I)I1932587/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет(43) Опубликоваио25.07..77.5юллетеяь №27 (46) Дата опубликования описания 12.09.77 (51) М. Кл.

Н 014 Э1100

Гооударстевнный ноинтот

Соната Ннннотроо СССР но донам нэобротеннй н откритнй (533 УДК 621.382 (OBB.B) (72) Автори изобретения

B. В. Гутов, Т. Н. Данилова, А. H. Именков, Ь. B. Бвренков н 10. П. Яковлев

Ордена Ленина физико технический институт ям. A. Ф., Иоффе (71) Заявитель (54) ФОТОЭЛ ЕМЕНТ

Изобретение отнзсится к полупроводниковой технике, ь частности к спектрофото днодам, аналнзирующнм излучение падаюшего света.

Известен полулроводниковый фотоэлемент на основе варнзонной p - tf — структуры.

8 такой структуре ширина запретной зоны моногоннс язменяе.ся в направленяи, перпен« днкулярном плоскости p - 3f — перехода.

Эта структура orn чвется ог других тем, 14 что она облвдаег селективной чувствительнс ность к свету с энергией фотонов ММ< ° близкой к ширине Е,@ запретной зоны в области p - +т — перехода, и првктячесФ кя нечувствительна к свету с энергией фо д гонов, отличной ог E q в областя p - fl перехода.

Бель изобре ения - обеспечение анализа спектрального распределения пэлу ения в одном кристалле. М

Предложенный фотоэлемент выполнен и вяде лпвстнны из вариэонного кристалла, сод лившего p — тт - переход, прячем шнрннв запретной зоны плавно изменяется по голшипе пластины. Отпнчие предложен- ок ного фотоэлемента состоят в том, что ! плоскость p - тт — псрехоаа образует с направлением Изменения ширины запретной о зоны у оп, яэменяющнйся or 0 до 90 се С < „где Й - толщина пластины, 1

- длина пластины. При этом шнрнна запретной зоны плавно изменяется как в одном яз направлений в плоскостя р -t1перехода, гвк я в направлении, перепендякулярном плоскости р. - тт — перехода. В такой конструкпин фотоэлемента освещаемой поверхностью я ляется поверхность с максимальной шириной запретной зоны. Селективная спектральная чувствительность фотоэлемента изменяется в соответствии с измеяеннем ширины запретной эоны в плоскости P - M - перехода, г.е. каждая точка в плоскости p — тт — перехода чувствительна к разной энергия фотонов.

Нв фнг. 1 схематично показан предл женный фотоэчемент; на фиг. 2 - грвфнк зависимости ширины запретной эоны от гояшины пластины.

Фотоэлемент содержит полупроводниквый кристалл 1 с переменной шириной ва во од

З 4 (Х

Составитель A. Быбупьникова

Ч ехред Q, Дут овая Кэррек :nр .

Редактор 1 . орловская

Заноз 258 .Е 7 г«раж 976 Подп«спэе

ljHI4W(f! I Государственного кэмигета Совета Ими«строк < Г,f по депам изобретений и открыт«й. . 1.30 3з„Мос,=-:;За Ж-3 э, 1. 3ушскак нас„д. 4ЕЬ

Ф«л« л F111(, ". (тент" . ìi opog.„-". Г!рэектная претной зоны, эмические контакты 2 и 3

K W u p — эбпастям.

Наличие Градиента ширины запре7 нэй зо ны в варизонном кристаппе позвопяет сконцентрировать поглощение света на разпич- 5 кой гпубине к крис;"aппе и завис«мост« or энергии падающих фотонов. Если плоскость

- и - перехода перпендикулярна на=: правпению изменения ширины запретной зоны то конструкция чувс а ви а е 1ьна топько к свету с энергией фотонов, равно." ширине запретной зоны B обп&сти p - fl -" пере хода. Если плоскость p - лп - i o i «oäÿ образует угол с направлением изменения ширины запретной зоны, то конструкция ста,,. новится сепективно чувствительной к свету с разпичной энергией фотонов. Этот угo,i может изменяться от О ДО,З . - Qt r î где kI - толщина ппастины варизонного кристалле, 8 - дпина пластины. Минимапь 2 нэе значение угла соответствует случаю, кэ. ",a плоскость p — tl — и".рек:qa соп.:åдает с направлением изменения LL«Ii««û за,.ретной зоны, а максимальное значение оп-ределяется геометрическими резмерпм« э пласт«ны к равно 90. Qi <4g

Фоомупа изобретен«я

Фотоэлемент, выпопненнь:й и вид; пласт«-ны из варизонного попупровопн«ка, э в.= и и ч а ю шийся тем, что, с целью осуществпе спектрального анализа «зпучс= ния ппоскосл ь p - ri -- перехода обр:- зует с направпением измен= н«я . и:рины;..Ппреткой зоны угол, вепичина Korop l ... .эжел быть равна or О до 9О - Or:,tp где -.толщина пластины„6 - длина ппастины.