Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур

Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соаетскмн

Социалистических

Республик (и) 489l65 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено13,11.73 (21) 1973557/26-25 (51) М. Кл.

Н 01 е 7168 с присоединением заявки №Гасударственный квмнтет

Фвввтв Мнннатрвв СсСр вв делам нэабрвтеннй н втнрытнй (23) Приоритет(43) Опубликовано25.10 75. Бюллетень № 39 (53) УДК

621.382 (088.8 ) ) (45) Дата опубликования описания 16.01.76 (72) Авторы изобретения

C.. Д. Аксенов, Н. В. Блохин, Ю. П. Клюев, В. В. Павлов, В. Н. Филиппов, А. А. Чернявский и В. И. Шабельников, (71) Заявитель (54) ЗОНДОВАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

Изобретение относится к области полупроводникового машиностроения и, в часч ности, к установкам зондового контроля транзисторных структур на пластине.

Известчы зондовые установки для контроля электрических пар метров транзисторных структур на пластине, которые содержат систему контактирования с зондами, оптическую систему, стол для закрепления пластины с механизмом шагового 1О перемещения. Они используются в электронной промышленности для производства ра личных микроэлектронных приборов.

Однако существующие установки нель;зя использовать для контроля транзистор- И ных .структур с размерами контактных площадок в несколько микрон. Отклонение координат наведения зондов на контактные площадки и разброс усилий контактирования приводят к сдвигу зондов и поврежде- 20 ,нию металлизированного слоя контактных площадок транзисторных структур в виде рисок и прчколов.

Бель чзобретения — повысить точность контактированяя зондов с контактными йлошадками полупроводниковых структур на пластине и уменьшить разброс усилий контактирования.

Это достигается тем, ч"..о горизонталь» ные оси качания контактирующих зондов расположены в плоскости контактированиы.

На фиг, 1 изображена схема предлагае» мой зондовой установки; на фиг, 2, а,б,схема образования погрешности попадания зонда на контактную плошадку для устано» вок с качающимися зондами; на фиг. 3 а, б - схема образовании дефекта на контактной площадке из-за сдвига зонда для уста» новок с пружинно-балочным креплением зондов.

На схемами принять. следующие обоэнл» чения: Э,Б,К вЂ” условное подключение эк:иттера, базы и коллектора проверяемой структуры к испытательной схеме (на схеме условно не показаны лектроиэоляпия зондоь и предметного стола и привод установки); Я вЂ” длина зонда; Я вЂ” фокаль» ная плоскость, - расстояние от оси качания зонда до плоскостч Я ; а h - глу1 бина резкости оптической системы;

3 тт Я /(/ ь Ь /

) Р т ,,, „, Т.» ,1 рейецмя Кой Гактной площадки длина риски.

Установка состоит иэ оптииескогo уст

Пзйотнтт т КООПуСИ,,» ПРЕДМЕТНОГО СТОЛа

Э с махани жом перемещения, двух изме рителъных зОидОВ 4 с механизмами пере мещтения.

Раоота установки осуществляется сл"=

Дтттотии :, О РИЗОМ .Проверяем H пластина 5 эакрепляетт :и

Иа ПРЕДМЕ «НОМ СТОЛЕ 3 ВаКУ МН:;.тМ ПРЯЖИ

:мом и оритентирчется механизмсм первые- @ щения стола Одновременно ведетс"=: визу

ЙЛВНЫтй- КОНТРОЛИ кант Стна ТРанЭИСТОРНЫХ . СТРУК„.тР С ПОМОиЫО OIITHHeCEOI3 СИСТЕМЫ

1 т жфСТКО СВЯЭанной C КОРПУСОМ 2 . ИЗМЕРИТЕЛттНЫЕ,ОНДттт 4 «ттЕХИНИЗт,1ттМИ Hegel IeIëe„. ßá

ИИ ттаиодт тСИ тт цттта т а тратт Q Оттчтт, аттт т на KGHTHIITиые площадки проверяэмо струк=

ТУРЫ ттРтл ЗТОМ;тсиРЦЕ Уснтаитицонания

GтHB0И C2M B

ИЭ) eppTe Jpg ЕЛЕ, т, ) тттЕ. (Ит тт СИ тдтпот» т И Н Д

ЗИCTQOIJи CTP> ."т РУР т.,+ОжЕ т и ттВ вт1р 5 утатт

ЛтОО т ИЗ CúãIIIe рт.",т Oтплк тттттg I",l>-I gOr

ЛЕ тттэтттpgþIIHp,, СИДЫ ° «О д т1т т, т т ниэм щагового перемеше. л подводит в поло контроля следующую с: ;уктуру.

Предмет изо етения

Зондовая установка д. я контроля полупроводниковых структур например транэис»

TopH ), имеющих контактные площадки иа пластине, содержащая корпус для закрепления узлов я механиэмо.-:, опти «ескую системут жестко закрепленну иа корпусе и имеЮЩУЮ ВЕРТИКаЛБНУЮ МИ --ОПОДС,.ПОЙКУт СИСТЕ» мту контактирования с катающимися на горнэонтагп.ных осях ypaBHG; ещивающимися измерительными зондами, n,.еющими механизмы ГОРРЗОНтаХПзнтго II8Peh"- . ИИИЯ В ДВУХ ВЗИИМ но перченди улириых и ..правлениях, предмеъный стол .для закрепл чия полупроводниковой

ПЧастииыт ИМЕЮШИй М ХаИИЗМ ГОРИЗОнтаЛЬ перемещения в двух ззаимно перпендикулярных направлениях, с т л и ч р ю щ а я с я тем, что, с пельтт пони@ения точности контак ирования зли. ов с контактными плщадками полупроводниковых структур на пластине и уменьтттения разброса усилий конаК т ттРОВаттИЯ IGPH MHTHJIBIJHIe QCH КаЧаНИЯ

ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЗОНДОВ РаСПОЛОЖЕЧЫ B НЛОст кости кои актирования.

489165

Составитель А. Усков

Техред,М. Ликович. Корректор Баъурка

Редактор О. Стенина

Заказ 1152

Тираж 833

Подписное

113035, Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина,1С1

1ХНИИЛИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий