Способ очистки поверхности эпитаксиальных слоев, легированных кремнием

Способ очистки поверхности эпитаксиальных слоев, легированных кремнием

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(11: 5 i 3 5 7 5

К АВУОРСКО (б() Дополнительно (22) Заявлено28,03 с присоединением з (23) Приоритет (43) Опубликовано (45) Дата онублик (51) М. Кл.

Н 01 L 21/20

Государственный квинтет

Совета Министров СССР оо делан изооретений и открытий (УЗ) УД (621.382 (088,8) (72) Авторы изобретении

И. E. Марончук, Б, И. Сушко, Ю, Г. Пухов и Ю, Е, Марончук (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЪ|Х

CJ1OEE ЛЕГИРОВАННЫХ KF EÌÍÈEM

Со оз Советонил ф=Ъ,д

Социалистичеснил аФ 5 1 В В

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5

Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сил"но легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоев О арсенида галлия дентритов кремния.

Белью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия с зеркальной поверхностью из ограниченного объема раст„вора-расплава легированного кремнием.

Бель достигается тем, что выращивание р-п структуры с твердой фазой кремния на поверхности помещают в раствор-расплав, содержащий 3-10% алюминия и 9О-97 вес% галлия. Температура раствора-расплава поддерживается на уровне 800-850 С, выдержо ка в нем 30-40 мин. Имеющаяся на поверхности р-п структур твердая фаза кремния растворяется, а скорость травления арсенида галлия в таком растворе невелика.

Подложки для выращивания слоя собирают в пакет с прокладками из графита. Зазор между подложками (2 мм) заполняют раствором-расплавом, содержащим галлий, мышьяк и кремний при 900 С. Далее пакет с подложками перемешают в зону роста, где по заданной программе производится снижение температуры. При этом происходит эпитаксиальное наращивание эпитаксиальных структур, Затем пакет с наращенными структурами разбирают, и слои помещают в раствор-расплав при 800 С, содержащий 3-10 вес. % о алюминия и 9 -97 вес. % галлия на 3040 мин.

Формула изобретения

Способ очистки. поверхности эпитаксиаль ных слоев, легированных кремнием, полученных методом жидкостной эпитаксии, о т— л и чающий с ятем, что, с цельюрастворения избыточного кремния, слои помешают в,раствор-расплав, содержащий

3-10 вес. % алюминия и 90-97 вес. % галлия при 800-850 С в течение 20-30 мин,