Матрица оптической памяти

Матрица оптической памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Li

Г

О П И С А Н И Е пп 469992

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.04.73 (21) 1910095/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.05.75. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 05.08.75 (51) М. Кл, G 11с 11/42

Государственный комитет

Совета MNHNGTpOB СССР по делам иэооретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения К. А. Осипов, Ю. Н. Лозинский, А. А, Ровинский и Г. Э. Фолманис

Институт металлургии им. А. А. Байкова (71) Заявитель (54) МАТРИЦА ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено .в

ЗУ для многократной записи и стирания информации при помощи облучения носителя,информации .в ячейках матрицы сфокусированным лучом лазера.

Известны матрицы оптической памяти, содержащие подложку с нанесенным на,нее слоем рабочего материала — халькогенидного полупроводника,и,нанесенное поверх рабочего слоя прозрачное защитное термостойкое покрытие. В этих матрицах механизм записи и стирания информации основан на свойстве некоторых халькогенидных полупроводников обратимо изменять под воздействием луча лазера и свое фазовое состояние тем самым коэффициенты поглощения и отражения светового потока.

Однако в таких матрицах каждый цикл записи и стирания информации сопровождается усилием неоднородности химического состава рабочего .материала в области воздействия луча лазера. Из-за этого при осуществлении сравнительно небольшого числа циклов «запись — стирание», рабочий материал настолько изменяет свой химический состав, что,матрица выходит из строя.

Цель изобретения состоит в том, чтобы создать стабильно работающую матрицу.

Отличительной чертой данной матрицы является то, что рабочий материал наносится не сплошным слоем, а в виде дискретных ячеек, которые окружены со всех сторон термостойким веществом, инертный по отношению к рабочему:материалу внутри ячеек. При этом вещество, окружающее ячейки хотя бы с одной из сторон, должно быть прозрачно для луча лазера. Размеры ячеек должны быть соизме1О римы с размерами экспериментально наблюдаемых проводящих шнуров в рабочем материале (обычно 5 мкм). В предлагаемой матрице размеры ячеек .в трех измерениях должны быть от 1 до 5 мкм.

15 На чертеже показана матрица.

Матрица состоит из подложки 1, термостойкого вещества 2, ячейки 3 с рабочим материалом и защитного покрытия 4.

При записи и стирании информации с помощью луча лазера происходит импульсный нагрев и затем быстрое охлаждение локальных микрообъемов слоя рабочего материала, что и вызывает фазовые переходы в нем (аморфный — кристаллический — жидкий — аморфный и т. д.). Возникающие при этом большие градиенты температуры, особенно при наличии больших объемов вещества, способствуют развитию диффузии различных компонентов рабочего материала в соответствии с гради469992

Предмет изобретения

Составитель В. Страхов

Техред Т. Миронова

Редактор Л. Утехина

Корректор И. Позняковская

Заказ 1865/12 Изд. № 675 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ентом температуры. Поэтому многократные повторения циклов записи и стирания информации приводят к усилению неравномерности химического состава рабочего материала в облучаемой зоне, в результате нарушается кинетика фазовых переходов и усиливается неоднородность оптических характеристик материала. В замкнутых ячейках малого размера градиент температур значительно .меньше, поэтому изменения химического состава при цикличвском нагреве и охлаждении не могут получить существенного развития. Из-за ограниченности объема вещества в ячейке быстро устанавливается равновесный химический состав, и длительное время сохраняются свойства вещества.

Запись:и стирание единичной информации можно проводить параллельно в нескольких ячейках, что позволяет повысить надежность матрицы.

Матрица оптической памяти, содержащая подложку, нанесенный на нее рабочий слой

10 халькогенидного полупроводника и нанесенное поверх рабочего слоя прозрачное защитное термостойкое покрытие, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью стабилизации ее характеристик, в ней рабочий слой халькогенидного

15 полупроводника выполнен в виде дискретных ячеек с линейными размерами от 1 до 5 мкм.