Полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О ПИСАН И

ИЗОБРЕТЕНИЯ (11) 482А35

Союз Севе;скнх

Соцлелнстнчвскнк

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 20.04.67 (21) 1149499/26-25 (51) М. Кл. Н 01/ 5/00 с прпсосдпнснпсм заявки №

Государственный комнтет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытнй (32) 11риорптс т

Опу31,,п;()ff:,ио 30.03.75. Ь,оллетсиш f> 32 (53) УД К 621 382 (088.8) Дятя olf . блпков и3ия Описания 08.12.i, > (72) Afff op

ИЗООРСЗЕНИЯ

В. И. Стафес в (71) Заявитель (=4) П011У11РОВОДНИ13 011Ы14 ПРИБОР

11:3об13стснис от13осится к области полупроводниковой электроники.

Известен полупроводниковый диод с неоднозначной по току характеристикой (S-характеристикой), выполненный из высокоомного материала, например кремния, легированного !

ОЛОЗ ОМ.

11рсдля гаем ый пол проводниковый прибор, сОдсржащий диоды с S-характеристикои, Отличается тем, что, с целью обеспечения воздействия па вольтамперную характеристику диода током соседнего диода, инверсные области расположены Hа расстоянии не более четырех диффузионных или дрейфовых длин.

1х,онструкция прибора приведена ня чертеже, где изображены монокрпсталл 1 Ifo;Iólfpoâoëника тт-типа, р-области 2, омический контакт 3 к р-области, омичсский контакт 4 и п-области.

Моиокристялл 1 прибора изготавливают из высокоомного полупроводника полуизолятора, например п-типа, содержащего в запрещенной зоне глубокие примесные уровни, например кремний с примесью золота.

Работа прибора осуществляется следующим образом.

1-1я первую р-область подают положительное напряжение и на вторую р-область от генератора подают в пропускном направлении импульс, амплитуда которого превышает напря5 жение срыва. Длительность импульса должна быть достаточной для того, чтобы инжектированные носители существенно изменили заполнение глубоких прпмесных центров и промодулировалп базу первой р-области, в резуль10 тате чего прибор полностью лерейдет в проводящее состояние.

Предлагаемый полупроводниковый прибор может быть применен для построения нейристорной чинии, а также в других целях.

Предмет изобретения

Полупроводниковый прибор на основе диодов с неоднозначной по току характеристикой (S-характеристикой), выполненных пз высоко20 olifHQI 0 материала, например кремния, легированного золотом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воздействия на вольтампсрную характеристику диода током соседнего диода, инверсные области распо".«о25 жены па расстоянии не более четырех диффузионных или дрейфовых длин.

482835

1(орректор В. Брыксина

Текрсд Т. 1(урилко

Редактор Е. Месропова

Типография, пр. Сап;нова, 2

Заказ 2939/15 Изд. № 1779 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 51(-35, Раушская наб., д. 4/5