Тиристор

Тиристор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.04.73 (21) 1912152i26-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл. Н 01 l 11 00 (23) Приоритет

Опубликовано 15.03.75. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 06.06.75 Государственный комитет

Совета Министров СССР о денем изобретений и открытий (53) УДК 621.382(088,8) (72) Авторы изобретения

A. Ф. Кардо-Сысоев, И. Г. Чашников и В. Б. Шуман

Ордена Ленина Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (71) Заявитель (54) Т И Р И СТО Р

Изобретение относится к полупроводниковым переключающим приборам — тиристорам.

Известны мощные тиристоры, состоящие из четырехслойной р-п-р-п структуры, изготовленной диффузионным способом на основе высокоомного кремния и-типа и имеющие широкую и-базу и узкую р-базу, по которой осуществляется управление прибором.

Недостатком этих приборов является большое время нарастания тока до максимального значения при включении тиристора (время включения).

Для увеличения быстродействия при включении в предлагаемом тиристоре широкая слаболегированная база выполнена на основе кремния р-типа с концентрацией акцепторной примеси 10" — 10 4 см вЂ, а узкая база, по которой осуществляется управление, выполнена и-типа путем диффузии донорной примеси с поверхностной концентрацией

10" — 10" см — . Лавинная инжекция, являясь самым быстрым механизмом переключения тиристоров, в структурах с высокоомной базой р-типа осуществляется при меньших напряжениях и на большем участке переходной характеристики, чем в структурах с высокоомной базой п-типа. Поэтому такие структу, ры обладают меньшим временем нарастания тока (временем включения). Тиристоры с высокоомной р-базой при прочих равных параметрах имеют длительность переходного процесса включения в 2 — 3 раза меньшую, чем тиристоры с высокоомной п-базой.

На чертеже показана структура предлагаемого тиристора. Тиристор изготовлен на основе пластины кремния р-типа с концентра1п цией акцепторной примеси 10" — 10" см †.

Концентрация примеси в широкой базе 1 р-типа определяется исходным материалом; с помощью диффузии создана узкая п-оа3а 2, по которой осуществляется управление; эмит15 тер Зр-типа, эмиттер 4п.-типа.

Предмет изобретения

Тиристор на основе кремния с переключением за счет лавинной инжекции, о т л и20 ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения быстродействия при включении, широкая слаболегированная база тиристора имеет р-тип проводимости с концентрацией акцепторной примеси 10" — 10 4 см —, а узкая сильнолеги25 рованная база — и-тип проводимости с поверхностной концентрацией доноров 10"—

10" см — 3

464033

Составитель О. Федюкина

Техред М. Семенов

Редактор И. Шубина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1345/14 Изд. № 1294 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5