Способ стабилизации униполярности кристаллов ват о
Иллюстрации
Показать всеРеферат
описд йив
ИЗОБРЕТЕН Ия (ii) 50I444
Goes Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.05.74 (21) 2024226/26-25 (51) Ы. Кл. H 01V 41/00 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликовано 30.01.76. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания 15.04.7б
Государственный комитет
Совета Министров СССР по дела» изобретений и открытий (53) УДК 537.228.1 (088.8) (72) Авторы изобретения В. 3. Бородин, Б. Ц. Шпитальник, Б. Ф. Проскуряков и Л.М. Берберова
Ростовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет (71),За я в п тель (54) СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ УНИПОЛЯРНОСТИ
КРИСТАЛЛОВ BaTio
Способ от|носится к ооластп создания чувствительных и стабильных сегнетоэлектричесматериалов. Уни по 1HpHO Tb B сегнетоэлектриках предоставляет интерес с точки зрения создания пьезо- и пироэлементов, обладающих стабильными характерист|иками, а также нелинейных элементов.
Существует два способа усиления и стабилизации естественной упиполярности; па одну из поверхностей кристалла наносится электрод из одного материала (например, жидкий, либо Ag, Сп, Ап), а на вторую — из другого (например С, А1, Zn, Ag), униполярность, создаваемая таким образом,,не обусловлена валент1ностью металлов, используемых в качестве электродов; одну из пове1рхностей кристалла шлифуют.
Существенным недостатком о писанных вышс способов является нестабильность ха рактористик полученных образцов тепловым, электрическим и механическим воздействиям.
Целью изобретения является повышение стабилизации у1ниполярности и улучшения управления униполярностью кристаллов BaTiO>.
Достигается это тем, что в одну из граней кристалла внедряют металл, валентность которого меньше валентно сти титана, или его окиссл, а в другую грань внедряют металл, валентность которого больше 13 llонтности титана, или его окисел.
На очищенные предварительно поверхности кристалла ВаТ10з наносят соли СоС1е бН20 и
5 ЪОз на внешнюю и внутреннюю грани соответственно, и такой образец помещается в платиновую капсулу, которая нагревается в печи до 1000"С и выдерживается в течснпе 30 мпн.
При этом происходит термодиффузпя метал10 лов на некоторую глубину в образец, затем образцы охлаждаются до комнатной температуры. Контроль состояния поляризации до и после термодиффузии осуществляется методом динамического пироэффекта. Внедрение
15 металлов необходимой валентности в кристалл ВаТ10з можно осуществить ионным легирова нием. Для этого кристаллы Ва Ti03 обезжириваюгся в бензоле и помещаются в камеру, где осуществляется бомоардпровка
70 попами щелочных металлов.
Униполярпость образцов, полученных предлагаемым способом, проверена на стабильность к полю и температуре по ппроактив75 IQСтИ.
На фиг. 1 представлена зависимо.сть ппротока от температуры кристалла BaTi03, на фпг. 2 — — зависимость пиротока от времени при
501444
Формула изобретения
10 лч
06
0У
6,notY
Составители В. Вавер
Корректор Л. Котова
Текред М. Семенов
1-сдактор E. Дайч
6! 9 19 Изд. ¹ 1030 Тира к 977 11одиисиое
ЦНИИПИ Гос>дарственного комитета Совета Министров СССР ио делак! Изооретений и открытий
113035, Москва, )K-35, Раугвскан нао., д. 4/5
Тииогра )list, нр. Саненова, 2 поле, приложенном против возникающей по ле термодиффузии упиполярно сти.
После выключения электричеокого тока первоначальная ун иполярность восстанавливается.
Криста 7.7ы, унпполярность в которых стабилизирована предлагаемым способом, могут найти применение в качестве чувствительных и высокостабильных эчеме нто в в прием никах
ИК-излучения, где особенно важна роль стабильно сти униполя рности к внешним воздействиям.
Способ стабилизации униполярности криталлов Ва TI07, отличающийся тем, что, с целью повышения стабилизации униполярности и улучшения упра|вления униполярностью, в одну из граней кристалла внедряют металл, валентность которого меньше валентности тита на, или его окисел, а в другую гDBIEIb внедряют металл, валентность которого больше вале!нтности тита на, ил|и его ок r