АВАЕВ НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ

  1(чЩЯКЯКИ п11 483793 Союз Советских Соыиалистических Республик (с/тт д, 6 1 . (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 18.01.74 (21) 1989904/26-21 с присоединением заявки № (51) 1Ч. Кл. Н 03k 19, 08 Совета Министров СССР î делам изобретений к открытий (53) УДК 681.325.65 (088,8) Опубликовано 05.09.75, Бюллетень № 33 Дата опубликования описания 25.04.76 (72) Лвторы изоб...

  (1ц 546935 О0ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (6l) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.02.74 (21) 1991919/24 с присоединением заявки Х (23) Приоритет Опубликовано 15.02.77. Бюллетень М 6 (51) М. Кл.2 С 11С 11/40 Государственный комитет Совета Министров СССР t53) УДК 681.327.66 (088.8) ло делам изобретений и...

  ОП ИСАНИЕ (и) 557488 С Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.02.76 (21) 2323162/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет— (43) С>публиковано05.05.77.Б1оллетень ¹ 17 (45) Дата опубликования описания05,07.77 (51) М. Кл. Н 01 4 29/70 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изооретеанй и огкрытий (53) УДК 62 1. 382 (088.8) (>") Авт...

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Сова Соеекнии Сеармйнстюнкжна Ф кйубйин ((l) 56626 8 М @МОРСКОМУ СЭИДЙ1ВЛЬСУВУ (В4) Лополнйтельное к авт. свил-ву-(И) Заявлено 27.12.73(2!) 1э822эоб24 е прнеоеамнением заявки _#_e— (23) Прноритет(43) Опублнноваио 25. 07. 77 Бюллетень ¹ 27 (5!) м, кл С 11 С I 1140 аВ9ЭЭФВтаэваФ кемщфю 4Маата Ваяи1а» 6661 в авен вмбрвтееа и Фщнтю (53) УЙК681. 327.66 (0...

  ! If) 595847 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Со1оз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 24.01.74 (21) 1992363, 18-21 (51) М. &;л.- Н 03К 3/286 с присоединением заявки ¹ Госуаарственный комитет Совета Министров СССР по оелам изобретении и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 28.02.78. Бюллетень X 8 (45) Дата...

  ОП ИСАН Е (iiI 646371 Союз Советских Социалнстических Республик ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.0З.75(21) 2110966/18-24 (51) М. Кл G11 С 11 /40 с присоединением заявки № (23) Приоритет Государственный ноннтет СССР но делам изобретений н открытий (53) УДК 681.327..66 (088.8) ОпубликованоО5.02.79.Бюллетень №5 Дата опу...

  з . но; ОП ИCАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Соеетскиз Социалистических Республик = О, то транзистор 5 закрыт и на выходе 10 выполняется функция ИЛИ-НЕ от двух переменных Х1 и Х, поступающих на входы 7-8 (Y„-- Х„ + Х ). Если на входе 9 переменная Х З = 1, то на выходе 11 выполняется функция И- (Е У = X„ X и на выходе 10АУМкция эквивалейтности 7, = Х1 Х (У„ = 1, если Х„ и Х одновреме...

  Изобретение относится к микроэлектронике и предназршчено для использования в цифровыхустройствах, в частности в запоминающих устройствах ЭВМ. Целью изобцетения является повьшение степени интеграции элемента памяти. Ячейка памяти содержит полупроводниковую подложку 1 п -типа, эпитаксиальный слой 2 р-типа, диффузионные области 3, 4, области 13, 5, 9 слоев поликристаллического кремн...

  Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для использования в цифровых устройствах. Целью изобретения является повьшение степени интеграции матричного накопителя . Для этого в матричный накопитель введены вторая полупроводниковая область р-типа проводимости и вторая полупроводниковая шина p -типа проводимости , расположенная на второй полупроводниковой област...

  Изобретение относится к области учебных приборов по электронике. Целью изобретения является повьппение надежности работы. Учебный прибор по электронике содержит источник постоянного регулируемого напряжения 2, генератор синусоидального напряжения 1, регистрирующий прибор 14 и модель реальной МДП-структуры, содержащую варикап 8, импульсный диод 11, резисторы 9, 10, 13 и конденсато...

  Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в цифровых устройствах. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности. Поставленная цель достигается за счет того, что в матричном накопителе у поверхности эпитаксиального слоя 2 р-типа между областями 3 N<SP POS="POST">+</SP> -типа и вторыми боковыми поверхностями 12 канавок сформир...