Способ изготовления диэлектрического полосового пропускающего интерференционного фильтра

Способ изготовления диэлектрического полосового пропускающего интерференционного фильтра

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

O Л И C А Н И Е (!1) 491И6

Союз Советских

Социалистических

Республик

И ОБРЕТ . КЧ

iN ABTC; СИОМ т СВИДЕТЬ АДЬО Вот (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.12.73 (21) 1980270/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл. б 02b 5 28

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 535.345.67 (088.8) Опубликовано 05.11.75. Бюллетень М 41 по делам изобретений и открытий

Дата опубликования описания 05.02.76 (72) Авторы изобретения

Л. Б. Кациельсон и Ш. А. Фурман (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ПОЛОСОВОГО ПРОПУСКАЮШЕГО ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО

ФИЛЬТРА

Изобретение относится к оптическому приборостроению и может применяться в приборах, предназначенных для выделения узкой спектральной области, используемых в квантовой электронике, спектроскопии, космических исследованиях и т. п, Известны способы изготовления диэлектрического полосового пропускающего интерферинционного фильтра путем нанесения на подложку слоев с большим и меньшим показателями преломления с одновременной регистрацией на рабочей длине волны фильтра величины, пропорциональной пропуска нию подложки с системой слоев, включающей наносимый, и прекращения нанесения последнего слоя при достижении максимального значения, Цель изобретения — получить заданную ширину полосы пропускания фильтра.

Указанная цель достигается тем, что определяют ближайшие к Хо длины волн Х1 и i4, соответствующие половине пропуск ания в максимуме, и продолжают нанесение последнего слоя до получения величины q;= pa, функционально связанной с Х вЂ” лг и показателям преломления слоев.

Способ осуществляется при получении оптического покрытия путем термического испарения в глубоком вакууме веществ, образующих слои покрытия. В процессе нанесения слоев производят контроль пх толщины фотоэлектрическим методом, основанным на измерении светового потока, пропущенного образцом, на который осаждают вещества. Прп этом о толщине слоев судят по известной зависимости коэффициента пропусканпя от оптической толщины. Контроль производят прп нанесении слоя на уже готоьые слои. Рабочая длина волны выделяется монохромато10 ром.

Непосредственно на подложку наносят многослойное зеркало, представляющее собой двухкомпонентную систему. из чередую15 щихся слоев диэлектриков с высоким (n,) и низким (n„) показателями преломления, оптическпе толщины которых равны между собой. Когда толщина слоя достигнет требуемой величины, контролируют процесс напыления, 20 делают заключения, регистрируя минимум пропусканпя для слоев с n — n, и максимум— для слоев с и и„. Контроль производят при фиксированной длине волны г„р авной (0,94 — 1,0) Хо

25 После того, как первое зеркало сформировано, наносят разделительный слой. его напыление прекращают при достижении мак симума пропускания для слоев с гг=и, и минимума — для слоев с и=гг„. Контроль про30 изводят при Х=1о.

491116

Составитель В. Ванторин

Техред М. Семенов

Корректор А. Галахова

Редактор В. Фельдман

Заказ 44!15 Изд. Ме 60 Тираж 593 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Так же, как разделительный слой, контролируют нанесение пленок, образующих второе зеркало фильтра.

При изготовлении всех слоев фильтра о величине пропускания судят по показаниям отсчетного прибора, по шкале которого регистрируют величину <р, пропорциональную пропусканию подложки с гокрытием, включающим наносимый слой, Напылив последний слой фильтра до достижения ср= гр„ах измеряют у получившегося полосового фильтра, имеющего симметричную конструкцию, фактическое значение полуширины 6Л полосы пропускания. Для этого, перестраивая монохроматор, фиксируют ближайшие к Ло длины волн Л1 и Л, соответствующие пропусканию, равному половине пропускания в максимуме, и вычисляют разность Л вЂ” Л| — — бЛ получившегося фильтра.

Конструкция симметричного фильтра выбирается такой, чтобы при всех возможных отступлениях от заданных (расчетных) значений показателей преломления и оптических толщин слоев величина И была меньше требуемой Qo на 30 — 40 /о. При изготовлении

ДУПИФ из определенной пары веществ выполнение этого условия обеспечивается выбором числа пленок в зеркалах и оптической толщиной разделительного слоя, которая име 0 ет дискретные значения, кратные

По полученной для симметричного фильтра разности Л вЂ” Лi — — оЛ вычисляют значение величины ср= — гро, при достижении которой следует прекратить напыление последнего слоя, чтобы получить требуемую полуширину О, фильтра. Контроль пропускания покрытия в окончательной стадии нанесения последнего слоя производится в монохроматическом свете на длине волны Л<, на которой определи- лось пропускание при нанесении всех предыдущих слоев.

Предмет изобретения

Способ изготовления диэлектрического по15 лосового пропускающего интерференционного фильтра путем нанесения на подложку слоев с большим и меньшим показателями преломления с одновременной регистрацией на рабочей длине волны Ло фильтра величины ср, 20 пропорциональной пропусканию подложки с системой слоев, включающей наносимый, и прекращения нанесения последнего слоя при достижении максимального значения rp= гршах, отличающийся тем, что, с целью

25 получения заданной ширины полосы пропускания фильтра, определяют ближайшие к Ло длины волн Л1 и Л2, соответствующие половине пропускания в максимуме, и продолжают нанесение последнего слоя до получения ве30 личины q ð= гро, функционально связанной с разностью Л вЂ” Л1 и показателями преломления слоев,