Транзисторно-транзисторный логический элемент

Транзисторно-транзисторный логический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1(чЩЯКЯКИ п11 483793

Союз Советских

Соыиалистических

Республик (с/тт д, 6 1 . (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 18.01.74 (21) 1989904/26-21 с присоединением заявки № (51) 1Ч. Кл. Н 03k 19, 08

Совета Министров СССР î делам изобретений к открытий (53) УДК 681.325.65 (088,8) Опубликовано 05.09.75, Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 25.04.76 (72) Лвторы изобретен .1я

H. А. Аваев и 1О. Е. Наумов (7 1 ) 3 1 яв1ггc .tl I>

Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе (54) ТРАНЗИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ

ЭЛЕМЕНТ 6 « - 2М

1осудаРственный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к микроэлектронике.

Известен транзисторно-транзисторный логический элемент, содержащий многоэмиттерный транзистор, коллектор которого соединен с базой выходного транзистора, и резисторы.

Цель изобретения — повышение нагрузочпой способности элемента.

Предлагаемый элемент отличается тем, что в нем установлен дополнительный транзистор, а выходной транзистор выполнен четырехэлектродным, причем инжектор выходного транзистора соединен с эмиттером дополнительного транзистора, коллектор которого через резистор соединен с шиной источника питания, а база дополнительного транзистора подключена к резистивному делителю, включенному в цепь базы входного транзистора.

На черте>ке изображена схема транзисторно-транзисторного логического элемента.

Устройство состоит из входного многоэмиттерного транзистора 1 с резистивным делителем 2 в цепи базы, выходного четырехэлектродного транзистора 3 с резистором 4 цепи коллектора, транзистора 5 и резистора 6 в цепи инжектора.

Устройство работает следующим образом.

Пусть на один из входов подан низкий потенциал, соответствующий логическому нулю.

Когда транзисторы 3 и 5 выключены, на выходе устанавливается напря>кение, равное

+Е, и переход инжектор — коллектор имеет нулевое смещение. Когда входное напряжение повышается, транзистор 3 начинает отп.раться током, который течет в его базу через резистор 2 и коллекторный переход многоэ м иттер ного тр анзистор а. г1апряжсние на выходе сии>кается, а на базе транзистора 5 — повышается. Транзи10 стор 5 открывается, и переход инжектор— коллектор транзистора 3 смещается в прямом направлении. Возникающий через него ток ускоряет включение транзистора 3, так что развивается регенеративный процесс, схема

15 включается, и выходной транзистор входит в режим насыщения. Напряжение на выходе становится близким к нулю, а на инжекторе — к U„„, где U, — прямое падение напря>кспи11 II>1 переходе инжектор — коллектор. Через инжектор протекает ток

Š— У„,, — У,<,, 11 с

Ланализ показывает, что этот ток способ25 ствует насы1цснию транзистора и эквивалентсн дополнительному току базы

30 где а>v — коэффициент передачи от инжектора к базе;

483793 (I, + Д1б) 11У- — +nl,„, в, где 1, = 1бэз 1бк!

Предмет изобретения ток через

pf /

В„, Вик

Составитель И. Разинова

Техред Т, Миронова

Редактор Б. Федотов

Корректор О. Тюрина

Заказ 744/15 Изд P,t 0 42 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, OK-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Psv — коэффициент усиления транзистора 3 в схеме с общим эмиттером.

Условие насыщения транзистора 3 имеет вид резистор 2;

U>u — напряжение прямого смещения перехода база-эмиттер транзистора3;

11би — НаПряжЕНИЕ ПряМОГО СМЕщЕНИя ПЕрехода база-коллектор транзистора 1;

1„, — входной вытекающий ток схемы в (Š— Уб-. - закрытом состоянии бз1 л, )

n — нагрузочная способность схемы.

Дополнительный базовый ток Д1б приводит к увеличению нагрузочной спосооности схемы: чем больше Д1б (меньше Рв), тем больше нагрузочная способность.

При уменьшении напряжения на одном из входов схемы транзистор 5 выключается, ток инжектора уменьшается, и по мере уменьшения тока базы транзистора 3 происходит его выключение.

10 Тр анзисторно-транзисторный логический элемент, содержащий многоэмиттерный транзистор, коллектор которого соединен с базой выходного транзистора, и резисторы, отл ич а ю шийся тем, что, с целью повышения

15 нагрузочной способности, в нем установлен дополнительный транзистор, а выходной транзистор выполнен четырехэлектродным, причем инжектор выходного транзистора соединен с эмиттером дополнительного транзи20 стора, коллектор которого через резистор соединен с шиной источника питания, а база дополнительного транзистора подключена к резистивному делителю, включенному в цепь базы входного транзистора.