Расширитель динамического диапазона радиосигнала

Расширитель динамического диапазона радиосигнала

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ы

О П И С А- Й" И

ИЗОБРЕТЕН И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ

» ЙЬ» (п) 49О 221

Союз Советских

Социалистических

Реслублик (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.05.73 (21) 1926751/18-1 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.10.75. Бюллетень № 40

Дата опубликования описания 28.01.7б (51) М. Кл. Н 01ъ 7/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 621.395.665.1 (088.8) (72) Авторы изобретения

Ю. В. Гуляев, A. С. Бугаев, С. Н. Иванов и В. В. Медведь Институт радиотехники и электроники АН СССР (71) Заявитель (54) РАСШИРИТЕЛЪ ДИНАМИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА

РАДИОСИГНАЛА

Изобретение относится к расширителям динамического диапазона и используется в системах междугороднего вещания и телефонии на высокой и сверхвысокой несущей частотах для восстановления динамического диапазона.

Известны расширители (экспандеры) динамического диапазона, радиосигнала, выполненные на электронных лампах и транзисторах.

Однако такие расширители динамического диапазона не обеспечивают восстановления диапазона при работе на высокой несущей частоте.

Цель изобретения — повышение частотного диапазона радиосигналов.

Это достигается тем, что предлагаемый расширитель выполнен в виде пьезополупроводникового кристалла или полупроводникового кристалла с нанесенным на него слоем пьезодиэлектрика с временем релаксации электронов по энергии в пьезополупроводнике (полупроводнике) больше периода радиосигнала, снабженного входными и выходными преобразователями соответственно объемных и поверхностных волн.

На фиг. 1 показан расширитель с преобразователем объемных волн; на фиг. 2 — то же, с преобразователем поверхностнь1х волн.

Расширитель содержит нелинейно поглощающий ультразвук пьезополупроводниковый кристалл 1 или полупроводниковый кристалл

2 с пленкой пьезодиэлектрика 3, снабженный электромеханическим преобразователем 4 или встречно-штыревыми электроакустическими преобразователями 5 поверхностных волн.

Устройство включено в линию б передачи.

Поступающая по линии передачи модулированная электромагнитная волна преобразуется входными электроакустическпми преобразователями в объемную или поверхностную ультразвуковую волну, распространяющуюся по кристаллу 1 или 2. Ультразвуковая волна по мере распространения по кристаллу ослабляется. Затем она вновь преобразуется выходными преобразователями в электромагнитную и распространяется по линии перс15 дачи.

В ряде пьезополупроводнпков(полупроводников), например антимонпде индия, при температуре кипения жидкого азота время релаксации электронов по энергии составляет

20 10 — — 10 9 сек, т. е. много больше периода радиосигнала СВЧ-диапазона, составляющего

10 " сек. Распространение по такому кристаллу ультразвуковой волны сопровождается нелинейными эффектами, связанными с нару25 шением равновесия электронов по энергии под влиянием звуковой волны. Эти эффекты приводят к уменьшению поглощения звуковой волны электронами с ростом мощности звукового потока. Расширение динамического дпа30 пазона состоит в том, что прп некоторой пороговой мощности входного сигнала режим поглощения ультразвука в кристалле стано490221

Составитель В. Лаптев

Техред М. Семенов

Корректор Т. Фисенко

Редактор Т. Рыбалова

Заказ 3390/13 Изд. № 1954 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 зится нелинейным и мощность на выходе кристалла растет быстрее, чем мощность входного радиосигнала. Динамический диапазон расширителя определяется длиной кристалла: чем длинее кристалл, тем шире динамический диапазон.

Предмет изобретения

Расширитель динамического диапазона радиосигнала, отличающийся тем, что, с целью повышения частотного диапазона радиосигналов, он выполнен в виде пьезополупроводникового кристалла или полупроводникового кристалла с нанесенным на него слоем пьезодиэлектрика с временем релаксации электронов по энергии в пьезополупроводнике (полупроводнике) больше периода радиосигнала, снабженного входными и выходными электроакустическими преобразователями со10 ответственно объемных и поверхностных волн,